電界発光素子およびこれを含む電子装置
【課題】製造工程が容易であり、空間を充填せずに構造が安定化されうる、ガラステンプレートを含む電界発光素子を提供する。
【解決手段】マトリックスとしてのシリカ層、電極、および発光材料を備えるガラステンプレートを含む、電界発光素子である。
【解決手段】マトリックスとしてのシリカ層、電極、および発光材料を備えるガラステンプレートを含む、電界発光素子である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界発光素子およびこれを含む電子装置に関し、さらに詳細には、マトリックスとしてのシリカ層、電極、発光材料を備えるガラステンプレートを含む電界発光素子、および前記電界発光素子を含む電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信技術の発達に伴い、高機能および高効率を有する光製品の需要が大きく増加している。発光素子の開発は１９９０年代から急速に進展してきている。
【０００３】
発光素子は、例えばディスプレイ（例えば、平面パネルディスプレイ）やスクリーン（例えば、コンピュータスクリーン）、照射を必要とする医療機器などの多様な光製品に適用されうる。よって、発光素子の高輝度、低い駆動電圧、および高効率は、これら製品の品質を決定する重要な特性となっている。
【０００４】
最近、発光効率を高めるための量子ドットディスプレイ（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ Ｄｉｓｐｌａｙ）についての研究も盛んに行われている。量子ドットディスプレイは、数ナノメートルサイズの半導体量子ドットを形成してトンネリング効果を用いて光を出す技術に基づいており、数ナノメートルの発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔ Ｄｉｏｄｅ）が高密度で分布し、それぞれのＬＥＤが光を発することにより発光効率を画期的に改善することができる。しかし、量子ドットディスプレイは、発光層から発生した光の多くが、基板または電極の表面で反射し素子内に閉じ込められるため、発光量が減少するという問題がある。
【０００５】
また、ナノワイヤーを用いて発光効率を高める方法の研究も行われているが、ナノワイヤーは、ナノメートル（１ｎｍ＝１０−９ｍ）スケールの直径を有し、長さが直径に比べて一層大きい数百ナノメートル、マイクロメートル（１μｍ＝１０−６ｍ）またはミリメートル（１ｍｍ＝１０−３ｍ）スケールを有する線形材料である。
【０００６】
前記ナノワイヤーは、小さいサイズであるため微細素子に多様に応用でき、所定の方向に電子の移動または偏光などの光学特性を示すため、好適である。
【０００７】
具体的には、前記のような電子の移動特性を有するナノワイヤーは、多重単一電子トランジスタ（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｓｉｎｇｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ｍｕｌｔｉ−ＳＥＴ）などのナノ電子素子に応用され、前記のような光学特性を有するナノワイヤーは、表面プラズモンポラリトン特性を用いた光波伝送路、ナノ分析器、または癌の診断に用いられる超微細信号センサなどに応用されうる。
【０００８】
一般的なナノワイヤーの製造方法としては、例えば、化学気相成長（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）法、レーザーアブレーション（Ｌａｓｅｒ Ａｂｌａｔｉｏｎ）法、及びテンプレート(template)を用いる方法などがある。
【０００９】
上記の方法の中でも特に、テンプレートを用いる方法は、数ナノメートル〜数百ナノメートルサイズを有する孔を形成させ、この微細孔をナノワイヤーのテンプレートとして用いる方法である。例えば、テンプレート法は、アルミニウム電極を酸化させてその表面に酸化アルミニウムを形成し、前記酸化アルミニウムを電気化学的にエッチングしてナノサイズの孔を有するテンプレートを形成する。これを、金属イオンを含む溶液中に浸漬し、電圧をかけると、金属イオンが孔を通してアルミニウム電極上に蓄積され、その結果、前記孔は金属イオンで充たされる。その後、適切な方法を用いて酸化物を除去すると、金属ナノワイヤーのみが得られる。
【００１０】
テンプレートを用いたナノワイヤーの製造方法に関しては、基板上に触媒フィルムを形成し、その上部に多孔性層を形成し、熱処理によって孔内にチタンナノワイヤーを形成させる技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１１】
また、テンプレートを用いた量子ドット固体の製造方法に関して、テンプレート内に形成された孔に、コロイド性ナノ結晶を注入して熱処理によって量子ドット固体を形成する技術が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】米国特許第６，５２５，４６１号明細書
【特許文献２】米国特許第６，１３９，６２６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、前述のような従来のナノワイヤーの製造方法は、長い製造時間を必要とするため大量生産に適さないうえ、ナノワイヤーを用いた電界発光素子の場合、成長したナノワイヤーの直線性を確保することが難しく、ナノワイヤーの間の空間を他の物質で充填して電極を形成するため、工程が複雑になるという問題があった。
【００１３】
そこで、本発明は、製造工程が容易であり、空間を充填せずに構造が安定化されうる、ガラステンプレートを含む電界発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明は、マトリックスとしてのシリカ層、電極、および発光材料を備えるガラステンプレートを含む、電界発光素子を提供する。
【００１５】
また、本発明は、マトリックスとしてのシリカ層、電極、および発光材料を備えるガラステンプレートを含む電界発光素子を含む電子装置を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、製造工程が容易であり、空間を充填せずに構造が安定化されうる、ガラステンプレートを含む電界発光素子が提供されうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付した図面を参照しながら、本発明をさらに詳細に説明する。
【００１８】
本発明の一実施形態による電界発光素子の構成要素となるガラステンプレートは、ファイバー型（ｆｉｂｅｒ ｔｙｐｅ）、テープ型（ｔａｐｅ ｔｙｐｅ）、または両面発光型の構造などの多様な形態を取りうる。
【００１９】
図１は本発明の一実施形態によるファイバー型の構造を有するガラステンプレートの断面概略図である。
【００２０】
図１を参照すると、本発明の一実施形態によるファイバー型のガラステンプレートは、シリカ層２０、シリカ層２０の外部および内部に位置する上部電極３１および下部電極３２、ならびに前記上部電極３１と前記下部電極３２との間に挿入されている発光材料４０を備える。
【００２１】
