静電容量式入力装置および静電容量式入力装置における導電体の接近位置の計算方法
【課題】誤作動の発生を抑制することができる静電容量式入力装置、および導電体の接近位置の計算方法を提供する。
【解決手段】方向ｘに配列され方向ｙに延びる複数の第１検出電極Ｅｘiと、方向ｙに配列され且つ方向ｘに延びる複数の第２検出電極Ｅｙjと、導電体と各Ｅｘiとの間の静電容量の変化に伴い各Ｅｘiを介して得られる値をそれぞれ複数の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）として記憶し、且つ、導電体と各Ｅｙjとの間の静電容量の変化に伴い各Ｅｙjを介して得られる値をそれぞれ複数の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）として記憶する記憶手段９１と、計算部９２と、を備え、計算部９２は、複数のＸｃｈ（ｉ）の少なくともいずれかについて演算した第１値と、複数のＹｃｈ（ｊ）の少なくともいずれかについて演算した第２値とを演算した第１マップ値を複数作成する処理と、複数の上記第１マップ値を用いて導電体の接近の有無を判断する。
【解決手段】方向ｘに配列され方向ｙに延びる複数の第１検出電極Ｅｘiと、方向ｙに配列され且つ方向ｘに延びる複数の第２検出電極Ｅｙjと、導電体と各Ｅｘiとの間の静電容量の変化に伴い各Ｅｘiを介して得られる値をそれぞれ複数の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）として記憶し、且つ、導電体と各Ｅｙjとの間の静電容量の変化に伴い各Ｅｙjを介して得られる値をそれぞれ複数の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）として記憶する記憶手段９１と、計算部９２と、を備え、計算部９２は、複数のＸｃｈ（ｉ）の少なくともいずれかについて演算した第１値と、複数のＹｃｈ（ｊ）の少なくともいずれかについて演算した第２値とを演算した第１マップ値を複数作成する処理と、複数の上記第１マップ値を用いて導電体の接近の有無を判断する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量式入力装置および静電容量式入力装置における導電体の接近位置の計算方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図３４は、従来の入力装置の一例を示している。図３５は、図３４のＸＸＸＶ−ＸＸＸＶ線に沿った要部平面図である。これらの図に示された入力装置９Ｘは、液晶表示パネル９Ｙと重ねて用いられることにより、いわゆるタッチパネルを構成している。このタッチパネルは、たとえば携帯電話機９Ｚの表示手段および操作手段として用いられる。
【０００３】
入力装置９Ｘは、透過板９１（図３５では省略）、透過板９２、検出電極９ａ，９ｂ、配線９３１、配線９３２（図３４では省略）、フレキシブル基板９７１、および、ＩＣチップ９７２、を備える。透過板９１，９２は、互いに平行に配置されている。検出電極９ａ，９ｂはそれぞれ、透過板９１，９２に形成されている。検出電極９ａはいずれも、方向ｙに沿って延びており、互いに平行に配置されている。検出電極９ｂはいずれも、方向ｘに沿って延びており、互いに平行に配置されている。配線９３１は、検出電極９ａと各別に接続している。配線９３２は、検出電極９ｂと各別に接続している。フレキシブル基板９７１は、透過板９２の端部に設けられている。
【０００４】
ＩＣチップ９７２は、フレキシブル基板９７１に設けられている。図３６に、検出電極９ａとＩＣチップ９７２との接続状態を模式的に示している。ＩＣチップ９７２は、複数の入力端子ｃｈを備えている。入力端子ｃｈはそれぞれ、配線９３１と各別に接続している。これにより、入力端子ｃｈはそれぞれ、検出電極９ａと各別に接続している。図示していないが、検出電極９ｂについても同様である。
【０００５】
図３４に示すように、携帯電話機９Ｚは、筺体の一部を構成する透明カバー９８を有している。入力装置９Ｘは、透明接着剤によって透明カバー９８に接合されている。入力装置９Ｘの図３４下方には、液晶表示パネル９Ｙが配置されている。携帯電話機９Ｚの使用者が携帯電話機９Ｚを操作するときに、指などの導電体９Ｄを透明カバー９８に対して接近させ、あるいは接触させることにより、導電体９Ｄと検出電極９ａ，９ｂとの間に静電容量が生じる。図３６には、導電体９Ｄを透明カバー９８に接近もしくは接触させたときの、導電体９Ｄと検出電極９ａと間の静電容量の変化に対応する値（背景技術の項では便宜上、静電容量の変化の値とする）を表すグラフを示している。静電容量が増加した入力端子ｃｈに接続している検出電極９ａを特定することにより、導電体９Ｄが平面視においてどの位置に接近してきたかを検出することができる。
【０００６】
このような入力装置９Ｘにおいては、外来のノイズの影響により、導電体９Ｄが接近していない場合であっても検出電極９ａや検出電極９ｂの静電容量が微小に変化することがある。そのため、ＩＣチップ９７２は、方向ｘ，ｙにおける導電体９Ｄの接近位置に関する情報を得る前もしくは後に、検出電極９ａや検出電極９ｂの静電容量の増加分が所定のしきい値を超えているか否かを判断していた。検出電極９ａの静電容量の増加分が所定のしきい値を超えていない場合、ＩＣチップ９７２は、導電体９Ｄが検出電極９ａや検出電極９ｂに接近していないと判断する。このとき、ＩＣチップ９７２は、たとえ検出電極９ａや検出電極９ｂの静電容量が変化した場合であっても導電体９Ｄの接近位置に関する信号を外部に出力せず、導電体９Ｄが接近していないとする信号を外部に出力する。一方、検出電極９ａや検出電極９ｂの静電容量の増加分が所定のしきい値を超えている場合、ＩＣチップ９７２は導電体９Ｄの接近位置に関する情報を外部に出力する。
【０００７】
しかしながら、たとえば、このような入力装置９Ｘを備える携帯電話機９Ｚの透明カバー９８が厚い場合、導電体９Ｄと検出電極９ａや検出電極９ｂとの最短の離隔距離が大きくなる。そうすると、導電体９Ｄが検出電極９ａや検出電極９ｂに接近しても、検出電極９ａや検出電極９ｂの静電容量の増加量が減少する。そのため、上記のしきい値として設定すべき値を小さくせざるをえなくなる。設定するしきい値を小さくすると、外来のノイズに影響され検出電極９ａや検出電極９ｂの静電容量が変化した場合に、検出電極９ａや検出電極９ｂの静電容量の増加分が当該しきい値を超えてしまうおそれがある。このようなことでは、導電体９Ｄが検出電極９ａや検出電極９ｂに接近していないにもかかわららず導電体９Ｄが検出電極９ａや検出電極９ｂに接近したと判断してしまう不具合を招来する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−３３７７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、誤作動の発生を抑制することができる静電容量式入力装置、および静電容量式入力装置における導電体の接近位置の計算方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の側面によって提供される静電容量式入力装置は、第１方向に配列され且つ上記第１方向と交差する第２方向に延びる複数の第１検出電極と、上記第２方向に配列され且つ上記第１方向に延びる複数の第２検出電極と、導電体と各第１検出電極との間の静電容量の変化に伴い各第１検出電極を介して得られる値をそれぞれ複数の第１方向検出値として記憶し、且つ、上記導電体と各第２検出電極との間の静電容量の変化に伴い各第２検出電極を介して得られる値をそれぞれ複数の第２方向検出値として記憶する記憶手段と、計算部と、を備え、上記計算部は、上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第１値と、上記複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第２値とを演算した第１マップ値を複数作成する処理と、複数の上記第１マップ値を用いて上記導電体の接近の有無を判断する処理とを実行する。
【００１１】
本発明の好ましい実施の形態においては、複数の上記第１マップ値は、複数の上記第１マップ値のうちで最も大きい最大第１マップ値を含み、上記導電体の接近の有無を判断する処理においては、上記最大第１マップ値と所定のしきい値とを比較する。
【００１２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１値は、上記第１検出電極と所定領域とが重なる面積を重みとして、上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて加算した値であり、上記第２値は、上記第２検出電極と上記所定領域とが重なる面積を重みとして、上記複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて加算した値である。
【００１３】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１マップ値は、上記第１値と上記第２値との和である。
【００１４】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１マップ値は、上記第１値と上記第２値との和を累乗した値である。
【００１５】
本発明の好ましい実施の形態においては、各第１マップ値は、上記第１方向における一つの座標値と上記第２方向における一つの座標値とを一組含む二次元座標に対応付けられており、上記計算部は、複数の上記第１マップ値を用いて上記第１方向と上記第２方向とにおける上記導電体の第１接近位置を計算する処理を更に実行する。
【００１６】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１接近位置を計算する処理においては、複数の上記第１マップ値のうちの一部のみを用いて上記第１接近位置を計算する。
【００１７】
本発明の好ましい実施の形態においては、各第１マップ値は、行成分がそれぞれ上記第１方向における一つの座標値に対応づけられ且つ列成分がそれぞれ上記第２方向における一つの座標値に対応づけられた第１行列の複数の要素のいずれかであり、上記第１行列においては、行番号が増加するにつれ当該行成分に対応づけられた上記第１方向における座標値が単調に変化し、且つ、列番号が増加するにつれ当該列成分に対応づけられた上記第２方向における座標値が単調に変化し、複数の上記第１マップ値は、複数の上記第１マップ値のうちで最も大きい最大第１マップ値と、当該最大第１マップ値と行番号が一つ異なり且つ互いに列番号が同一である２つの隣接第１マップ値とを含み、上記第１接近位置を計算する処理においては、上記最大第１マップ値と上記２つの隣接第１マップ値とを用い、上記第１接近位置を計算する。
【００１８】
本発明の好ましい実施の形態においては、複数の上記第１検出電極は、上記複数の第１検出電極のうち上記第１接近位置に最も近接する第１近接検出電極を含み、複数の上記第２検出電極は、上記複数の第２検出電極のうち上記第１接近位置に最も近接する第２近接検出電極を含み、上記計算部は、第２接近位置計算の準備処理を実行し、当該準備処理は、上記記憶手段における、上記複数の第１方向検出値のうち上記第１近接検出電極に対応する値を小さく変換し、且つ、上記記憶手段における、上記複数の第２方向検出値のうち上記第２近接検出電極に対応する値を小さく変換するものである。
【００１９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記計算部は、上記準備処理が行われた後に、上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第３値と、上記複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第４値とを演算した第２マップ値を複数作成する処理と、複数の上記第２マップ値を用いて上記導電体の接近の有無を判断する処理とを更に実行する。
【００２０】
本発明の好ましい実施の形態においては、各第２マップ値は、上記第１方向における一つの座標値と上記第２方向における座標値とを一組含む二次元座標に対応付けられており、上記計算部は、複数の上記第２マップ値を用いて上記導電体の上記第１方向および上記第２方向における第２接近位置を計算する処理を更に実行する。
【００２１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２接近位置を計算する処理においては、複数の上記第２マップ値のうちの一部のみを用いて上記第２接近位置を計算する。
【００２２】
本発明の好ましい実施の形態においては、各第２マップ値は、行成分がそれぞれ上記第１方向における一つの座標値に対応づけられ且つ列成分がそれぞれ上記第２方向における一つの座標値に対応づけられた第２行列の複数の要素のいずれかであり、上記第２行列においては、行番号が増加するにつれ当該行成分に対応づけられた上記第１方向における座標値が単調に変化し、且つ、列番号が増加するにつれ当該列成分に対応づけられた上記第２方向における座標値が単調に変化し、複数の上記第２マップ値は、複数の上記第２マップ値のうちで最も大きい最大第２マップ値と、当該最大第２マップ値と列番号が一つ異なり且つ互いに行番号が同一である２つの隣接第２マップ値とを含み、上記第２接近位置を計算する処理においては、上記最大第２マップ値と上記２つの隣接第２マップ値とを用い、上記第２接近位置を計算する。
【００２３】
本発明の第２の側面によって提供される静電容量式入力装置における導電体の接近位置の計算方法は、第１方向に配列され且つ上記第１方向と交差する第２方向に延びる複数の第１検出電極と、上記第２方向に配列され且つ上記第１方向に延びる複数の第２検出電極とを備える静電容量式入力装置における導電体の接近位置の計算方法であって、上記導電体と各第１検出電極との静電容量の変化に伴い各第１検出電極を介して得られる値をそれぞれ複数の第１方向検出値として記憶手段に記憶し、上記導電体と各第２検出電極との静電容量の変化に伴い各第２検出電極を介して得られる値をそれぞれ複数の第２方向検出値として上記記憶手段に記憶し、上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第１値と、上記複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第２値とを演算した第１マップ値を複数作成し、複数の上記第１マップ値を用いて上記導電体の接近の有無を判断する各工程を備える。
【００２４】
本発明の好ましい実施の形態においては、複数の上記第１マップ値は、複数の上記第１マップ値のうちで最も大きい最大第１マップ値を含み、上記判断する工程においては、上記最大第１マップ値と所定のしきい値とを比較する。
【００２５】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１値は、上記第１検出電極と所定領域とが重なる面積を重みとして、上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて加算した値であり、上記第２値は、上記第２検出電極と上記所定領域とが重なる面積を重みとして、上記複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて加算した値である。
