【課題】輝度を落とすことなく表面防汚機能や室内の空気浄化性能が高く、さらに長期保存時にも輝度低下や膜物性が劣化することがないエレクトロルミネッセンス照明装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】エレクトロルミネッセンス素子を用いた照明装置の最表面に、平均深さ５ｎｍ〜３００ｎｍ、平均周期１０ｎｍ〜３００ｎｍの凹凸形状を持つ光触媒層１０９を設けたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス照明装置。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜の被形成面近傍に含まれる不純物の濃度を低減する。また、酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記ゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜における、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域において、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さく、少なくとも第１の領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５上にシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン層９１０が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６には、バリア層として機能する酸化シリコン層９０９を介して、窒化シリコン層９１０が設けられる。そのため、酸化物半導体層９０５には、酸化物半導体層９０６よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５の抵抗値が、薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６の抵抗値よりも低くなる。 （もっと読む）

【課題】高い開口率を有し、安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼
性のよい表示装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と、表示部（画素部ともいう）とを有し、当該駆動
回路部は、ソース電極及びドレイン電極が金属によって構成され且つチャネル層が酸化物
半導体によって構成された駆動回路用薄膜トランジスタと、金属によって構成された駆動
回路用配線とを有し、当該表示部は、ソース電極層及びドレイン電極層が酸化物導電体に
よって構成され且つ半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用薄膜トランジスタ
と、酸化物導電体によって構成された表示部用配線とを有する。 （もっと読む）

【課題】ホログラムを用いたホログラムシートにおいて、その真正性を高めるために、照明光と同一の波長のホログラム再生像を再生するホログラムとは異なり、電圧を印加することで、照明光とは異なる波長のホログラム再生をする新規なホログラムシートを提供する。
【解決手段】ホログラム形成層２上にエレクトロルミネッセンス素子層３及び、全反射性薄膜４を設け、そのエレクトロルミネッセンス素子層３及び、全反射性薄膜層４が、ホログラムレリーフの形状を有することで、通常照明光下では通常のホログラムシートＡとしか認識できないホログラムシートＡに、所定の電圧を印加したときに、空間にその所定の波長のホログラムが浮き上がり、このことによって、そのホログラムが真正品であると判定可能な、偽造防止性の高いホログラムシートＡ。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加
する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有す
るＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大する
という問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少
なくとも一部の回路を、酸化物半導体を用いた逆スタガ型薄膜トランジスタで構成する。
同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 （もっと読む）

【課題】シフトレジスタなどに用いられる新規な回路を提供する。
【解決手段】基本構成は、第１のトランジスタ〜第４のトランジスタと、第１の配線〜第
４の配線を有する。第１の配線には電源電位ＶＤＤが供給され、第２の配線には電源電位
ＶＳＳが供給されている。第３の配線、第４の配線には２値の値を持つデジタル信号が供
給される。このデジタル信号は、高レベルのときには電源電位ＶＤＤと同電位となり、低
レベルのときには電源電位ＶＳＳと同電位である。第３の配線と第４の配線の電位の組み
合わせは４とおりあるが、第１のトランジスタ〜第４トランジスタは、いずれかの電位の
組み合わせによりオフさせることができる。つまり、定常的にオン状態となるトランジス
タがないため、トランジスタの特性劣化が抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第１の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成し、該酸化物半導体膜に酸素を導入して少なくとも一部を非晶質化し酸素を過剰に含む非晶質酸化物半導体膜を形成する。該非晶質酸化物半導体膜上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体膜の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第２の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成する。 （もっと読む）