前記発光材料４０は、所定の間隔でガラステンプレートの孔に挿入されていることが好ましいが、前記発光材料４０の間隔は、これに限定されるものではない。
【００２２】
本発明による電界発光素子において、前記ファイバー型のガラステンプレートは、上部電極３１の外層上に保護膜５０をさらに含むことが好ましく、前記保護膜５０は、物理的衝撃からガラステンプレートを保護する役割を果たす。また、前記保護膜５０は、ファイバーから放出される光が通過できるように透明でなければならない。前記保護膜５０は、トリアセチルセルロース（Ｔｒｉａｃｅｔｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ；ＴＡＣ）、シリコンゴム、もしくはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などの透明なポリマー、またはシリカなどの無機物質などから形成されうる。
【００２３】
本発明による電界発光素子において、前記ファイバー型のガラステンプレートは、基板上に積層されていることが好ましい。前記基板は、ガラス、石英、シリコンウェハ、シリカ塗布基板、およびアルミナ塗布基板からなる群より選択されることが好ましいが、これらに限定されず、基板として使用可能なすべての材料から適宜選択されうる。
【００２４】
図２は本発明の一実施形態によるテープ型の構造を有するガラステンプレートの断面概略図である。
【００２５】
図２を参照すると、本発明の一実施形態によるテープ型のガラステンプレートは、シリカ層２０、シリカ層２０の上部および下部に位置する上部電極３１および下部電極３２、ならびに前記上部電極３１と前記下部電極３２との間に挿入されている発光材料４０を備える。
【００２６】
前記発光材料４０は、所定の間隔でガラステンプレートの孔に挿入されていることが好ましいが、前記発光材料４０の間隔は、これに限定されるものではない。
【００２７】
本発明による電界発光素子において、前記テープ型のガラステンプレートは、基板１０上に積層されている（図３参照）。前記基板１０は、ガラス、石英、シリコンウェハ、シリカ塗布基板、およびアルミナ塗布基板、およびアルミナ塗布基板からなる群より選択されることが好ましいが、これらに限定されず、基板として使用可能なすべての材料から適宜選択されうる。
【００２８】
また、ＩＴＯガラスを基板として用いる場合は、ＩＴＯガラスが下部電極３２の役割を果たすために、挿入された下部電極３２がない構造を有することも可能である。この際、上部電極３１をテープ型のガラステンプレートに対して垂直に配列させると、下部電極３２と対をなす部分が発光領域となるので、ディスプレイ素子の画素として形成させることができる。しかし、前記上部電極３１の構造は、これに限定されるものではない。
【００２９】
本発明による電界発光素子は、前記テープ型のガラステンプレートが上部電極３１の外層上に保護膜５０をさらに含むことが好ましく、前記保護膜５０は、物理的衝撃からガラステンプレートを保護する役割を果たす。前記保護膜５０は、トリアセチルセルロース（Ｔｒｉａｃｅｔｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ；ＴＡＣ）、シリコンゴム、もしくはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などの透明なポリマー、またはシリカなどの無機物質などから形成されうる。
【００３０】
図３は本発明の一実施形態による電界発光素子の断面概略図であり、基板１０上に、前記テープ型の構造を有するガラステンプレートが積層されている。
【００３１】
図３を参照すると、前記テープ型のガラステンプレートは、図２に示すようなテープ型のガラステンプレート４１の下部電極３２と発光材料（図示せず）との間に下部絶縁層６２が挿入されており、発光材料（図示せず）と上部電極３１との間には上部絶縁層６１が挿入されている構造を有する。
【００３２】
前記上部絶縁層６１および前記下部絶縁層６２は、ガラステンプレート自体に絶縁層が存在するため、形成されなくてもよく、または薄膜もしくは厚膜の誘電膜から形成されてもよいが、これらに限定されるものではない。
【００３３】
前記薄膜または厚膜の誘電膜は、シリカなどの透明で高い誘電率を有する物質から形成されうる。
【００３４】
図４は本発明の一実施形態による、両面発光型の構造を有するガラステンプレートの断面概略図である。
【００３５】
図４を参照すると、本発明の一実施形態による両面発光型のガラステンプレートは、シリカ層２０、シリカ層２０の上部および下部のそれぞれに配置される発光材料４０、および前記発光材料４０の間に配置される共通電極３３を備える。
【００３６】
前記発光材料４０は、所定の間隔でガラステンプレートの孔に挿入されていることが好ましいが、前記発光材料の間隔は、これに限定されるものではない。
【００３７】
本発明による電界発光素子において、前記両面発光型のガラステンプレートは基板１０上に積層される構造を有する（図３参照）。前記基板１０は、ガラス、ＩＴＯガラス、石英、シリコンウェハ、シリカ塗布基板、およびアルミナ塗布基板からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましいが、これらに限定されず、基板として使用可能なすべての材料から適宜選択されうる。
【００３８】
本発明による電界発光素子において、前記両面発光型のガラステンプレートは、その上層部および下層部に保護膜５０（図示せず）をさらに含むことが好ましく、前記保護膜５０は、物理的衝撃からガラステンプレートを保護する役割を果たす。前記保護膜５０は、トリアセチルセルロース（Ｔｒｉａｃｅｔｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ；ＴＡＣ）、シリコンゴム、もしくはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などの透明なポリマー、またはシリカなどの無機物質などから形成されうる。
【００３９】
シリカ（ｓｉｌｉｃａ）とは、天然に存在する様々なケイ酸塩中の成分としての酸化ケイ素（ＳｉＯ２）である。シリカは、石英、水晶、玉隋、瑪瑙、フリント（火打ち石）、ケイ砂、トリジマイト、またはクリストバライトなどから結晶形または非晶形として産出される。石英は、長石類に次いで豊富であり、地球上の様々なところに分布し、地殻の１２％を占める鉱物である。
【００４０】
本発明による電界発光素子のガラステンプレートの内部に、マトリックスとして充填されるシリカ層２０に使用されるシリカは、特に限定されるものではないが、石英、トリジマイト、クリストバライト、非晶質のガラス、または不純物を有するガラスであることが好ましい。
【００４１】
本発明による電界発光素子に使用される発光材料は、無機蛍光体、量子ドット、またはこれらの混合物を用いることができるが、これらに限定されるものではない。前記無機蛍光体および前記量子ドットは、緑色光、青色光、および赤色光を発光することができる。好ましくは１〜１０μｍサイズの無機蛍光体と、好ましくは１〜１０ｎｍサイズの量子ドットとを混合すると、無機蛍光体中の空間は、量子ドットで満たされる。したがって、薄い厚さの発光材料が使用されても、優れた発光効率を有する発光素子を製造することができる。