【００２６】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１マップ値は、上記第１値と上記第２値との和である。
【００２７】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１マップ値は、上記第１値と上記第２値との和を累乗した値である。
【００２８】
本発明の好ましい実施の形態においては、各第１マップ値は、上記第１方向における一つの座標値と上記第２方向における一つの座標値とを一組含む二次元座標に対応付けられており、複数の上記第１マップ値を用いて上記第１方向と上記第２方向とにおける上記導電体の第１接近位置を計算する工程を更に備える。
【００２９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１接近位置を計算する工程においては、複数の上記第１マップ値のうちの一部のみを用いて上記第１接近位置を計算する。
【００３０】
本発明の好ましい実施の形態においては、各第１マップ値は、行成分がそれぞれ上記第１方向における一つの座標値に対応づけられ且つ列成分がそれぞれ上記第２方向における一つの座標値に対応づけられた第１行列の複数の要素のいずれかであり、上記第１行列においては、行番号が増加するにつれ当該行成分に対応づけられた上記第１方向における座標値が単調に変化し、且つ、列番号が増加するにつれ当該列成分に対応づけられた上記第２方向における座標値が単調に変化し、複数の上記第１マップ値は、複数の上記第１マップ値のうちで最も大きい最大第１マップ値と、当該最大第１マップ値と行番号が一つ異なり且つ互いに列番号が同一である２つの隣接第１マップ値とを含み、上記第１接近位置を計算する工程においては、上記最大第１マップ値と上記２つの隣接第１マップ値とを用い、上記第１接近位置を計算する。
【００３１】
本発明の好ましい実施の形態においては、複数の上記第１検出電極は、上記複数の第１検出電極のうち上記第１接近位置に最も近接する第１近接検出電極を含み、複数の上記第２検出電極は、上記複数の第２検出電極のうち上記第１接近位置に最も近接する第２近接検出電極を含み、第２接近位置計算の準備を行う工程を更に備え、当該準備を行う工程は、上記記憶手段における、上記複数の第１方向検出値のうち上記第１近接検出電極に対応する値を小さく変換し、且つ、上記記憶手段における、上記複数の第２方向検出値のうち上記第２近接検出電極に対応する値を小さく変換するものである。
【００３２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記準備を行う工程の後に、上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第３値と、複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第４値とを演算した第２マップ値を複数作成する工程と、複数の上記第２マップ値を用いて上記導電体の接近の有無を判断する工程とを更に備える。
【００３３】
本発明の好ましい実施の形態においては、各第２マップ値は、上記第１方向における一つの座標値と上記第２方向における座標値とを一組含む二次元座標に対応付けられており、複数の上記第２マップ値を用いて上記導電体の上記第１方向および上記第２方向における第２接近位置を計算する工程を更に備える。
【００３４】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２接近位置を計算する工程においては、複数の上記第２マップ値のうちの一部のみを用いて上記第２接近位置を計算する。
【００３５】
本発明の好ましい実施の形態においては、各第２マップ値は、行成分がそれぞれ上記第１方向における一つの座標値に対応づけられ且つ列成分がそれぞれ上記第２方向における一つの座標値に対応づけられた第２行列の複数の要素のいずれかであり、上記第２行列においては、行番号が増加するにつれ当該行成分に対応づけられた上記第１方向における座標値が単調に変化し、且つ、列番号が増加するにつれ当該列成分に対応づけられた上記第２方向における座標値が単調に変化し、複数の上記第２マップ値は、複数の上記第２マップ値のうちで最も大きい最大第２マップ値と、当該最大第２マップ値と列番号が一つ異なり且つ互いに行番号が同一である２つの隣接第２マップ値とを含み、上記第２接近位置を計算する工程においては、上記最大第２マップ値と上記２つの隣接第２マップ値とを用い、上記第２接近位置を計算する。
【００３６】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる入力装置の断面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う入力装置の要部平面図である。
【図３】図２に示す入力装置の第１検出電極を主に示す平面図である。
【図４】図２に示す入力装置の第２検出電極を主に示す平面図である。
【図５】本実施形態のＩＣチップにおける機能ブロック図である。
【図６】本実施形態における処理の流れを示すフローチャートである。
【図７】各第１方向検出値および各第２方向検出値の各値の一例を示すグラフである。
【図８】図７に示した各値を、三次元で示すグラフである。
【図９】図２に示す入力装置の拡大平面図である。
【図１０】本実施形態のケース２について説明する図である。
【図１１】本実施形態のケース３について説明する図である。
【図１２】本実施形態のケース４について説明する図である。
【図１３】本実施形態の第１マップ値を要素とする行列について説明する図である。
【図１４】本実施形態の第１マップ値を三次元で示す図である。
【図１５】本実施形態における導電体の接近の有無を判断する工程を説明するための図である。
【図１６】本実施形態における第１接近座標の値の求め方の説明に用いるグラフである。
【図１７】本発明の第２実施形態の第１マップ値を三次元で示す図である。
【図１８】本発明の第３実施形態の第１マップ値を三次元で示す図である。
【図１９】本発明の第５実施形態を説明するための入力装置の要部平面図である。
【図２０】本実施形態の処理の流れを示すフローチャートである。
【図２１】本実施形態の準備処理を説明するための図である。
【図２２】本実施形態のケース１について説明する図である。
【図２３】本実施形態のケース２について説明する図である。
【図２４】本実施形態のケース３について説明する図である。
【図２５】本実施形態のケース４について説明する図である。
【図２６】本実施形態の第２マップ値を要素とする行列について説明する図である。
【図２７】本実施形態における導電体の接近の有無を判断する工程を説明するための図である。
【図２８】本実施形態における第２接近座標の値の求め方に用いるグラフである。
【図２９】本発明の第６実施形態を説明するための入力装置の要部断面図である。
【図３０】本発明の第６実施形態を説明するための入力装置の要部平面図である。
【図３１】本実施形態の各第１方向検出値および各第２方向検出値の各値の一例を示すグラフである。
【図３２】図３１に示す第１方向検出値および第２方向検出値の各値と、第１実施形態における式とを用いて、作成した第１マップ値である。
【図３３】本発明の第６実施形態の第１マップ値を三次元で示す図である。
【図３４】従来の入力装置の一例を示す断面図である。
【図３５】図３４のＸＸＸＶ−ＸＸＸＶ線に沿う要部平面図である。
【図３６】検出電極とＩＣチップとの接続状態を概念的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００３９】
図１および図２は、本発明の第１実施形態にかかる入力装置Ａ１を表す。これらの図に示す入力装置Ａ１は、透過板１，２と、ｘ方向位置検出用の複数の第１検出電極Ｅｘi（ｉ＝１，２，・・・，ｎ）と、ｙ方向位置検出用の複数の第２検出電極Ｅｙj（ｊ＝１，２，・・・，ｍ）と、配線３，３’と、樹脂層４と、スペーサ５と、異方性導電樹脂部６と、シールド層７と、フレキシブル基板８と、ＩＣチップ９とを備える。図１では、配線３，３’は省略している。図２では、透過板２、樹脂層４、スペーサ５、異方性導電樹脂部６、シールド層７、フレキシブル基板８、およびＩＣチップ９を省略している。入力装置Ａ１は、導電体Ｄ１の接近位置を検出できるように構成されている。入力装置Ａ１は、例えば、液晶表示パネルＰ１の画像表示面の側に配置されて、いわゆるタッチパネル装置を構成する。図３は、図２に示す第１検出電極Ｅｘiを主に示す平面図である。図４は、図２に示す第２検出電極Ｅｙjを主に示す平面図である。
【００４０】
透過板１，２は、それぞれ、透明樹脂基板または透明ガラス基板である。透明樹脂基板の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、もしくはポリカーボネート（ＰＣ）が挙げられる。
【００４１】
ｘ方向位置検出用の複数の第１検出電極Ｅｘi（ｉ＝１，２，・・・，ｎ）は、透過板１の図１上面にパターン形成されたものである。複数の第１検出電極Ｅｘiは、それぞれが方向ｙに延びて相互に平行であり、且つ、方向ｘ（方向ｙに直交する）において相互に離間して配列されている。本実施形態においては、第１検出電極Ｅｘiの本数（即ちｎ）は、１０である。各第１検出電極Ｅｘiは、例えば、ＩＴＯ，ＩＺＯなどの透明な導電性材料よりなる。図３に示すように、各第１検出電極Ｅｘiは、複数の菱形状の部分と、これらの菱形状の部分をつなぐ線状の部分とを有する。この菱形状の部分の形状は、丸形状、多角形状、またはその他の形状であってもよい。
【００４２】
ｙ方向位置検出用の複数の第２検出電極Ｅｙj（ｊ＝１，２，・・・，ｍ）は、透過板２の図中下面にパターン形成されたものである。複数の第２検出電極Ｅｙjは、それぞれが方向ｘに延びて相互に平行であり、且つ、方向ｙにおいて相互に離間して配列されている。本実施形態においては、第２検出電極Ｅｙjの本数（即ちｍ）は１４である。各第２検出電極Ｅｙjは、例えば、ＩＴＯ，ＩＺＯなどの透明な導電性材料よりなる。図４に示すように、各第２検出電極Ｅｙjは、複数の菱形状の部分と、これらの菱形状の部分をつなぐ線状の部分とを有する。この菱形状の部分の形状は、丸形状、多角形状、またはその他の形状であってもよい。第２検出電極Ｅｙjの菱形状の部分は、方向ｘおよび方向ｙにおいて、第１検出電極Ｅｘiの菱形状の部分と重ならないように配置されている。
【００４３】
各配線３の一部は、透過板１上にパターン形成されている。各配線３の他の一部は、透過板２上およびフレキシブル基板８上にわたってパターン形成されている。透過板１上の各配線３の一部と、透過板１上の各配線３の一部に対応する透過板２上の各配線３の一部とは、透過板１上の各配線３の一部間の電気的絶縁状態が確保され且つ透過板２上の各配線３の一部間の電気的絶縁状態が確保されつつ、異方性導電樹脂部６を介して電気的に接続されている。異方性導電樹脂部６は、硬化した異方性導電樹脂よりなる。入力装置Ａ１においては、各配線３はこのように設けられている。各配線３は、透過板１上にて一の第１検出電極Ｅｘiと接続されている。
【００４４】
配線３’は、透過板２上およびフレキシブル基板８上にわたってパターン形成されており、透過板２上にて一の第２検出電極Ｅｙjと接続されている。
【００４５】
樹脂層４およびスペーサ５は、図１に示すように、透過板１，２間に介在する。樹脂層４は、光を良好に透過させる樹脂材料よりなる。また、樹脂層４により、第１検出電極Ｅｘi間、第２検出電極Ｅｙj間、および、第１検出電極Ｅｘi，第２検出電極Ｅｙj間の電気的絶縁状態が確保される。スペーサ５は、シリカまたはアクリル樹脂（例えば、積水化学工業：ミクロパールシリーズ）よりなる粒体である。スペーサ５のサイズを適宜選択することにより、透過板１，２間の適切な距離を確保することができる。
【００４６】
シールド層７は、透過板１の図１中下面に設けられている。シールド層７は、例えば、ＩＴＯ，ＩＺＯなどの透明導電性材料よりなる。シールド層７は、リア保護層（図示略）により覆われている。シールド層７は、外来のノイズを遮断する役割を担う。
【００４７】
フレキシブル基板８は、図１に示すように、透過板２の端部に取り付けられている。上述のように、配線３の一部および配線３’の一部は、フレキシブル基板８にも設けられている。
【００４８】
ＩＣチップ９は、フレキシブル基板８に搭載されている。ＩＣチップ９は、入力装置Ａ１の駆動状態を制御したり、導電体Ｄ１の接近位置を計算したりする機能を担う。ＩＣチップ９は、図示しない入力端子を介して、各第１検出電極Ｅｘi、および、各第２検出電極Ｅｙjに接続している。
【００４９】
図５には、ＩＣチップ９における機能ブロック図を示す。同図に示すように、ＩＣチップ９は、記憶部９１と、計算部９２とを含む。
【００５０】
記憶部９１は、計算部９２が計算をする際のデータを記憶する機能を担う。本実施形態では、記憶部９１は、指などの導電体Ｄ１と各第１検出電極Ｅｘiとの間の静電容量の変化に伴い、各第１検出電極ＥｘiとＩＣチップ９における図示しない回路とを介して得られる値をそれぞれ、複数の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）（ｉ＝１，２，・・・，ｎ）として記憶する。同様に、記憶部９１は、導電体Ｄ１と各第２検出電極Ｅｙjとの間の静電容量の変化に伴い、各第２検出電極ＥｙjとＩＣチップ９における図示しない回路とを介して得られる値をそれぞれ複数の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）（ｊ＝１，２，・・・，ｍ）として記憶する。
【００５１】
計算部９２は、方向ｘおよび方向ｙにおける導電体Ｄ１の接近位置を計算する。計算部９２は、記憶部９１とデータを送受しつつ計算を行う。
【００５２】
次に、図６〜図１６をさらに用いて、本実施形態にかかる導電体Ｄ１の接近位置の計算方法の一例について説明する。図６は、本実施形態における処理の流れを示すフローチャートである。本実施形態においては、導電体Ｄ１が透過板２に接近したときの、導電体Ｄ１の接近位置である第１接近座標（ｘ１，ｙ１）を計算する方法について説明する。
【００５３】
＜第１方向検出値および第２方向検出値の記憶（Ｓ１０１）＞
図６に示すように、入力装置Ａ１が稼働すると、ＩＣチップ９には、各第１検出電極Ｅｘiから、導電体Ｄ１と各第１検出電極Ｅｘiとの間に生じうる静電容量変化に対応する信号が送られる。ＩＣチップ９が当該信号を受けると、上述のように、記憶部９１は、導電体Ｄ１と各第１検出電極Ｅｘiとの間の静電容量の変化に伴い、各第１検出電極ＥｘiとＩＣチップ９における図示しない回路とを介して得られる値をそれぞれ、複数の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）（ｉ＝１，２，・・・，ｎ）として記憶する。同様に、ＩＣチップ９には、各第２検出電極Ｅｙjから、導電体Ｄ１と各第２検出電極Ｅｙjとの間に生じうる静電容量変化に対応する信号が送られる。ＩＣチップ９が当該信号を受けると、上述のように記憶部９１は、導電体Ｄ１と各第２検出電極Ｅｙjとの間の静電容量の変化に伴い、各第２検出電極ＥｙjとＩＣチップ９における図示しない回路とを介して得られる値をそれぞれ、複数の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）（ｊ＝１，２，・・・，ｍ）として記憶する。