【課題】既存のシリコン集積回路との親和性の高い薄層シリコン層を用いた発光素子で、発光波長が変更できるようにする。
【解決手段】この半導体発光素子は、シリコンから構成されて量子効果が示される範囲の層厚とされた発光層１０１と、発光層１０１にキャリアを注入するキャリア注入部１０２と、発光層１０１に印加する電界を制御する電界制御部１０３とを備える。こ半導体発光素子では、キャリア注入部１０２によりキャリアを注入することで発光する発光層１０１に、電界制御部１０３により任意の電界を印加し、量子閉じ込めシュタルク効果（ＱＣＳＥ）を生じさせることで、発光と同時に発光波長の変調を行う。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく
作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタ
を有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜を形成す
る。酸化物半導体層を減圧されたチャンバー内に導入後、窒素雰囲気下で加熱処理工程、
プラズマ（少なくとも酸素プラズマを含む）の導入工程を行い、成膜ガスを導入して酸化
物絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧の変動を抑制し、表示パネルに実装するドライバＩＣの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化し、表示装置の大型化又は高精細化するための技術を提供する。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極に、オンしたトランジスタを介して信号を入力することで、劣化しやすいトランジスタのしきい値電圧のシフト及びオンしたトランジスタのしきい値電圧のシフトを抑制するものである。すなわち、高電位（ＶＤＤ）がゲート電極に印加されているトランジスタを介して（若しくは抵抗成分を持つ素子を介して）、交流パルスを劣化しやすいトランジスタのゲート電極に加える構成を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】電圧の印加に伴う発熱が抑制された発光装置を提供する。
【解決手段】本発明の発光装置は、半導体層と、第１電極と、前記半導体層と第１電極とに挟まれた誘電体層と、前記半導体層の中、前記誘電体層の中、前記半導体層と前記誘電体層との間、または第１電極と前記誘電体層との間に形成された発光体とを含む発光素子と、前記半導体層と第１電極との間に電圧を印加するための電源回路とを備え、前記発光素子は、前記半導体層を正極とし第１電極を負極として前記誘電体層に電流を流した場合および前記半導体層を負極とし第１電極を正極として前記誘電体層に電流を流した場合のうち、一方の場合では電流を流すと発光するのに対し、他方の場合では電流を流しても実質的に発光せず、前記電源回路は、向きが一定の電流が発光を伴い前記誘電体層を流れるように前記発光素子と電気的に接続することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板とＦＰＣとの貼り合わせにおいて、接続端子の電極（パッド）の線幅方向に位置ずれが生じると、ＦＰＣ端子と接続端子との接続面積が小さくなり、接触抵抗が大きくなってしまう。とくに、電源の電源電位が入力されている接続端子での接触抵抗の増加は表示不良の原因となる。そこで、電源供給ラインの抵抗を小さくし、電源供給ラインでの電圧降下を抑制し、表示不良を防止することを課題とする。
【解決手段】接続端子部には、複数の接続端子を有し、該複数の接続端子は、それぞれ接続端子の一部を成す接続パッドを備え、該複数の接続パッドには、第１の接続パッドと、該第１の接続パッドと線幅の異なる第２の接続パッドが含まれ、複数の接続パッドのピッチは等しくする。 （もっと読む）

【課題】熱や圧力が印加される環境や、曲がった部材の一部の発光部として用いることが可能で、且つ構造が簡単で安価に画像が表示できる無機ＥＬ発光素子、樹脂成形品、転写シート、及びこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】複数の色層３１，３２，３３により表示パターンを形成した色印刷層（３１，３２，３３）と、この色印刷層（３１，３２，３３）を透過する光を出射し、複数の色層３１，３２，３３により表示パターンの画像を表示させる無機蛍光体層１３と、光を出射させるために、無機蛍光体層１３を発光させる電界を、無機蛍光体層１３に印加する電界印加手段（１２，１４，１５，１６）とを備える。 （もっと読む）

【課題】下部電極上に、酸化物ぺロブスカイト薄膜からなる絶縁層／発光層／絶縁層を作製し、その上に上部電極が作製されたぺロブスカイト型酸化物薄膜EL素子によって、ディスプレイ作成の基礎となる波長610nm近傍の赤色発光を得ること。
【解決手段】単結晶研磨基板からなる下部電極1と、下部電極1上に成膜された誘電体である酸化物ペロブスカイト薄膜からなる下部絶縁層2と、下部絶縁層2上に成膜された酸化物ペロブスカイト薄膜からなる発光層3と、発光層3上に成膜された誘電体である酸化物ペロブスカイト薄膜からなる上部絶縁層4と、上部絶縁層4上に成膜された透明な上部電極5とからなることを特徴とする酸化物ぺロブスカイト薄膜ＥＬ素子である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程において、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による脱水化または脱水素化処理及び酸素ドープ処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は蛍光体の製造に関して、従来高温長時間の焼成法や、高温の水を介して製造する水熱法などによる複雑なプロセスを改善し、簡便で迅速な製造法を提供することを目的とする。また従来の無機ＥＬ素子の高価格と高電圧駆動である課題を解決するものであり、高輝度・低電圧駆動のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ウルツアイト構造を中心とする硫化亜鉛を粉砕して機械的構造欠陥を導入し、これに賦活材を含む混合物を母材とし、減圧下でマイクロ波を照射加熱する熱触媒法による、励起発光性の蛍光体の製造方法、及びその蛍光体用いたエレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑えながら、発光輝度の高い分散型無機ＥＬ素子を製造する。
【解決手段】誘電体スラリー４ｂをシート化した誘電体グリーンシート４ａをセラミック基板１０２上に配置した状態で、当該グリーンシート４ａを高温焼成することによって厚膜誘電体シート４を作製した後、その厚膜誘電体シート４をセラミック基板１０２から剥離し、その剥離した厚膜誘電体シート４を用いて分散型無機ＥＬ素子する。このように誘電体層として用いる厚膜誘電体シートを個別に作製することにより、厚膜誘電体シートを素子基板の耐熱温度よりも高い温度で焼成することが可能になるので、低コストで誘電体層（厚膜誘電体シート）の誘電率を高くすることができ、発光輝度の向上を図ることができる。 （もっと読む）