【００４２】
特に、緑色無機蛍光体および青色無機蛍光体は、それ自体が優れた発光効率を有するため、無機蛍光体のみが使用されうるが、３５０〜４５０ｎｍの範囲の発光効率が非常に低い赤色無機蛍光体の場合、無機蛍光体と量子ドットとが混合された発光材料を用いることにより、赤色無機蛍光体の発光効率を改良することができる。
【００４３】
前記無機蛍光体としては、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｌｉ２Ｍｇ（ＭｏＯ４）：Ｅｕ，Ｓｍ、（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、（ＳｒＭｇ）５ＰＯ４Ｃｌ：Ｅｕ、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ、およびこれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましいが、これらに限定されるものではない。
【００４４】
また、前記量子ドットは、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体ナノ結晶、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ナノ結晶、およびこれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましいが、これらに限定されるものではない。
【００４５】
本発明による電界発光素子において、上部電極３１の材料は、特に限定されるものではないが、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、およびイリジウム（Ｉｒ）などの導電性金属またはその酸化物を使用することが好ましい。
【００４６】
また、下部電極３２の材料は、特に限定されるものではないが、仕事関数の小さい金属、すなわち、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｃａ、Ｃａ／Ａｌ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、ＢａＦ２／Ｃａ、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、またはこれらの合金を使用することが好ましい。
【００４７】
本発明による電界発光素子は、発光素子を製造するための特別な装置または方法を必要とせず、一般的なガラステンプレートを用いた発光素子の製造方法によって製造されうる。
【００４８】
本発明の他の実施形態は、マトリックスとしてのシリカ層、電極、および発光材料を備えるガラステンプレートを含む電界発光素子を含む電子装置を提供する。
【００４９】
前記電子装置の例としては、ディスプレイ装置、照明用装置、またはバックライトユニットなどを挙げることができる。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例によって本発明をより詳細に説明する。しかし、下記実施例は、本発明を説明するためのものであり、本発明の技術的範囲を制限するものではない。
【００５１】
（実施例１：ファイバー型のガラステンプレートの製造）
図１に示すような構造の多孔性ガラステンプレートの中心部に下部電極であるＡｌ電極を形成した。ガラステンプレートの外部にＩＺＯを１００ｎｍの厚さで蒸着して上部電極を形成した。
【００５２】
前記上部電極と前記下部電極との間に位置している孔を通じて、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：ＥｕとＣｄＳとの混合物からなる発光材料を一定の間隔で挿入し、発光層を形成した後、上部電極の外層をＴＡＣでコートして保護膜を形成させてファイバー型のガラステンプレートを製造した。
【００５３】
（実施例２：テープ型のガラステンプレートの製造）
図２に示すような構造のガラステンプレートの下層部に、下部電極であるＡｌ電極を形成した。ガラステンプレートの上部にＩＺＯを１００ｎｍの厚さで蒸着して上部電極を形成した。前記上部電極と前記下部電極との間に位置している孔を通じて発光材料であるＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌを一定の間隔で挿入しテープ型のガラステンプレートを製造した。
【００５４】
（実施例３：両面発光型のガラステンプレートの製造）
図４に示す構造のガラステンプレートの中心部に、Ａｌで共通電極を形成した。前記共通電極の上部および下部に位置している孔を通じて、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：ＥｕとＣｄＳとの混合物からなる発光材料を一定の間隔で挿入し、発光層を形成して両面発光型のガラステンプレートを製造した。
【００５５】
（実施例４：電界発光素子の製造）
ＩＴＯがパターニングされている基板の上部に、前記実施例１で製造したファイバー型のガラステンプレートを配置し、電界発光素子を完成させた。
【００５６】
（実施例５：電界発光素子の製造）
ガラス基板上に、実施例２で製造したテープ型のガラステンプレートを配置し、電界発光素子を完成させた。
【００５７】
（実施例６：ディスプレイ装置の製造）
実施例５で上部電極を実施例２のように形成するとき、テープ型のガラステンプレートの長手方向に対して垂直にテープ型の上部電極を形成することにより、一対の電極がディスプレイ素子の単位画素として動作して発光するようにして、発光素子付きディスプレイ装置を製造した。
【００５８】
以上、具体的な実施例を挙げて本発明を詳細に説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲および思想から逸脱することなく、本発明における多様な応用や変更が可能であることは、当業者によって容易に理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施形態による、ファイバー型の構造を有するガラステンプレートの断面概略図である。
【図２】本発明の一実施形態による、テープ型の構造を有するガラステンプレートの断面概略図である。
【図３】本発明の一実施形態による、基板上にテープ型の構造を有するガラステンプレートが積層されている電界発光素子の概略図である。
【図４】本発明の一実施形態による、両面発光型の構造を有するガラステンプレートの断面概略図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０ 基板、
２０ シリカ層、
３１ 上部電極、
３２ 下部電極、
３３ 共通電極、
４０ 発光材料、
４１ 発光材料が挿入されたガラステンプレート、
５０ 保護膜、
６１ 上部絶縁層、