【００５４】
図７には、導電体Ｄ１が図２に示す位置に接近した場合における、各第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）および各第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）の各値の一例を示している。図８は、図７に示した各第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）および各第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）ごとの各値を、三次元の棒グラフで示している。図２に示す導電体Ｄ１の、透過板２に対する接触領域と対向し合う面積が最も大きいのは、第１検出電極Ｅｘ1〜Ｅｘnのうち電極Ｅｘ5であり、当該接触領域と対向し合う面積が二番目に大きいのは第１検出電極Ｅｘ6である。第２検出電極Ｅｙ1〜Ｅｙmのうち当該接触領域と対向し合う面積が最も大きいのは、第２検出電極Ｅｙ7であり、当該接触領域と対向し合う面積が二番目に大きいのは第２検出電極Ｅｙ8であり、当該領域と対向し合う面積が三番目に大きいのは第２検出電極Ｅｙ6である。このように、第一方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）、第二方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）の各々の値は、透過板２に対する導電体Ｄ１の接触領域と第１検出電極Ｅｘi、第２検出電極Ｅｙjとが対向し合う面積にそれぞれ対応する。なお、図７にてＸｃｈ（２），Ｘｃｈ（９），Ｙｃｈ（３），Ｙｃｈ（１３）がわずかに値を示しているのはノイズの影響である。
【００５５】
＜第１マップ値の作成（Ｓ１０２）＞
次に、第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）と第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）とを用いて、複数の第１マップ値を作成する。より具体的には、以下のように第１マップ値を作成する。第１マップ値は、第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）の少なくともいずれかと第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）の少なくともいずれかとを演算した値である。
【００５６】
第１マップ値は、その第１マップ値を求めるのに用いた第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）の各々と正の相関を有する。すなわち、第１マップ値の値は、その第１マップ値を求めるのに用いた第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）のうちある特定の第１方向検出値Ｘｃｈ(ｉ)以外の値、および、その第１マップ値を求めるのに用いた第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）の値が同一であれば、当該特定の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）の値が大きいほど、大きい。また、第１マップ値は、その第１マップ値を求めるのに用いた第２方向検出値Ｙｃｈ（ｉ）の各々と正の相関を有する。すなわち、第１マップ値の値は、その第１マップ値を求めるのに用いた第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）、および、その第１マップ値を求めるのに用いた第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）のうちある特定の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）以外の値が同一であれば、当該特定の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）の値が大きいほど、大きい。
【００５７】
また、作成する第１マップ値の個数は、複数の第１方向検出値Ｘｃｈ(ｉ)のいずれかと複数の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）のいずれかとの組み合わせ方によって、自在に決定できる。以下では、２ｎ×２ｍ個の第１マップ値を作成する例を示す。
【００５８】
図９は、図２に示す入力装置Ａ１の拡大平面図である。
【００５９】
各第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）は、ある二次元座標に対応づけられており、その二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）は、図９等に示す所定面積の領域Ｒpqの重心座標である。領域Ｒpqの形状はどのような形状であってもよい。本実施形態においては、領域Ｒpqは、各第１検出電極Ｅｘiの菱形状の部分４個分の面積を有する。第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）は、
ｍａｐ１（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（ｐ，ｑ）＋Ｖｙ（ｐ，ｑ）・・・（１）
と定義される。
【００６０】
Ｖｘ（ｐ，ｑ）は第１値であり、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝ΣＳk・Ｘｃｈ（ｋ）・・・（２）
と表わされる。
ここで、Ｓkは、領域Ｒpqと第１検出電極Ｅｘkとが重なる領域の面積である（ｋ＝１，２，・・・，ｎ）。すなわち第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）は、領域Ｒpqと第１検出電極Ｅｘkとが重なる領域のそれぞれの面積を重みとして、各第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）を加算した値である。
【００６１】
同様に、Ｖｙ（ｐ，ｑ）は第２値であり、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝ΣＴk・Ｙｃｈ（ｋ）・・・（３）
と表わされる。
ここでＴkは、Ｓkと同様に、領域Ｒpqと第２検出電極Ｅｙkとが重なる領域の面積である（ｋ＝１，２，・・・，ｍ）。すなわち第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）は、領域Ｒpqと第２検出電極Ｅｙkとが重なる領域のそれぞれの面積を重みとして、各第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）を加算した値である。
【００６２】
そのため、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）は、領域Ｒpqと第１検出電極Ｅｘkとが重なる領域のそれぞれの面積を重みとして、各第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）を加算した値と、領域Ｒpqと第２検出電極Ｅｙkとが重なる領域のそれぞれの面積を重みとして、各第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）を加算した値と、の和であるといえる。
【００６３】
本実施形態において、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）は、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ，２ｊ）の場合・・・・・・・（ケース１、図９参照）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ＋１，２ｊ）の場合・・・・・（ケース２、図１０参照）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ，２ｊ＋１）の場合・・・・・（ケース３、図１１参照）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ＋１，２ｊ＋１）の場合・・・（ケース４、図１２参照）、
の４つの場合（ｉ＝１，２，・・・ｎ、ｊ＝１，２，・・・ｍ）ごとに、求める際に用いるパラメータが異なる。以下具体的に説明する。
【００６４】
＜ケース１＞
図９を用いて、ケース１について説明する。同図に示す通り、二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i，Ｙ１2j）
＝（Ｘi，Ｙj）・・・（４−１）
と表わされる。
Ｘiは、第１検出電極Ｅｘiの方向ｘにおける中心位置である。同様に、Ｙjは、第２検出電極Ｅｙjの方向ｙにおける中心位置である。
【００６５】
ケース１において（２）式は、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ，２ｊ）
＝Ｓi-1Ｘｃｈ（ｉ−１）＋ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝０．３Ｘｃｈ（ｉ−１）＋１．４Ｘｃｈ（ｉ）＋０．３Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−１）
と表わされる。
Ｓi-1，Ｓi，Ｓi+1については、第１検出電極Ｅｘiに含まれる菱形の電極一つの面積を１とし、Ｓi-1＝０．３，Ｓi＝１．４，Ｓi+1＝０．３としている。なお、Ｘｃｈ（０），Ｘｃｈ（ｎ＋１）等の実在しない値としては、適当な値を用いる。
【００６６】
同様にケース１において（３）式は、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ，２ｊ）
＝Ｔj-1Ｙｃｈ（ｊ−１）＋ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝０．３Ｙｃｈ（ｊ−１）＋１．４Ｙｃｈ（ｊ）＋０．３Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−１）
と表わされる。
Ｔj-1，Ｔj，Ｔj+1については、第２検出電極Ｅｙjに含まれる菱形の電極一つの面積を１とし、Ｔj-1＝０．３，Ｔj＝１．４，Ｔj+1＝０．３としている。なお、Ｙｃｈ（０），Ｙｃｈ（ｍ＋１）等の実在しない値としては、適当な値を用いる。
【００６７】
ケース１においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【００６８】
＜ケース２＞
図１０は、ケース２について説明する図である。同図に示す通り、二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i+1，Ｙ１2j）
＝（（Ｘi＋Ｘi+1）／２，Ｙj）・・・（４−２）
と表わされる。
Ｘi+1は、第１検出電極Ｅｘi+1の方向ｘにおける中心位置である。
【００６９】
ケース２において（２）式は、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ＋１，２ｊ）
＝ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝１．０Ｘｃｈ（ｉ）＋１．０Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−２）
と表わされる。
Ｓi，Ｓi+1については、第１検出電極Ｅｘiに含まれる菱形の電極一つの面積を１とし、Ｓi＝１．０，Ｓi+1＝１．０としている。
【００７０】
ケース２において（３）式は、ケース１と同様、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ＋１，２ｊ）
＝Ｔj-1Ｙｃｈ（ｊ−１）＋ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝０．３Ｙｃｈ（ｊ−１）＋１．４Ｙｃｈ（ｊ）＋０．３Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−２）
と表わされる。
【００７１】
ケース２においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【００７２】
＜ケース３＞
図１１は、ケース３について説明する図である。同図に示す通り、二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i，Ｙ１2j+1）
＝（Ｘi，（Ｙj＋Ｙj+1）／２）・・・（４−３）
と表わされる。
Ｙi+1は、第２検出電極Ｅｙjの方向ｙにおける中心位置である。
【００７３】
ケース３において（２）式は、ケース１と同様、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ，２ｊ＋１）
＝Ｓi-1Ｘｃｈ（ｉ−１）＋ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝０．３Ｘｃｈ（ｉ−１）＋１．４Ｘｃｈ（ｉ）＋０．３Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−３）
と表わされる。
【００７４】
ケース３において（３）式は、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ，２ｊ＋１）
＝ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝１．０Ｙｃｈ（ｊ）＋１．０Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−３）
と表わされる。
Ｔj，Ｔj+1については、第２検出電極Ｅｙjに含まれる菱形の電極一つの面積を１とし、Ｔj＝１．０，Ｔj+1＝１．０としている。
【００７５】
ケース３においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【００７６】
＜ケース４＞
図１２は、ケース４について説明する図である。同図に示す通り、二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i+1，Ｙ１2j+1）
＝（（Ｘi＋Ｘi+1）／２，（Ｙj＋Ｙj+1）／２）・・・（４−４）
と表わされる。
【００７７】
ケース４において（２）式は、ケース２と同様、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ＋１，２ｊ＋１）
