【課題】半導体装置の開口率を向上することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に第１の薄膜トランジスタを有する画素部と第２の薄膜トランジ
スタを有する駆動回路を有し、画素部の薄膜トランジスタは、ゲート電極層、ゲート絶縁
層、膜厚の薄い領域を周縁に有する酸化物半導体層、酸化物半導体層の一部と接する酸化
物絶縁層、ソース電極層及びドレイン電極層、及び画素電極層とを有し、第１の薄膜トラ
ンジスタのゲート電極層、ゲート絶縁層、酸化物半導体層、ソース電極層、ドレイン電極
層、酸化物絶縁層、及び画素電極層は透光性を有し、駆動回路部の薄膜トランジスタのソ
ース電極層及びドレイン電極層は、保護絶縁層で覆われ、画素部のソース電極層及びドレ
イン電極層よりも低抵抗の導電材料である半導体装置を提供する。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた薄膜トランジスタは、
前記基板上に設けられたゲート電極層と、
前記ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の一部と接するように設けられた酸化物絶縁層と、
前記酸化物半導体層上に設けられたソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記酸化物半導体層、及び前記酸化物絶縁層は透光性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層は、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と重なる高抵抗ドレイン領域を有し、
前記高抵抗ドレイン領域は、前記薄膜トランジスタのチャネル形成領域よりも低抵抗であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記酸化物半導体層は、周縁に膜厚の薄い領域を有することを特徴とする半導体装置。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１】

【図３２】

【図３３】

【図３４】

【図３５】

【図３６】

【図３７】

【図３８】

【公開番号】特開２０１２−１３４５２０（Ｐ２０１２−１３４５２０Ａ）
【公開日】平成２４年７月１２日（２０１２．７．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２９５３１（Ｐ２０１２−２９５３１）
【出願日】平成２４年２月１４日（２０１２．２．１４）
【分割の表示】特願２０１０−１５９２９９（Ｐ２０１０−１５９２９９）の分割
【原出願日】平成２２年７月１４日（２０１０．７．１４）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】