６２ 下部絶縁層。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界発光素子およびこれを含む電子装置に関し、さらに詳細には、マトリックスとしてのシリカ層、電極、発光材料を備えるガラステンプレートを含む電界発光素子、および前記電界発光素子を含む電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信技術の発達に伴い、高機能および高効率を有する光製品の需要が大きく増加している。発光素子の開発は１９９０年代から急速に進展してきている。
【０００３】
発光素子は、例えばディスプレイ（例えば、平面パネルディスプレイ）やスクリーン（例えば、コンピュータスクリーン）、照射を必要とする医療機器などの多様な光製品に適用されうる。よって、発光素子の高輝度、低い駆動電圧、および高効率は、これら製品の品質を決定する重要な特性となっている。
【０００４】
最近、発光効率を高めるための量子ドットディスプレイ（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ Ｄｉｓｐｌａｙ）についての研究も盛んに行われている。量子ドットディスプレイは、数ナノメートルサイズの半導体量子ドットを形成してトンネリング効果を用いて光を出す技術に基づいており、数ナノメートルの発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔ Ｄｉｏｄｅ）が高密度で分布し、それぞれのＬＥＤが光を発することにより発光効率を画期的に改善することができる。しかし、量子ドットディスプレイは、発光層から発生した光の多くが、基板または電極の表面で反射し素子内に閉じ込められるため、発光量が減少するという問題がある。
【０００５】
また、ナノワイヤーを用いて発光効率を高める方法の研究も行われているが、ナノワイヤーは、ナノメートル（１ｎｍ＝１０−９ｍ）スケールの直径を有し、長さが直径に比べて一層大きい数百ナノメートル、マイクロメートル（１μｍ＝１０−６ｍ）またはミリメートル（１ｍｍ＝１０−３ｍ）スケールを有する線形材料である。
【０００６】
前記ナノワイヤーは、小さいサイズであるため微細素子に多様に応用でき、所定の方向に電子の移動または偏光などの光学特性を示すため、好適である。
【０００７】
具体的には、前記のような電子の移動特性を有するナノワイヤーは、多重単一電子トランジスタ（Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｓｉｎｇｌｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ｍｕｌｔｉ−ＳＥＴ）などのナノ電子素子に応用され、前記のような光学特性を有するナノワイヤーは、表面プラズモンポラリトン特性を用いた光波伝送路、ナノ分析器、または癌の診断に用いられる超微細信号センサなどに応用されうる。
【０００８】
一般的なナノワイヤーの製造方法としては、例えば、化学気相成長（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）法、レーザーアブレーション（Ｌａｓｅｒ Ａｂｌａｔｉｏｎ）法、及びテンプレート(template)を用いる方法などがある。
【０００９】
上記の方法の中でも特に、テンプレートを用いる方法は、数ナノメートル〜数百ナノメートルサイズを有する孔を形成させ、この微細孔をナノワイヤーのテンプレートとして用いる方法である。例えば、テンプレート法は、アルミニウム電極を酸化させてその表面に酸化アルミニウムを形成し、前記酸化アルミニウムを電気化学的にエッチングしてナノサイズの孔を有するテンプレートを形成する。これを、金属イオンを含む溶液中に浸漬し、電圧をかけると、金属イオンが孔を通してアルミニウム電極上に蓄積され、その結果、前記孔は金属イオンで充たされる。その後、適切な方法を用いて酸化物を除去すると、金属ナノワイヤーのみが得られる。
【００１０】
テンプレートを用いたナノワイヤーの製造方法に関しては、基板上に触媒フィルムを形成し、その上部に多孔性層を形成し、熱処理によって孔内にチタンナノワイヤーを形成させる技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１１】
また、テンプレートを用いた量子ドット固体の製造方法に関して、テンプレート内に形成された孔に、コロイド性ナノ結晶を注入して熱処理によって量子ドット固体を形成する技術が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】米国特許第６，５２５，４６１号明細書
【特許文献２】米国特許第６，１３９，６２６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、前述のような従来のナノワイヤーの製造方法は、長い製造時間を必要とするため大量生産に適さないうえ、ナノワイヤーを用いた電界発光素子の場合、成長したナノワイヤーの直線性を確保することが難しく、ナノワイヤーの間の空間を他の物質で充填して電極を形成するため、工程が複雑になるという問題があった。
【００１３】
そこで、本発明は、製造工程が容易であり、空間を充填せずに構造が安定化されうる、ガラステンプレートを含む電界発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明は、マトリックスとしてのシリカ層、電極、および発光材料を備えるガラステンプレートを含む、電界発光素子を提供する。
【００１５】
また、本発明は、マトリックスとしてのシリカ層、電極、および発光材料を備えるガラステンプレートを含む電界発光素子を含む電子装置を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、製造工程が容易であり、空間を充填せずに構造が安定化されうる、ガラステンプレートを含む電界発光素子が提供されうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付した図面を参照しながら、本発明をさらに詳細に説明する。
【００１８】
本発明の一実施形態による電界発光素子の構成要素となるガラステンプレートは、ファイバー型（ｆｉｂｅｒ ｔｙｐｅ）、テープ型（ｔａｐｅ ｔｙｐｅ）、または両面発光型の構造などの多様な形態を取りうる。
【００１９】
図１は本発明の一実施形態によるファイバー型の構造を有するガラステンプレートの断面概略図である。
【００２０】
図１を参照すると、本発明の一実施形態によるファイバー型のガラステンプレートは、シリカ層２０、シリカ層２０の外部および内部に位置する上部電極３１および下部電極３２、ならびに前記上部電極３１と前記下部電極３２との間に挿入されている発光材料４０を備える。
【００２１】
前記発光材料４０は、所定の間隔でガラステンプレートの孔に挿入されていることが好ましいが、前記発光材料４０の間隔は、これに限定されるものではない。
【００２２】
本発明による電界発光素子において、前記ファイバー型のガラステンプレートは、上部電極３１の外層上に保護膜５０をさらに含むことが好ましく、前記保護膜５０は、物理的衝撃からガラステンプレートを保護する役割を果たす。また、前記保護膜５０は、ファイバーから放出される光が通過できるように透明でなければならない。前記保護膜５０は、トリアセチルセルロース（Ｔｒｉａｃｅｔｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ；ＴＡＣ）、シリコンゴム、もしくはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などの透明なポリマー、またはシリカなどの無機物質などから形成されうる。