＝ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝１．０Ｘｃｈ（ｉ）＋１．０Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−４）
と表わされる。
【００７８】
ケース４において（３）式は、ケース３と同様、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ＋１，２ｊ＋１）
＝ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝１．０Ｙｃｈ（ｊ）＋１．０Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−４）
と表わされる。
【００７９】
ケース４においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【００８０】
以上のケース１〜ケース４の場合の計算をすることにより、複数の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成することができる。
【００８１】
ｉ＝１，２，・・・，ｎであることを考慮すると、ｐは、２から２ｎ＋１までの２ｎ個の整数である。一方、ｊ＝１，２，・・・，ｍであることを考慮すると、ｑは、２から２ｍ＋１までの２ｍ個の整数である。そこで、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）は、２ｎ×２ｍ行列Ｔ１の要素と考えることができる。ここで、行列Ｔ１の要素αrsを、
αrs＝ｍａｐ１（ｒ＋１，ｓ＋１）・・・（５）
（ｒ＝１，２，・・・２ｎ、ｓ＝１，２，・・・２ｍ）
と定義する（図１３参照）。
【００８２】
また、式（４−１）、式（４−２）、式（４−３）、式（４−４）から、複数の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）におけるｐの値が互いに同一であれば、それらの第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）に対応づけられた二次元座標のＸ１pqの値は同一であることが分かる。そのため、行列Ｔ１において行番号が同一であれば、行列要素（第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ））に対応づけられた二次元座標のＸ１pqの値は同一である。たとえば、３行目の成分のｐは４であり、（４−１）式、（４−３）式によると、Ｘ１pq＝Ｘ2である。
【００８３】
同様に、複数の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）におけるｑの値が互いに同一であれば、それらの第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）に対応づけられた二次元座標のＹ１pqの値は同一であることが分かる。そのため、行列Ｔ１において列番号が同一であれば、行列要素（第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ））に対応づけられた二次元座標のＹ１pqの値は同一である。たとえば、２列目の成分のｑは３であり、（４−３）式、（４−４）式によると、Ｙ１pq＝（Ｙ1＋Ｙ2）／２である。
【００８４】
また、式（４−１）、式（４−２）、式（４−３）、式（４−４）によると、ｐの値が大きくなるほどＸ１pqの値が大きくなっており、且つ、ｑの値が大きくなるほどＹ１pq大きくなっている。そのため、行列Ｔ１においては、行番号が増加するにつれ当該行の成分（第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ））に対応づけられた二次元座標のＸ１pqの値は、単調に増加する。また同様に、行列Ｔ１においては、列番号増加するにつれ当該列の成分（第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ））に対応づけられた二次元座標のＹ１pqの値は、単調に増加する。
【００８５】
図１４にて、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を三次元で示し、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を視覚的に認識できるようにしている。同図の高さ方向が第１マップ値の値に対応する。第１マップ値ｍａｐ（ｐ，ｑ）のうち値が大きいものは、導電体Ｄ１が接近してきた第１検出電極Ｅｘiや第２検出電極Ｅｙjを用いて求められている。そのため、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）のうち大きいものに対応づけられている二次元座標が、導電体Ｄ１が接近してきた位置に近接しているといえる。
【００８６】
＜導電体Ｄ１の接近の有無を判断（Ｓ１０３）＞
次に、図１５を参照しつつ、上述のプロセスにより作成された第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を用いて、導電体Ｄ１の接近の有無を判断する工程（Ｓ１０３）について説明する。まず、上記の処理において求められた第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）のうち、最も大きい最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）を抽出する（ｐｍａｘは、第１マップ値が最大値をとるときのｐの値である。同様に、ｑｍａｘは、第１マップ値が最大値をとるときのｑの値である）。次に、計算部９２は、この最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）の値が所定のしきい値（図１４参照）より大きいか否かを判断する。最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）が、所定のしきい値以下である場合（Ｓ１０３：ＮＯ）、計算部９２は、導電体Ｄ１が接近していないと判断する（Ｓ１０４）。
【００８７】
導電体Ｄ１が接近していないと判断した場合、計算部９２は、導電体Ｄ１が接近していないとする信号（たとえば第１接近座標（ｘ１，ｙ１）が（０，０）であるとする信号）を、ＩＣチップ９の外部に出力する（Ｓ１０６）。
【００８８】
＜第１接近座標（ｘ１，ｙ１）の計算（Ｓ１０５）＞
一方、最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）が所定のしきい値より大きい場合（Ｓ１０３：ＹＥＳ）、計算部９２は導電体Ｄ１が接近していると判断する。この場合、計算部９２は、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）の値を計算する（Ｓ１０５）。本実施形態において、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）のｘ１を計算するには、最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）と、この最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）と行番号が一つ異なり且つ互いに同一の列に含まれる２つの隣接第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ−１，ｕ）、ｍａｐ１（ｐｍａｘ＋１，ｕ）と、を用いる（ここでｕ＝２，３，・・・２ｍ＋１）。以下では一例として、ｕ＝ｑｍａｘである場合、すなわち、これらの２つの隣接第１マップ値が最大第１マップ値と同一の列に含まれる場合について説明する。
【００８９】
図１６は、本実施形態における第１接近座標（ｘ１，ｙ１）のｘ１の値の求め方の説明に用いるグラフである。同図に示すグラフの横軸は、隣接第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ−１，ｑｍａｘ）、最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）、および隣接第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ＋１，ｑｍａｘ）の各々に対応づけられている二次元座標のＸ１pqの値である。同グラフの縦軸は、各第１マップ値の値である。第１近接座標のｘ１の値を求めるには、同グラフの３つの第１マップ値を通る二次曲線を求める。そして、当該二次曲線の頂点の座標もしくは軸を求めるなどしてｘ１の値を計算する。
【００９０】
本実施形態において、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）のｙ１を計算するには、ｘ１を計算する場合と同様に、最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）と、この最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）と列番号が一つ異なる行に含まれる２つの隣接第１マップ値ｍａｐ１（ｖ，ｑｍａｘ−１）、ｍａｐ１（ｖ，ｑｍａｘ＋１）と、を用いる（ここでｖ＝２，３，・・・２ｎ＋１）。これら２つの隣接第１マップ値は、互いに同一の列に含まれる。ｙ１の値を計算する方法は、ｘ１の値を計算するのと同様であるから説明を省略する。
【００９１】
このようにして、計算部９２は、導電体Ｄ１の接近位置を示す第１接近座標（ｘ１，ｙ１）を計算する。そして、ＩＣチップ９は、計算した第１接近座標（ｘ１，ｙ１）に関する信号を外部に出力する（Ｓ１０６）。
【００９２】
以上の流れで、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）を計算できる。
【００９３】
次に本実施形態の作用について説明する。
【００９４】
本実施形態においては、図７に示したように、導電体Ｄ１が第１検出電極Ｅｘiに接近すると、数個（２，３個）の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）が他の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）に比べ大きくなる。同様に、導電体Ｄ１が第２検出電極Ｅｙjに接近すると、数個（２，３個）の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）が他の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）に比べ大きくなる。第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成することで、導電体Ｄ１が第１検出電極Ｅｘiに接近した場合に大きくなる第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）と、導電体Ｄ１が第２検出電極Ｅｙjに接近した場合に大きくなる第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）との影響を加味した値を求めることができる。そのため、図１４に示したように、導電体Ｄ１が第１検出電極Ｅｘi、第２検出電極Ｅｙjに接近した場合、特定の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）の値が極端に大きくなる。そのため、導電体Ｄ１の接近の有無を検出する際に用いるしきい値の設定幅を大きくすることができる。その結果、ノイズの影響により第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）や第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）が増加しても、導電体Ｄ１が接近していない限り第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）がしきい値を超えないように、より大きいしきい値を設定することができる。したがって、入力装置Ａ１によると、導電体Ｄ１が接近していないにもかかわらず導電体Ｄ１が接近したと判断してしまう誤作動を、抑制することができる。
【００９５】
本実施形態においては、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を用いて、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）を計算している。第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成できる数は、第１検出電極Ｅｘiの数、第２検出電極Ｅｙjの数に制限されない。そのため、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を多く作成することで、より正確な第１接近座標（ｘ１，ｙ１）を計算することができる。
【００９６】
本実施形態においては、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）を計算するために、図１６に示した二次曲線の頂点の座標もしくは軸を求めている。発明者らによると、このような計算方法は第１接近座標（ｘ１，ｙ１）を正確に求めるのに適することがわかった。
【００９７】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を求める際のパラメータが第１実施形態と異なり、その他の点は第１実施形態と同様である。以下、具体的に説明する。
【００９８】
本実施形態においては、領域Ｒpqは、各第１検出電極Ｅｘiの菱形状の部分４．５個分の面積を有する。
【００９９】
本実施形態においても、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）は、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ，２ｊ）の場合・・・・・・・（ケース１）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ＋１，２ｊ）の場合・・・・・（ケース２）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ，２ｊ＋１）の場合・・・・・（ケース３）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ＋１，２ｊ＋１）の場合・・・（ケース４）、
の４つの場合（ｉ＝１，２，・・・ｎ、ｊ＝１，２，・・・ｍ）ごとに、求める際に用いるパラメータが異なる。以下具体的に説明する。
【０１００】
＜ケース１＞
ケース１の二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i，Ｙ１2i）
＝（Ｘi，Ｙｉ）・・・（４−５）
と表わされる。
【０１０１】
ケース１において（２）式は、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ，２ｊ）