【００２３】
本発明による電界発光素子において、前記ファイバー型のガラステンプレートは、基板上に積層されていることが好ましい。前記基板は、ガラス、石英、シリコンウェハ、シリカ塗布基板、およびアルミナ塗布基板からなる群より選択されることが好ましいが、これらに限定されず、基板として使用可能なすべての材料から適宜選択されうる。
【００２４】
図２は本発明の一実施形態によるテープ型の構造を有するガラステンプレートの断面概略図である。
【００２５】
図２を参照すると、本発明の一実施形態によるテープ型のガラステンプレートは、シリカ層２０、シリカ層２０の上部および下部に位置する上部電極３１および下部電極３２、ならびに前記上部電極３１と前記下部電極３２との間に挿入されている発光材料４０を備える。
【００２６】
前記発光材料４０は、所定の間隔でガラステンプレートの孔に挿入されていることが好ましいが、前記発光材料４０の間隔は、これに限定されるものではない。
【００２７】
本発明による電界発光素子において、前記テープ型のガラステンプレートは、基板１０上に積層されている（図３参照）。前記基板１０は、ガラス、石英、シリコンウェハ、シリカ塗布基板、およびアルミナ塗布基板、およびアルミナ塗布基板からなる群より選択されることが好ましいが、これらに限定されず、基板として使用可能なすべての材料から適宜選択されうる。
【００２８】
また、ＩＴＯガラスを基板として用いる場合は、ＩＴＯガラスが下部電極３２の役割を果たすために、挿入された下部電極３２がない構造を有することも可能である。この際、上部電極３１をテープ型のガラステンプレートに対して垂直に配列させると、下部電極３２と対をなす部分が発光領域となるので、ディスプレイ素子の画素として形成させることができる。しかし、前記上部電極３１の構造は、これに限定されるものではない。
【００２９】
本発明による電界発光素子は、前記テープ型のガラステンプレートが上部電極３１の外層上に保護膜５０をさらに含むことが好ましく、前記保護膜５０は、物理的衝撃からガラステンプレートを保護する役割を果たす。前記保護膜５０は、トリアセチルセルロース（Ｔｒｉａｃｅｔｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ；ＴＡＣ）、シリコンゴム、もしくはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などの透明なポリマー、またはシリカなどの無機物質などから形成されうる。
【００３０】
図３は本発明の一実施形態による電界発光素子の断面概略図であり、基板１０上に、前記テープ型の構造を有するガラステンプレートが積層されている。
【００３１】
図３を参照すると、前記テープ型のガラステンプレートは、図２に示すようなテープ型のガラステンプレート４１の下部電極３２と発光材料（図示せず）との間に下部絶縁層６２が挿入されており、発光材料（図示せず）と上部電極３１との間には上部絶縁層６１が挿入されている構造を有する。
【００３２】
前記上部絶縁層６１および前記下部絶縁層６２は、ガラステンプレート自体に絶縁層が存在するため、形成されなくてもよく、または薄膜もしくは厚膜の誘電膜から形成されてもよいが、これらに限定されるものではない。
【００３３】
前記薄膜または厚膜の誘電膜は、シリカなどの透明で高い誘電率を有する物質から形成されうる。
【００３４】
図４は本発明の一実施形態による、両面発光型の構造を有するガラステンプレートの断面概略図である。
【００３５】
図４を参照すると、本発明の一実施形態による両面発光型のガラステンプレートは、シリカ層２０、シリカ層２０の上部および下部のそれぞれに配置される発光材料４０、および前記発光材料４０の間に配置される共通電極３３を備える。
【００３６】
前記発光材料４０は、所定の間隔でガラステンプレートの孔に挿入されていることが好ましいが、前記発光材料の間隔は、これに限定されるものではない。
【００３７】
本発明による電界発光素子において、前記両面発光型のガラステンプレートは基板１０上に積層される構造を有する（図３参照）。前記基板１０は、ガラス、ＩＴＯガラス、石英、シリコンウェハ、シリカ塗布基板、およびアルミナ塗布基板からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましいが、これらに限定されず、基板として使用可能なすべての材料から適宜選択されうる。
【００３８】
本発明による電界発光素子において、前記両面発光型のガラステンプレートは、その上層部および下層部に保護膜５０（図示せず）をさらに含むことが好ましく、前記保護膜５０は、物理的衝撃からガラステンプレートを保護する役割を果たす。前記保護膜５０は、トリアセチルセルロース（Ｔｒｉａｃｅｔｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ；ＴＡＣ）、シリコンゴム、もしくはポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などの透明なポリマー、またはシリカなどの無機物質などから形成されうる。
【００３９】
シリカ（ｓｉｌｉｃａ）とは、天然に存在する様々なケイ酸塩中の成分としての酸化ケイ素（ＳｉＯ２）である。シリカは、石英、水晶、玉隋、瑪瑙、フリント（火打ち石）、ケイ砂、トリジマイト、またはクリストバライトなどから結晶形または非晶形として産出される。石英は、長石類に次いで豊富であり、地球上の様々なところに分布し、地殻の１２％を占める鉱物である。
【００４０】
本発明による電界発光素子のガラステンプレートの内部に、マトリックスとして充填されるシリカ層２０に使用されるシリカは、特に限定されるものではないが、石英、トリジマイト、クリストバライト、非晶質のガラス、または不純物を有するガラスであることが好ましい。
【００４１】
本発明による電界発光素子に使用される発光材料は、無機蛍光体、量子ドット、またはこれらの混合物を用いることができるが、これらに限定されるものではない。前記無機蛍光体および前記量子ドットは、緑色光、青色光、および赤色光を発光することができる。好ましくは１〜１０μｍサイズの無機蛍光体と、好ましくは１〜１０ｎｍサイズの量子ドットとを混合すると、無機蛍光体中の空間は、量子ドットで満たされる。したがって、薄い厚さの発光材料が使用されても、優れた発光効率を有する発光素子を製造することができる。
【００４２】
特に、緑色無機蛍光体および青色無機蛍光体は、それ自体が優れた発光効率を有するため、無機蛍光体のみが使用されうるが、３５０〜４５０ｎｍの範囲の発光効率が非常に低い赤色無機蛍光体の場合、無機蛍光体と量子ドットとが混合された発光材料を用いることにより、赤色無機蛍光体の発光効率を改良することができる。
【００４３】