＝Ｓi-1Ｘｃｈ（ｉ−１）＋ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝０．３３７５Ｘｃｈ（ｉ−１）＋１．５７５Ｘｃｈ（ｉ）＋０．３３７５Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−５）
と表わされる。
【０１０２】
同様にケース１において（３）式は、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ，２ｊ）
＝Ｔj-1Ｙｃｈ（ｊ−１）＋ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝０．３３７５Ｙｃｈ（ｊ−１）＋１．５７５Ｙｃｈ（ｊ）＋０．３３７５Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−５）
と表わされる。
【０１０３】
ケース１においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１０４】
＜ケース２＞
ケース２の二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i+1，Ｙ１2j）
＝（（Ｘi＋Ｘi+1）／２，Ｙｊ）・・・（４−６）
と表わされる。
【０１０５】
ケース２において（２）式は、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ＋１，２ｊ）
＝ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝１．１２５Ｘｃｈ（ｉ）＋１．１２５Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−６）
と表わされる。
【０１０６】
ケース２において（３）式は、ケース１と同様、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ＋１，２ｊ）
＝Ｔj-1Ｙｃｈ（ｊ−１）＋ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝０．３３７５Ｙｃｈ（ｊ−１）＋１．５７５０Ｙｃｈ（ｊ）＋０．３３７５Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−６）
と表わされる。
【０１０７】
ケース２においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１０８】
＜ケース３＞
ケース３の二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i，Ｙ１2j+1）
＝（Ｘi，（Ｙj＋Ｙj+1）／２）・・・（４−７）
と表わされる。
【０１０９】
ケース３において（２）式は、ケース１と同様、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ，２ｊ＋１）
＝Ｓi-1Ｘｃｈ（ｉ−１）＋ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝０．３３７５Ｘｃｈ（ｉ−１）＋１．５７５０Ｘｃｈ（ｉ）＋０．３３７５Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−７）
と表わされる。
【０１１０】
ケース３において（３）式は、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ，２ｊ＋１）
＝ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝１．１２５Ｙｃｈ（ｊ）＋１．１２５Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−７）
と表わされる。
【０１１１】
ケース３においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１１２】
＜ケース４＞
ケース４の二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i+1，Ｙ１2j+1）
＝（（Ｘi＋Ｘi+1）／２，（Ｙj＋Ｙj+1）／２）・・・（４−８）
と表わされる。
【０１１３】
ケース４において（２）式は、ケース２と同様、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ＋１，２ｊ＋１）
＝ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝１．１２５Ｘｃｈ（ｉ）＋１．１２５Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−８）
と表わされる。
【０１１４】
ケース４において（３）式は、ケース３と同様、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ＋１，２ｊ＋１）
＝ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝１．１２５Ｙｃｈ（ｊ）＋１．１２５Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−８）
と表わされる。
【０１１５】
ケース４においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１１６】
以上のケース１〜ケース４の場合の計算をすることにより、複数の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成することができる。
【０１１７】
図１７に、導電体Ｄ１が接近した場合の、このようなパラメータを用いて作成した第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を三次元的に示す。
【０１１８】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を求める際のパラメータが第１、第２実施形態と異なり、その他の点は第１実施形態と同様である。以下、具体的に説明する。
【０１１９】
本実施形態においては、領域Ｒpqは、各第１検出電極Ｅｘiの菱形状の部分６．２５個分の面積を有する。
【０１２０】
本実施形態においても、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）は、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ，２ｊ）の場合・・・・・・・（ケース１）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ＋１，２ｊ）の場合・・・・・（ケース２）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ，２ｊ＋１）の場合・・・・・（ケース３）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ＋１，２ｊ＋１）の場合・・・（ケース４）、
の４つの場合ごとに、求める際に用いるパラメータが異なる（ｉ＝１，２，・・・ｎ、ｊ＝１，２，・・・ｍ）。以下具体的に説明する。
【０１２１】
＜ケース１＞
ケース１の二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i，Ｙ１2i）
＝（Ｘi，Ｙｉ）・・・（４−９）
と表わされる。
【０１２２】
ケース１において（２）式は、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ，２ｊ）
＝Ｓi-1Ｘｃｈ（ｉ−１）＋ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝０．５Ｘｃｈ（ｉ−１）＋２．１２５Ｘｃｈ（ｉ）＋０．５Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−９）
と表わされる。
【０１２３】
同様にケース１において（３）式は、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ，２ｊ）
＝Ｔj-1Ｙｃｈ（ｊ−１）＋ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝０．５Ｙｃｈ（ｊ−１）＋２．１２５Ｙｃｈ（ｊ）＋０．５Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−９）
と表わされる。
【０１２４】
ケース１においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１２５】
＜ケース２＞
ケース２の二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i+1，Ｙ１2j）
＝（（Ｘi＋Ｘi+1）／２，Ｙｊ）・・・（４−１０）
と表わされる。
【０１２６】
ケース２において（２）式は、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ＋１，２ｊ）
＝ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝１．５Ｘｃｈ（ｉ）＋１．５Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−１０）
と表わされる。
【０１２７】
ケース２において（３）式は、ケース１と同様、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ＋１，２ｊ）
＝Ｔj-1Ｙｃｈ（ｊ−１）＋ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝０．５６２５Ｙｃｈ（ｊ−１）＋２．１２５Ｙｃｈ（ｊ）＋０．５６２５Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−１０）
と表わされる。
【０１２８】
ケース２においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１２９】
＜ケース３＞
ケース３の二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i，Ｙ１2j+1）
＝（Ｘi，（Ｙj＋Ｙj+1）／２）・・・（４−１１）
と表わされる。
【０１３０】
ケース３において（２）式は、ケース１と同様、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ，２ｊ＋１）
＝Ｓi-1Ｘｃｈ（ｉ−１）＋ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝０．５６２５Ｘｃｈ（ｉ−１）＋２．１２５Ｘｃｈ（ｉ）＋０．５６２５Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−１１）
と表わされる。
【０１３１】
ケース３において（３）式は、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ，２ｊ＋１）
＝ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝１．５Ｙｃｈ（ｊ）＋１．５Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−１１）
と表わされる。
【０１３２】
ケース３においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１３３】
＜ケース４＞
ケース４の二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i+1，Ｙ１2j+1）
＝（（Ｘi＋Ｘi+1）／２，（Ｙj＋Ｙj+1）／２）・・・（４−１２）
と表わされる。
【０１３４】
ケース４において（２）式は、ケース２と同様、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ＋１，２ｊ＋１）
＝Ｓi-1Ｘｃｈ（ｉ−１）＋ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）＋Ｓi+2Ｘｃｈ（ｉ＋２）
＝０．０６２５Ｘｃｈ（ｉ−１）＋１．５Ｘｃｈ（ｉ）＋１．５Ｘｃｈ（ｉ＋１）＋０．０６２５Ｘｃｈ（ｉ＋２）・・・・（２−１２）
と表わされる。
【０１３５】
ケース４において（３）式は、ケース３と同様、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ＋１，２ｊ＋１）
＝Ｔj-1Ｙｃｈ（ｊ−１）＋ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔi+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）＋Ｔj+2Ｙｃｈ（ｊ＋２）
＝０．０６２５Ｙｃｈ（ｊ−１）＋１．５Ｙｃｈ（ｊ）＋１．５Ｙｃｈ（ｊ＋１）＋０．０６２５Ｙｃｈ（ｊ＋２）・・・・（３−１２）
と表わされる。
【０１３６】
ケース４においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１３７】
以上のケース１〜ケース４の場合の計算をすることにより、複数の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成することができる。
【０１３８】
図１８に、導電体Ｄ１が接近した場合の、このようなパラメータを用いて作成した第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を三次元的に示す。
【０１３９】
次に、本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態は、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）の求め方が、上述の方法と異なる。本実施形態では、第１接近座標のｘ１を計算するには、図１５の最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）と同じ列に含まれる全ての第１マップ値ｍａｐ１（ｖ，ｑｍａｘ）（ｖ＝２，３，・・・２ｎ＋１）を用いる。これらの複数の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）の大きさを重みとして、加重平均計算することにより、第１接近座標のｘ１を計算できる。
【０１４０】
同様に、第１接近座標のｙ１を計算するには、最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）と同じ行に含まれる全ての第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｕ）（ｕ＝２，３，・・・２ｍ＋１）を用いる。これらの複数の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）の大きさを重みとして、加重平均計算することにより、第１接近座標のｙ１を計算できる。
【０１４１】
次に、本発明の第５実施形態について説明する。本実施形態においては、図１９に示すような２つの導電体Ｄ１，Ｄ２の接近位置を計算する。図２０は、本実施形態の処理の流れを示すフローチャートである。同図に示すように、本実施形態は、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）のみならず、導電体Ｄ２の接近位置である第２接近座標（ｘ２，ｙ２）を計算している（Ｓ２０７〜Ｓ２１１）点において、第１実施形態と異なる。以下、具体的に説明する。
【０１４２】
まず、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）を計算するまでの工程（Ｓ２０１〜Ｓ２０５）は、図６に示す第１実施形態における工程（Ｓ１０１〜Ｓ１０５）と同様である。
【０１４３】
＜準備処理（Ｓ２０６）＞
次に、第２接近座標（ｘ２，ｙ２）を計算するための準備処理を行う（Ｓ２０６）。上述のように、複数の第１検出電極Ｅｘiから得られた複数の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）、および、複数の第２検出電極Ｅｙjから得られた複数の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）が記憶部９１に記憶されている。図２１に示すように、準備処理として、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）に最も近接する第１検出電極Ｅｘi（図１９、図２１ではＥｘ8）から得られた第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）を減少させる。第２接近座標（ｘ２，ｙ２）を計算するうえで、導電体Ｄ１の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）への接近による影響を減少させるためである。同様に、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）に最も近接する第１検出電極Ｅｘiと隣り合う第１検出電極Ｅｘi-1から得られる第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ−１）、および、第１検出電極Ｅｘi+1から得られる第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ＋１）、の２つの値を小さくする。
【０１４４】
同様に、準備処理として、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）に最も近接する第２検出電極Ｅｙj（図１９、図２１ではＥｙ3）から得られた第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）を減少させる。また、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）に最も近接する第２検出電極Ｅｙjと隣り合う第２検出電極Ｅｙj-1から得られる第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ−１）、および、第２検出電極Ｅｙj+1から得られる第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ＋１）、の２つの値を小さくする。たとえばこれらの第１方向検出値および第２方向検出値の値の各々を、２分の１にする。
【０１４５】
＜第２マップ値の作成（Ｓ２０７）＞
次に、上述の準備処理を終えた後に、第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）と第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）とを用いて、複数の第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を作成する（Ｓ２０７）。以下に述べる第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）の求め方は、上述の準備処理を終えた後の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）と第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）を用いる点を除いて、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）の求め方と同様である。第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）も、第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）の少なくともいずれかと第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）の少なくともいずれかとを演算した値である。
【０１４６】
第２マップ値は、その第２マップ値を求めるのに用いた第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）の各々と正の相関を有する。すなわち、第２マップ値の値は、その第２マップ値を求めるのに用いた第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）のうちある特定の第１方向検出値Ｘｃｈ(ｉ)以外の値、および、その第２マップ値を求めるのに用いた第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）の値が同一であれば、当該特定の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｊ）の値が大きいほど、大きい。また、第２マップ値は、その第２マップ値を求めるのに用いた第２方向検出値Ｙｃｈ（ｉ）の各々と正の相関を有する。すなわち、第２マップ値の値は、その第２マップ値を求めるのに用いた第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）、および、その第２マップ値を求めるのに用いた第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）のうちある特定の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）以外の値が同一であれば、当該特定の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）の値が大きいほど、大きい。
【０１４７】
また、作成する第２マップ値の個数は、複数の第１方向検出値Ｘｃｈ(ｉ)のいずれかと複数の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）のいずれかとの組み合わせ方によって、自在に決定できる。以下では、２ｎ×２ｍ個の第２マップ値を作成する例を示す。
【０１４８】
第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）の各々に対応づけられている二次元座標（Ｘ２pq，Ｙ２pq）は、図２２等に示す所定面積の領域Ｒpqの重心座標である。領域Ｒpqの形状はどのような形状であってもよい。本実施形態においては、領域Ｒpqは、各第１検出電極Ｅｘiの菱形状の部分４個分の面積を有する。第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）は、
ｍａｐ２（ｐ，ｑ）＝Ｗｘ（ｐ，ｑ）＋Ｗｙ（ｐ，ｑ）・・・（６）
と定義される。
【０１４９】
Ｗｘ（ｐ，ｑ）は第３値であり、
Ｗｘ（ｐ，ｑ）＝ΣＳk・Ｘｃｈ（ｋ）・・・（７）
と表わされる。
ここで、Ｓkは、領域Ｒpqと第１検出電極Ｅｘkとが重なる領域の面積である（ｋ＝１，２，・・・，ｎ）。すなわち第３値Ｗｘ（ｐ，ｑ）は、領域Ｒpqと第１検出電極Ｅｘkとが重なる領域のそれぞれの面積を重みとして、各第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）を加算した値である。
【０１５０】
同様に、Ｗｙ（ｐ，ｑ）は第４値であり、
Ｗｙ（ｐ，ｑ）＝ΣＴk・Ｙｃｈ（ｋ）・・・（８）
と表わされる。
ここでＴkは、Ｓkと同様に、領域Ｒpqと第２検出電極Ｅｙkとが重なる領域の面積である（ｋ＝１，２，・・・，ｍ）。すなわち第４値Ｗｙ（ｐ，ｑ）は、領域Ｒpqと第２検出電極Ｅｙkとが重なる領域のそれぞれの面積を重みとして、各第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）を加算した値である。
【０１５１】
そのため、第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）は、領域Ｒpqと第１検出電極Ｅｘkとが重なる領域のそれぞれの面積を重みとして、各第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）を加算した値と、領域Ｒpqと第２検出電極Ｅｙkとが重なる領域のそれぞれの面積を重みとして、各第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）を加算した値と、の和といえる。
【０１５２】
本実施形態において、第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）は、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ，２ｊ）の場合・・・・・・・（ケース１、図２２参照）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ＋１，２ｊ）の場合・・・・・（ケース２、図２３参照）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ，２ｊ＋１）の場合・・・・・（ケース３、図２４参照）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ＋１，２ｊ＋１）の場合・・・（ケース４、図２５参照）、
の４つの場合（ｉ＝１，２，・・・ｎ、ｊ＝１，２，・・・ｍ）ごとに、求める際に用いるパラメータが異なる。以下具体的に説明する。
【０１５３】
＜ケース１＞
図２２を用いて、ケース１について説明する。同図に示す通り、二次元座標（Ｘ２pq，Ｙ２pq）については、
（Ｘ２pq，Ｙ２pq）＝（Ｘ２2i，Ｙ２2j）
＝（Ｘi，Ｙj）・・・（９−１）
と表わされる。
Ｘiは、第１検出電極Ｅｘiの方向ｘにおける中心位置である。同様に、Ｙjは、第２検出電極Ｅｙjの方向ｙにおける中心位置である。
【０１５４】
ケース１において（７）式は、
Ｗｘ（ｐ，ｑ）＝Ｗｘ（２ｉ，２ｊ）
＝Ｓi-1Ｘｃｈ（ｉ−１）＋ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝０．３Ｘｃｈ（ｉ−１）＋１．４Ｘｃｈ（ｉ）＋０．３Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（７−１）
と表わされる。
Ｓi-1，Ｓi，Ｓi+1については、第１検出電極Ｅｘiに含まれる菱形の電極一つの面積を１とし、Ｓi-1＝０．３，Ｓi＝１．４，Ｓi+1＝０．３としている。なお、Ｘｃｈ（０），Ｘｃｈ（ｎ＋１）等の実在しない値としては、適当な値を用いる。
【０１５５】
同様にケース１において（８）式は、
Ｗｙ（ｐ，ｑ）＝Ｗｙ（２ｉ，２ｊ）
＝Ｔj-1Ｙｃｈ（ｊ−１）＋ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝０．３Ｙｃｈ（ｊ−１）＋１．４Ｙｃｈ（ｊ）＋０．３Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（８−１）
と表わされる。
Ｔj-1，Ｔj，Ｔj+1については、第２検出電極Ｅｙjに含まれる菱形の電極一つの面積を１とし、Ｔj-1＝０．３，Ｔj＝１．４，Ｔj+1＝０．３としている。なお、Ｙｃｈ（０），Ｙｃｈ（ｍ＋１）等の実在しない値としては、適当な値を用いる。
【０１５６】
ケース１においてはこのような第３値Ｗｘ（ｐ，ｑ）および第４値Ｗｙ（ｐ，ｑ）を求め、（６）式により第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１５７】
＜ケース２＞
図２３は、ケース２について説明する図である。同図に示す通り、二次元座標（Ｘ２pq，Ｙ２pq）については、
（Ｘ２pq，Ｙ２pq）＝（Ｘ２2i+1，Ｙ２2j）
＝（（Ｘi＋Ｘi+1）／２，Ｙj）・・・（９−２）
と表わされる。
Ｘi+1は、第１検出電極Ｅｘi+1の方向ｘにおける中心位置である。
【０１５８】
ケース２において（７）式は、
Ｗｘ（ｐ，ｑ）＝Ｗｘ（２ｉ＋１，２ｊ）
＝ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝１．０Ｘｃｈ（ｉ）＋１．０Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（７−２）
と表わされる。
Ｓi，Ｓi+1については、第１検出電極Ｅｘiに含まれる菱形の電極一つの面積を１とし、Ｓi＝１．０，Ｓi+1＝１．０としている。
【０１５９】
ケース２において（８）式は、ケース１と同様、
Ｗｙ（ｐ，ｑ）＝Ｗｙ（２ｉ＋１，２ｊ）
＝Ｔj-1Ｙｃｈ（ｊ−１）＋ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝０．３Ｙｃｈ（ｊ−１）＋１．４Ｙｃｈ（ｊ）＋０．３Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（８−２）
と表わされる。
【０１６０】
ケース２においてはこのような第３値Ｗｘ（ｐ，ｑ）および第４値Ｗｙ（ｐ，ｑ）を求め、（６）式により第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１６１】
＜ケース３＞
図２４は、ケース３について説明する図である。同図に示す通り、二次元座標（Ｘ２pq，Ｙ２pq）については、
（Ｘ２pq，Ｙ２pq）＝（Ｘ２2i，Ｙ２2j+1）
＝（Ｘi，（Ｙj＋Ｙj+1）／２）・・・（９−３）
と表わされる。
Ｙi+1は、第２検出電極Ｅｙjの方向ｙにおける中心位置である。
【０１６２】
ケース３において（７）式は、ケース１と同様、
Ｗｘ（ｐ，ｑ）＝Ｗｘ（２ｉ，２ｊ＋１）
＝Ｓi-1Ｘｃｈ（ｉ−１）＋ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝０．３Ｘｃｈ（ｉ−１）＋１．４Ｘｃｈ（ｉ）＋０．３Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（７−３）
と表わされる。
【０１６３】
ケース３において（８）式は、