前記無機蛍光体としては、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｌｉ２Ｍｇ（ＭｏＯ４）：Ｅｕ，Ｓｍ、（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、（ＳｒＭｇ）５ＰＯ４Ｃｌ：Ｅｕ、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ、およびこれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましいが、これらに限定されるものではない。
【００４４】
また、前記量子ドットは、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体ナノ結晶、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓなどのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ナノ結晶、およびこれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましいが、これらに限定されるものではない。
【００４５】
本発明による電界発光素子において、上部電極３１の材料は、特に限定されるものではないが、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、およびイリジウム（Ｉｒ）などの導電性金属またはその酸化物を使用することが好ましい。
【００４６】
また、下部電極３２の材料は、特に限定されるものではないが、仕事関数の小さい金属、すなわち、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｃａ、Ｃａ／Ａｌ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、ＢａＦ２／Ｃａ、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、またはこれらの合金を使用することが好ましい。
【００４７】
本発明による電界発光素子は、発光素子を製造するための特別な装置または方法を必要とせず、一般的なガラステンプレートを用いた発光素子の製造方法によって製造されうる。
【００４８】
本発明の他の実施形態は、マトリックスとしてのシリカ層、電極、および発光材料を備えるガラステンプレートを含む電界発光素子を含む電子装置を提供する。
【００４９】
前記電子装置の例としては、ディスプレイ装置、照明用装置、またはバックライトユニットなどを挙げることができる。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例によって本発明をより詳細に説明する。しかし、下記実施例は、本発明を説明するためのものであり、本発明の技術的範囲を制限するものではない。
【００５１】
（実施例１：ファイバー型のガラステンプレートの製造）
図１に示すような構造の多孔性ガラステンプレートの中心部に下部電極であるＡｌ電極を形成した。ガラステンプレートの外部にＩＺＯを１００ｎｍの厚さで蒸着して上部電極を形成した。
【００５２】
前記上部電極と前記下部電極との間に位置している孔を通じて、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：ＥｕとＣｄＳとの混合物からなる発光材料を一定の間隔で挿入し、発光層を形成した後、上部電極の外層をＴＡＣでコートして保護膜を形成させてファイバー型のガラステンプレートを製造した。
【００５３】
（実施例２：テープ型のガラステンプレートの製造）
図２に示すような構造のガラステンプレートの下層部に、下部電極であるＡｌ電極を形成した。ガラステンプレートの上部にＩＺＯを１００ｎｍの厚さで蒸着して上部電極を形成した。前記上部電極と前記下部電極との間に位置している孔を通じて発光材料であるＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌを一定の間隔で挿入しテープ型のガラステンプレートを製造した。
【００５４】
（実施例３：両面発光型のガラステンプレートの製造）
図４に示す構造のガラステンプレートの中心部に、Ａｌで共通電極を形成した。前記共通電極の上部および下部に位置している孔を通じて、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：ＥｕとＣｄＳとの混合物からなる発光材料を一定の間隔で挿入し、発光層を形成して両面発光型のガラステンプレートを製造した。
【００５５】
（実施例４：電界発光素子の製造）
ＩＴＯがパターニングされている基板の上部に、前記実施例１で製造したファイバー型のガラステンプレートを配置し、電界発光素子を完成させた。
【００５６】
（実施例５：電界発光素子の製造）
ガラス基板上に、実施例２で製造したテープ型のガラステンプレートを配置し、電界発光素子を完成させた。
【００５７】
（実施例６：ディスプレイ装置の製造）
実施例５で上部電極を実施例２のように形成するとき、テープ型のガラステンプレートの長手方向に対して垂直にテープ型の上部電極を形成することにより、一対の電極がディスプレイ素子の単位画素として動作して発光するようにして、発光素子付きディスプレイ装置を製造した。
【００５８】
以上、具体的な実施例を挙げて本発明を詳細に説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲および思想から逸脱することなく、本発明における多様な応用や変更が可能であることは、当業者によって容易に理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施形態による、ファイバー型の構造を有するガラステンプレートの断面概略図である。
【図２】本発明の一実施形態による、テープ型の構造を有するガラステンプレートの断面概略図である。
【図３】本発明の一実施形態による、基板上にテープ型の構造を有するガラステンプレートが積層されている電界発光素子の概略図である。
【図４】本発明の一実施形態による、両面発光型の構造を有するガラステンプレートの断面概略図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０ 基板、
２０ シリカ層、
３１ 上部電極、
３２ 下部電極、
３３ 共通電極、
４０ 発光材料、
４１ 発光材料が挿入されたガラステンプレート、
５０ 保護膜、
６１ 上部絶縁層、
６２ 下部絶縁層。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリックスとしてのシリカ層、電極、および発光材料を備えるガラステンプレートを含むことを特徴とする、電界発光素子。
【請求項２】
前記ガラステンプレートが上部電極の外層上に保護膜をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の電界発光素子。
【請求項３】
基板上に前記ガラステンプレートが積層されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の電界発光素子。
【請求項４】
前記基板は、ガラス、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）ガラス、石英、シリコンウェハ、シリカ塗布基板、およびアルミナ塗布基板からなる群より選択されることを特徴とする、請求項３に記載の電界発光素子。