Ｗｙ（ｐ，ｑ）＝Ｗｙ（２ｉ，２ｊ＋１）
＝ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝１．０Ｙｃｈ（ｊ）＋１．０Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（８−３）
と表わされる。
Ｔj，Ｔj+1については、第２検出電極Ｅｙjに含まれる菱形の電極一つの面積を１とし、Ｔj＝１．０，Ｔj+1＝１．０としている。
【０１６４】
ケース３においてはこのような第３値Ｗｘ（ｐ，ｑ）および第４値Ｗｙ（ｐ，ｑ）を求め、（６）式により第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１６５】
＜ケース４＞
図２５は、ケース４について説明する図である。同図に示す通り、二次元座標（Ｘ２pq，Ｙ２pq）については、
（Ｘ２pq，Ｙ２pq）＝（Ｘ２2i+1，Ｙ２2j+1）
＝（（Ｘi＋Ｘi+1）／２，（Ｙj＋Ｙj+1）／２）・・・（９−４）
と表わされる。
【０１６６】
ケース４において（７）式は、ケース２と同様、
Ｗｘ（ｐ，ｑ）＝Ｗｘ（２ｉ＋１，２ｊ＋１）
＝ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝１．０Ｘｃｈ（ｉ）＋１．０Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（７−４）
と表わされる。
【０１６７】
ケース４において（８）式は、ケース３と同様、
Ｗｙ（ｐ，ｑ）＝Ｗｙ（２ｉ＋１，２ｊ＋１）
＝ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝１．０Ｙｃｈ（ｊ）＋１．０Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（８−４）
と表わされる。
【０１６８】
ケース４においてはこのような第３値Ｗｘ（ｐ，ｑ）および第４値Ｗｙ（ｐ，ｑ）を求め、（６）式により第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１６９】
以上のケース１〜ケース４の場合の計算をすることにより、複数の第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を作成することができる。
【０１７０】
ｉ＝１，２，・・・，ｎであることを考慮すると、ｐは、２から２ｎ＋１までの２ｎ個の整数である。一方、ｊ＝１，２，・・・，ｍであることを考慮すると、ｑは、２から２ｍ＋１までの２ｍ個の整数である。そこで、第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）は、２ｎ×２ｍ行列Ｔ２の要素と考えることができる。ここで、行列Ｔ２の要素βrsを、
βrs＝ｍａｐ２（ｒ＋１，ｓ＋１）・・・（１０）
（ｒ＝１，２，・・・２ｎ、ｓ＝１，２，・・・２ｍ）
と定義する（図２６参照）。
【０１７１】
また、式（９−１）、式（９−２）、式（９−３）、式（９−４）から、複数の第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）におけるｐの値が互いに同一であれば、それらの第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）に対応づけられた二次元座標のＸ２pqの値は同一であることが分かる。そのため、行列Ｔ２において行番号が同一であれば、行列要素（第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ））に対応づけられた二次元座標のＸ２pqの値は同一である。たとえば、３行目の成分のｐは４であり、（９−１）式、（９−３）式によると、Ｘ２pq＝Ｘ2である。
【０１７２】
同様に、複数の第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）におけるｑの値が互いに同一であれば、それらの第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）に対応づけられた二次元座標のＹ２pqの値は同一であることが分かる。そのため、行列Ｔ２において列番号が同一であれば、行列要素（第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ））に対応づけられた二次元座標のＹ２pqの値は同一である。たとえば、２列目の成分のｑは３であり、（９−３）式、（９−４）式によると、Ｙ２pq＝（Ｙ1＋Ｙ2）／２である。
【０１７３】
また、式（９−１）、式（９−２）、式（９−３）、式（９−４）によると、ｐの値が大きくなるほどＸ２pqの値が大きくなっており、且つ、ｑの値が大きくなるほどＹ２pq大きくなっている。そのため、行列Ｔ２においては、行番号が増加するにつれ当該行の成分（第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ））に対応づけられた二次元座標のＸ２pqの値は、単調に増加する。また同様に、行列Ｔ２においては、列番号増加するにつれ当該列の成分（第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ））に対応づけられた二次元座標のＹ２pqの値は、単調に増加する。
【０１７４】
＜導電体Ｄ２の接近の有無を判断（Ｓ２０８）＞
次に、図２７を参照しつつ、上述のプロセスにより作成された第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を用いて、導電体Ｄ２の接近の有無を判断する工程（Ｓ２０８）について説明する。まず、上記の処理において求められた第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）のうち、最も大きい最大第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）を抽出する（ｐｍａｘは、本実施形態においては第２マップ値が最大値をとるときのｐの値である。同様に、ｑｍａｘは、本実施形態においては第２マップ値が最大値をとるときのｑの値である）。次に、計算部９２は、この最大第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）の値が所定のしきい値より大きいか否かを判断する。最大第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）が、所定のしきい値以下である場合（Ｓ２０８：ＮＯ）、計算部９２は、導電体Ｄ２が接近していないと判断する（Ｓ２０９）。
【０１７５】
導電体Ｄ２が接近していないと判断した場合、計算部９２は、導電体Ｄ２が接近していないとする信号（たとえば第２接近座標（ｘ２，ｙ２）が（０，０）であるとする信号）と、既に計算した第１接近座標（ｘ１，ｙ１）とを、ＩＣチップ９の外部に出力する（Ｓ２１１）。
【０１７６】
＜第２接近座標（ｘ２，ｙ２）の計算（Ｓ２１０）＞
一方、最大第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）が所定のしきい値より大きい場合（Ｓ２０８：ＹＥＳ）、計算部９２は導電体Ｄ２が接近していると判断する。この場合、計算部９２は、第２接近座標（ｘ２，ｙ２）の値を計算する（Ｓ２１０）。本実施形態において、第２接近座標（ｘ２，ｙ２）のｘ２を計算するには、最大第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）と、この最大第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）と行番号が一つ異なり且つ互いに同一の列に含まれる２つの隣接第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ−１，ｕ）、ｍａｐ２（ｐｍａｘ＋１，ｕ）と、を用いる（ここでｕ＝２，３，・・・２ｍ＋１）。以下では一例として、ｕ＝ｑｍａｘである場合、すなわち、これらの２つの隣接第２マップ値が最大第２マップ値と同一の列に含まれる場合について説明する。
【０１７７】
図２８は、本実施形態における第２接近座標（ｘ２，ｙ２）のｘ２の値の求め方に用いるグラフである。同図に示すグラフの横軸は、隣接第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ−１，ｑｍａｘ）、最大第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）、および隣接第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ＋１，ｑｍａｘ）の各々に対応づけられている二次元座標のＸ２pqの値である。同グラフの縦軸は、各第２マップ値の値である。第１近接座標のｘ２の値を求めるには、同グラフの３つの第２マップ値を通る二次曲線を求める。そして、当該二次曲線の頂点の座標もしくは軸を求めるなどしてｘ２の値を計算する。
【０１７８】
本実施形態において、第２接近座標（ｘ２，ｙ２）のｙ２を計算するには、ｘ２を計算する場合と同様に、最大第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）と、この最大第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）と列番号が一つ異なる行に含まれる２つの隣接第２マップ値ｍａｐ２（ｖ，ｑｍａｘ−１）、ｍａｐ２（ｖ，ｑｍａｘ＋１）と、を用いる（ここでｖ＝２，３，・・・２ｎ＋１）。これら２つの隣接第２マップ値は、互いに同一の列に含まれる。ｙ２の値を計算する方法は、ｘ２の値を計算するのと同様であるから説明を省略する。
【０１７９】
このようにして、計算部９２は、導電体Ｄ２の接近位置を示す第２接近座標（ｘ２，ｙ２）を計算する。そして、ＩＣチップ９は、計算した第２接近座標（ｘ２，ｙ２）と、既に計算した第１接近座標（ｘ１，ｙ１）とに関する信号を外部に出力する（Ｓ２１１）。
【０１８０】
以上の流れで、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）および第２接近座標（ｘ２，ｙ２）を計算できる。
【０１８１】
次に本実施形態の作用について説明する。
【０１８２】
本実施形態においても、第１実施形態と同様に、導電体Ｄ２が接近していないにもかかわらず導電体Ｄ２が接近したと判断してしまう誤作動を、抑制することができる。
【０１８３】
本実施形態においては、第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を用いて、第２接近座標（ｘ２，ｙ２）を計算している。第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を作成できる数は、第１検出電極Ｅｘiの数、第２検出電極Ｅｙjの数に制限されない。そのため、第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を多く作成することで、より正確な第２接近座標（ｘ２，ｙ２）を計算することができる。
【０１８４】
本実施形態においては、第２接近座標（ｘ２，ｙ２）を計算するために、図２８に示した二次曲線の頂点の座標もしくは軸を求めている。発明者らによると、このような計算方法は第２接近座標（ｘ２，ｙ２）を正確に求めるのに適することがわかった。
【０１８５】
次に、本発明の第６実施形態について説明する。本実施形態は、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）が、第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）と第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）との和を累乗した値である点において、第１実施形態と相違する。
【０１８６】
すなわち、本実施形態において第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）は、
ｍａｐ１（ｐ，ｑ）＝（Ｖｘ（ｐ，ｑ）＋Ｖｙ（ｐ，ｑ））v・・・（１）’
（ｖ＝２，３，４・・・）
と定義される。
【０１８７】
第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）の求め方や、工程Ｓ１０３〜Ｓ１０６は、第１実施形態と同様であるので説明を省略する。
【０１８８】
本実施形態によると、図２９，図３０に示す導電体Ｄ１の透過板２に対する接触面積が第１実施形態における接触面積よりも小さい場合であっても、導電体Ｄ１の接近位置を正確に計算できる。導電体Ｄ１の透過板２に対する接触面積が小さいといったことは、たとえば導電体Ｄ１の大きさが小さい場合（導電体Ｄ１が子供の指である場合、図２９，図３０参照）や、導電体Ｄ１たる指を透過板２に十分に押し当てていない場合に生じる。また本実施形態によると、ノイズの影響により、常時、複数の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）がわずかに値を示している場合や、常時、複数の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）がわずかに値を示している場合であっても、導電体Ｄ１の接近位置を正確に計算できる。その理由は以下のとおりである。
【０１８９】
導電体Ｄ１の透過板２に対する接触面積が小さい場合に導電体Ｄ１の接近位置を正確に計算するためには、ノイズに由来する第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）や第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）を用いて求められる第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）に対する、導電体Ｄ１が第１検出電極Ｅｘiおよび第２検出電極Ｅｙjに接近した場合に大きくなる第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）、の比Ｒａが大きいことが望ましい。また、ノイズの影響により、常時、複数の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）がわずかに値を示している場合や、常時、複数の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）がわずかに値を示している場合に、導電体Ｄ１の接近位置を正確に計算するためにも、比Ｒａが大きいことが望ましい。比Ｒａが大きいと、導電体Ｄ１の透過板２に対する接触面積が小さい場合であっても導電体Ｄ１が接近したとより確実に判断でき、且つ、ノイズの影響があっても導電体Ｄ１が接近したと誤判断しにくいしきい値を設定できるからである。
【０１９０】
また、本実施形態においては、指数ｖが１より大きいため、ｖ＝１である場合と比較して、比Ｒａが大きくなる。このことは、図３１〜図３３を参照することにより理解できる。
【０１９１】