【請求項５】
前記ガラステンプレートは、ファイバー型、テープ型、および両面発光型からなる群より選択されるいずれか１つの構造を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電界発光素子。
【請求項６】
前記ファイバー型のガラステンプレートは、
シリカ層と、
前記シリカ層の外部および内部にそれぞれ位置する上部電極および下部電極と、
前記上部電極と前記下部電極との間に挿入されている発光材料と、
を含むことを特徴とする、請求項５に記載の電界発光素子。
【請求項７】
前記ファイバー型のガラステンプレートが、前記上部電極の外層上に保護膜をさらに含むことを特徴とする、請求項６に記載の電界発光素子。
【請求項８】
前記発光材料が所定の間隔でガラステンプレートの孔内に挿入されていることを特徴とする、請求項６または７に記載の電界発光素子。
【請求項９】
基板上に前記ファイバー型のガラステンプレートが積層されていることを特徴とする、請求項６〜８のいずれか１項に記載の電界発光素子。
【請求項１０】
前記基板は、ガラス、ＩＴＯガラス、石英、シリコンウェハ、シリカ塗布基板、およびアルミナ塗布基板からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項９に記載の電界発光素子。
【請求項１１】
前記テープ型のガラステンプレートは、
シリカ層と、
シリカ層の上部および下部にそれぞれ位置する上部電極および下部電極と、
前記上部電極と前記下部電極との間に挿入されている発光材料と、
を含むことを特徴とする、請求項５に記載の電界発光素子。
【請求項１２】
前記テープ型のガラステンプレートが、前記上部電極の外層上に保護膜をさらに含むことを特徴とする、請求項１１に記載の電界発光素子。
【請求項１３】
前記発光材料が所定の間隔でガラステンプレートの孔内に挿入されていることを特徴とする、請求項１１または１２に記載の電界発光素子。
【請求項１４】
基板上に前記テープ型のガラステンプレートが積層されていることを特徴とする、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の電界発光素子。
【請求項１５】
前記基板は、ガラス、ＩＴＯガラス、石英、シリコンウェハ、シリカ塗布基板、およびアルミナ塗布基板からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１４に記載の電界発光素子。
【請求項１６】
前記テープ型のガラステンプレートが、前記下部電極と前記発光材料との間に位置する下部絶縁層、および前記発光材料と前記上部電極との間に位置する上部絶縁層をさらに含む内挿されていることを特徴とする、請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の電界発光素子。
【請求項１７】
前記上部絶縁層および前記下部絶縁層が、薄膜または厚膜の誘電膜であることを特徴とする、請求項１６に記載の電界発光素子。
【請求項１８】
前記両面発光型のガラステンプレートは、
シリカ層と、
前記シリカ層の上部および下部にそれぞれ挿入されている発光材料と、
前記発光材料の間に位置する共通電極と、
を含むことを特徴とする、請求項５に記載の電界発光素子。
【請求項１９】
前記両面発光型のガラステンプレートが上部表面および下部表面に位置する保護膜をさらに含むことを特徴とする、請求項１８に記載の電界発光素子。
【請求項２０】
前記発光材料が、所定の間隔でガラステンプレートの孔内に挿入されていることを特徴とする、請求項１８または１９に記載の電界発光素子。
【請求項２１】
基板上に前記両面発光型のガラステンプレートが積層されていることを特徴とする、請求項１８〜２０のいずれか１項に記載の電界発光素子。
【請求項２２】
前記基板は、ガラス、ＩＴＯガラス、石英、シリコンウェハ、シリカ塗布基板、およびアルミナ塗布基板からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項２１に記載の電界発光素子。
【請求項２３】
前記発光材料は、無機蛍光体、量子ドット、およびこれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の電界発光素子。
【請求項２４】
前記発光材料が前記無機蛍光体中の空間を量子ドットで満たすことによって得られることを特徴とする、請求項２３に記載の電界発光素子。
【請求項２５】
前記無機蛍光体の大きさが１〜１０μｍであり、前記量子ドットの大きさが１〜１０ｎｍであることを特徴とする、請求項２３または２４に記載の電界発光素子。
【請求項２６】
前記無機蛍光体は、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｌｉ２Ｍｇ（ＭｏＯ４）：Ｅｕ，Ｓｍ、（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、（ＳｒＭｇ）５ＰＯ４Ｃｌ：Ｅｕ、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ、およびこれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項２３〜２５のいずれか１項に記載の電界発光素子。
【請求項２７】
前記量子ドットは、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体ナノ結晶、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ナノ結晶、およびこれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項２３〜２６のいずれか１項に記載の電界発光素子。
【請求項２８】
マトリックスとしてのシリカ層、電極、および発光材料を備えるガラステンプレートを含む電界発光素子を含む電子装置。
【請求項２９】
前記電子装置は、ディスプレイ装置、照明用装置、およびバックライトユニットからなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項２８に記載の電子装置。
【請求項１】
マトリックスとしてのシリカ層、電極、および発光材料を備えるガラステンプレートを含むことを特徴とする、電界発光素子。
【請求項２】
前記ガラステンプレートが上部電極の外層上に保護膜をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の電界発光素子。
【請求項３】
基板上に前記ガラステンプレートが積層されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の電界発光素子。
【請求項４】
前記基板は、ガラス、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）ガラス、石英、シリコンウェハ、シリカ塗布基板、およびアルミナ塗布基板からなる群より選択されることを特徴とする、請求項３に記載の電界発光素子。
【請求項５】
前記ガラステンプレートは、ファイバー型、テープ型、および両面発光型からなる群より選択されるいずれか１つの構造を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電界発光素子。
【請求項６】
前記ファイバー型のガラステンプレートは、
シリカ層と、
前記シリカ層の外部および内部にそれぞれ位置する上部電極および下部電極と、
前記上部電極と前記下部電極との間に挿入されている発光材料と、
を含むことを特徴とする、請求項５に記載の電界発光素子。
【請求項７】
前記ファイバー型のガラステンプレートが、前記上部電極の外層上に保護膜をさらに含むことを特徴とする、請求項６に記載の電界発光素子。
【請求項８】
前記発光材料が所定の間隔でガラステンプレートの孔内に挿入されていることを特徴とする、請求項６または７に記載の電界発光素子。
【請求項９】
基板上に前記ファイバー型のガラステンプレートが積層されていることを特徴とする、請求項６〜８のいずれか１項に記載の電界発光素子。
【請求項１０】
前記基板は、ガラス、ＩＴＯガラス、石英、シリコンウェハ、シリカ塗布基板、およびアルミナ塗布基板からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項９に記載の電界発光素子。
【請求項１１】
前記テープ型のガラステンプレートは、
シリカ層と、
シリカ層の上部および下部にそれぞれ位置する上部電極および下部電極と、
前記上部電極と前記下部電極との間に挿入されている発光材料と、
を含むことを特徴とする、請求項５に記載の電界発光素子。
【請求項１２】
前記テープ型のガラステンプレートが、前記上部電極の外層上に保護膜をさらに含むことを特徴とする、請求項１１に記載の電界発光素子。
【請求項１３】
前記発光材料が所定の間隔でガラステンプレートの孔内に挿入されていることを特徴とする、請求項１１または１２に記載の電界発光素子。
【請求項１４】
基板上に前記テープ型のガラステンプレートが積層されていることを特徴とする、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の電界発光素子。
【請求項１５】
前記基板は、ガラス、ＩＴＯガラス、石英、シリコンウェハ、シリカ塗布基板、およびアルミナ塗布基板からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１４に記載の電界発光素子。
【請求項１６】
前記テープ型のガラステンプレートが、前記下部電極と前記発光材料との間に位置する下部絶縁層、および前記発光材料と前記上部電極との間に位置する上部絶縁層をさらに含む内挿されていることを特徴とする、請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の電界発光素子。
【請求項１７】
前記上部絶縁層および前記下部絶縁層が、薄膜または厚膜の誘電膜であることを特徴とする、請求項１６に記載の電界発光素子。
【請求項１８】
前記両面発光型のガラステンプレートは、
シリカ層と、
前記シリカ層の上部および下部にそれぞれ挿入されている発光材料と、
前記発光材料の間に位置する共通電極と、
を含むことを特徴とする、請求項５に記載の電界発光素子。
【請求項１９】
前記両面発光型のガラステンプレートが上部表面および下部表面に位置する保護膜をさらに含むことを特徴とする、請求項１８に記載の電界発光素子。
【請求項２０】
前記発光材料が、所定の間隔でガラステンプレートの孔内に挿入されていることを特徴とする、請求項１８または１９に記載の電界発光素子。
【請求項２１】
基板上に前記両面発光型のガラステンプレートが積層されていることを特徴とする、請求項１８〜２０のいずれか１項に記載の電界発光素子。
【請求項２２】
前記基板は、ガラス、ＩＴＯガラス、石英、シリコンウェハ、シリカ塗布基板、およびアルミナ塗布基板からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項２１に記載の電界発光素子。
【請求項２３】
前記発光材料は、無機蛍光体、量子ドット、およびこれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の電界発光素子。
【請求項２４】
前記発光材料が前記無機蛍光体中の空間を量子ドットで満たすことによって得られることを特徴とする、請求項２３に記載の電界発光素子。
【請求項２５】
前記無機蛍光体の大きさが１〜１０μｍであり、前記量子ドットの大きさが１〜１０ｎｍであることを特徴とする、請求項２３または２４に記載の電界発光素子。
【請求項２６】
前記無機蛍光体は、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｌｉ２Ｍｇ（ＭｏＯ４）：Ｅｕ，Ｓｍ、（Ｂａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、（ＳｒＭｇ）５ＰＯ４Ｃｌ：Ｅｕ、ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２７：Ｅｕ、およびこれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項２３〜２５のいずれか１項に記載の電界発光素子。
【請求項２７】
前記量子ドットは、ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体ナノ結晶、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ナノ結晶、およびこれらの混合物からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項２３〜２６のいずれか１項に記載の電界発光素子。
【請求項２８】
マトリックスとしてのシリカ層、電極、および発光材料を備えるガラステンプレートを含む電界発光素子を含む電子装置。
【請求項２９】
前記電子装置は、ディスプレイ装置、照明用装置、およびバックライトユニットからなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする、請求項２８に記載の電子装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００７−２８７６６２（Ｐ２００７−２８７６６２Ａ）
【公開日】平成１９年１１月１日（２００７．１１．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−４５９５０（Ｐ２００７−４５９５０）
【出願日】平成１９年２月２６日（２００７．２．２６）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１１月１日（２００７．１１．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年２月２６日（２００７．２．２６）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【Ｆターム（参考）】
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