図３１に、図３０に示すように導電体Ｄ１が透過板２に接近した場合の、第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）および第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）ごとの各値を三次元の棒グラフで示している。
【０１９２】
第１検出電極Ｅｘ1〜Ｅｘnのうち、図３０に示す導電体Ｄ１の透過板２に対する接触領域の大部分と対向し合うのは、第１検出電極Ｅｘ4である。そのため、図３１では、第１方向検出値Ｘｃｈ（４）が他の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）より大きい値を示している。導電体Ｄ１の透過板２に対する接触面積は第１実施形態における接触面積より小さいから、第１検出電極Ｅｘ4と対向する面積も小さい。そのため、第１方向検出値Ｘｃｈ（４）の値は第１実施形態における値より小さい。第１検出電極Ｅｘ1〜Ｅｘnのうち電極Ｅｘ3は、図３０に示す導電体Ｄ１の透過板２に対する接触領域とわずかに対向し合う。そのため、図３１では、第１方向検出値Ｘｃｈ（３）がわずかに値を示している。また、本実施形態では、ノイズの影響により、常時、複数の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）がわずかな値を示す場合について述べる。図３１では、ノイズの影響により、Ｘｃｈ（１），Ｘｃｈ（６），Ｘｃｈ（９）がわずかに値を示している。
【０１９３】
第２検出電極Ｅｙ1〜Ｅｙmのうち、図３０に示す導電体Ｄ１の透過板２に対する接触領域と対向し合うのは、第２検出電極Ｅｙ10のみである。そのため、図３１では、第２方向検出値Ｙｃｈ（１０）が他の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）より大きい値を示している。導電体Ｄ１の透過板２に対する接触面積は第１実施形態における接触面積より小さいから、第２検出電極Ｅｙ10と対向する面積も小さい。そのため、第２方向検出値Ｙｃｈ（１０）の値は第１実施形態におけるものより小さい。また、本実施形態では、ノイズの影響により、常時、複数の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）がわずかな値を示す場合について述べる。図３１では、ノイズの影響により、Ｙｃｈ（３），Ｙｃｈ（６）がわずかに値を示している。
【０１９４】
図３２に、図３１に示す第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）および第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）を用い、（１）’式でｖ＝１とした場合、すなわち第１実施形態で述べた方法で求めた場合の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を三次元で示している。図３３に、図３１に示す第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）および第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）を用い、（１）’式でｖ＝３とした場合の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を三次元で示している。
【０１９５】
図３２に示すように、導電体Ｄ１の透過板２に対する接触面積が小さいため、同図にてピークを示す第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）（たとえば、ｍａｐ１（８，２０））は、他の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）よりもわずかに大きい程度である。また、ノイズに由来する第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）（たとえばＸｃｈ（６））や第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）（たとえばＹｃｈ（６））を用いて求められる第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）（一例を図３２にてＲαで示す）が、比較的大きい値を示している。そのため、図３２に示す場合は、比Ｒａの値は比較的小さい。
【０１９６】
一方、図３３では、図３２に示す場合と比較して、ピークを示す第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）（たとえば、ｍａｐ１（８，２０））が、他の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）よりも極端に大きくなっている。また、図３３では、ノイズに由来する第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）（たとえばＸｃｈ（６））や第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）（たとえばＹｃｈ（６））を用いて求められる第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）（一例を図３３にてＲαで示す）が、比較的小さくなっている。そのため、図３３に示す場合は、比Ｒａの値は比較的大きい。
【０１９７】
以上より、本実施形態では、ｖ＝１である場合と比較して、比Ｒａが大きくなることがわかる。
【０１９８】
したがって、本実施形態によれば、導電体Ｄ１の透過板２に対する接触面積が第１実施形態における面積より小さい場合であっても、導電体Ｄ１の接近位置を正確に計算できる。また、本実施形態によれば、ノイズの影響により、常時、複数の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）がわずかに値を示している場合や、常時、複数の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）がわずかに値を示している場合であっても、導電体Ｄ１の接近位置を正確に計算できる。
【０１９９】
なお、本実施形態と同様に、第４実施形態において、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を、
ｍａｐ１（ｐ，ｑ）＝（Ｖｘ（ｐ，ｑ）＋Ｖｙ（ｐ，ｑ））v・・・（１）’
（ｖ＝２，３，４・・・）
と定義して、計算してもよい。
【０２００】
さらに、第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を、
ｍａｐ２（ｐ，ｑ）＝（Ｗｘ（ｐ，ｑ）＋Ｗｙ（ｐ，ｑ））w・・・（６）’
（ｗ＝２，３，４・・・）
と定義して計算してもよい。
また、ｖ＝ｗとして計算してもよい。
【０２０１】
このような構成によっても、上述のように、導電体Ｄ１，Ｄ２の接近位置をそれぞれ、正確に計算できる。
【０２０２】
本発明の範囲は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。たとえば、第１マップ値は、第１値と第２値との和である例を示したが、第１値と第２値とを掛け合わせた第１マップ値を所定のしきい値と比較することにより、導電体の接近の有無を判断してもよい。
【０２０３】
上記の実施形態においては、第１検出電極と第２検出電極とが異なる基板上に形成されているが、これらの第１検出電極および第２検出電極は単一基板上に形成されていてもよい。
【０２０４】
本発明にかかる入力装置は、携帯電話機に用いられるものに限られない。たとえば、デジタルカメラ、パーソナルナビゲーションデバイス、自動預入支払機等、タッチパネルを用いる機器において、本発明の入力装置を利用することができる。
【０２０５】
第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する工程（Ｓ１０２）と、導電体Ｄ１の接近の有無を判断する工程（Ｓ１０３）との間に、ノイズの影響によりわずかに値を示す第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を０にする計算を行ってもよい。このような計算は、たとえば、ある値以下の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を０とすることにより行われる。
【符号の説明】
【０２０６】
Ａ１ 入力装置
１，２ 透過板
３，３’ 配線
４ 樹脂層
５ スペーサ
６ 異方性導電樹脂部
７ シールド層
８ フレキシブル基板
９ ＩＣチップ
９１ 記憶部
９２ 計算部
Ｅｘi 第１検出電極
Ｅｙj 第２検出電極
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量式入力装置および静電容量式入力装置における導電体の接近位置の計算方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図３４は、従来の入力装置の一例を示している。図３５は、図３４のＸＸＸＶ−ＸＸＸＶ線に沿った要部平面図である。これらの図に示された入力装置９Ｘは、液晶表示パネル９Ｙと重ねて用いられることにより、いわゆるタッチパネルを構成している。このタッチパネルは、たとえば携帯電話機９Ｚの表示手段および操作手段として用いられる。
【０００３】
入力装置９Ｘは、透過板９１（図３５では省略）、透過板９２、検出電極９ａ，９ｂ、配線９３１、配線９３２（図３４では省略）、フレキシブル基板９７１、および、ＩＣチップ９７２、を備える。透過板９１，９２は、互いに平行に配置されている。検出電極９ａ，９ｂはそれぞれ、透過板９１，９２に形成されている。検出電極９ａはいずれも、方向ｙに沿って延びており、互いに平行に配置されている。検出電極９ｂはいずれも、方向ｘに沿って延びており、互いに平行に配置されている。配線９３１は、検出電極９ａと各別に接続している。配線９３２は、検出電極９ｂと各別に接続している。フレキシブル基板９７１は、透過板９２の端部に設けられている。
【０００４】
ＩＣチップ９７２は、フレキシブル基板９７１に設けられている。図３６に、検出電極９ａとＩＣチップ９７２との接続状態を模式的に示している。ＩＣチップ９７２は、複数の入力端子ｃｈを備えている。入力端子ｃｈはそれぞれ、配線９３１と各別に接続している。これにより、入力端子ｃｈはそれぞれ、検出電極９ａと各別に接続している。図示していないが、検出電極９ｂについても同様である。
【０００５】
図３４に示すように、携帯電話機９Ｚは、筺体の一部を構成する透明カバー９８を有している。入力装置９Ｘは、透明接着剤によって透明カバー９８に接合されている。入力装置９Ｘの図３４下方には、液晶表示パネル９Ｙが配置されている。携帯電話機９Ｚの使用者が携帯電話機９Ｚを操作するときに、指などの導電体９Ｄを透明カバー９８に対して接近させ、あるいは接触させることにより、導電体９Ｄと検出電極９ａ，９ｂとの間に静電容量が生じる。図３６には、導電体９Ｄを透明カバー９８に接近もしくは接触させたときの、導電体９Ｄと検出電極９ａと間の静電容量の変化に対応する値（背景技術の項では便宜上、静電容量の変化の値とする）を表すグラフを示している。静電容量が増加した入力端子ｃｈに接続している検出電極９ａを特定することにより、導電体９Ｄが平面視においてどの位置に接近してきたかを検出することができる。
【０００６】
このような入力装置９Ｘにおいては、外来のノイズの影響により、導電体９Ｄが接近していない場合であっても検出電極９ａや検出電極９ｂの静電容量が微小に変化することがある。そのため、ＩＣチップ９７２は、方向ｘ，ｙにおける導電体９Ｄの接近位置に関する情報を得る前もしくは後に、検出電極９ａや検出電極９ｂの静電容量の増加分が所定のしきい値を超えているか否かを判断していた。検出電極９ａの静電容量の増加分が所定のしきい値を超えていない場合、ＩＣチップ９７２は、導電体９Ｄが検出電極９ａや検出電極９ｂに接近していないと判断する。このとき、ＩＣチップ９７２は、たとえ検出電極９ａや検出電極９ｂの静電容量が変化した場合であっても導電体９Ｄの接近位置に関する信号を外部に出力せず、導電体９Ｄが接近していないとする信号を外部に出力する。一方、検出電極９ａや検出電極９ｂの静電容量の増加分が所定のしきい値を超えている場合、ＩＣチップ９７２は導電体９Ｄの接近位置に関する情報を外部に出力する。
【０００７】
しかしながら、たとえば、このような入力装置９Ｘを備える携帯電話機９Ｚの透明カバー９８が厚い場合、導電体９Ｄと検出電極９ａや検出電極９ｂとの最短の離隔距離が大きくなる。そうすると、導電体９Ｄが検出電極９ａや検出電極９ｂに接近しても、検出電極９ａや検出電極９ｂの静電容量の増加量が減少する。そのため、上記のしきい値として設定すべき値を小さくせざるをえなくなる。設定するしきい値を小さくすると、外来のノイズに影響され検出電極９ａや検出電極９ｂの静電容量が変化した場合に、検出電極９ａや検出電極９ｂの静電容量の増加分が当該しきい値を超えてしまうおそれがある。このようなことでは、導電体９Ｄが検出電極９ａや検出電極９ｂに接近していないにもかかわららず導電体９Ｄが検出電極９ａや検出電極９ｂに接近したと判断してしまう不具合を招来する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−３３７７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、誤作動の発生を抑制することができる静電容量式入力装置、および静電容量式入力装置における導電体の接近位置の計算方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の側面によって提供される静電容量式入力装置は、第１方向に配列され且つ上記第１方向と交差する第２方向に延びる複数の第１検出電極と、上記第２方向に配列され且つ上記第１方向に延びる複数の第２検出電極と、導電体と各第１検出電極との間の静電容量の変化に伴い各第１検出電極を介して得られる値をそれぞれ複数の第１方向検出値として記憶し、且つ、上記導電体と各第２検出電極との間の静電容量の変化に伴い各第２検出電極を介して得られる値をそれぞれ複数の第２方向検出値として記憶する記憶手段と、計算部と、を備え、上記計算部は、上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第１値と、上記複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第２値とを演算した第１マップ値を複数作成する処理と、複数の上記第１マップ値を用いて上記導電体の接近の有無を判断する処理とを実行する。
【００１１】
本発明の好ましい実施の形態においては、複数の上記第１マップ値は、複数の上記第１マップ値のうちで最も大きい最大第１マップ値を含み、上記導電体の接近の有無を判断する処理においては、上記最大第１マップ値と所定のしきい値とを比較する。
【００１２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１値は、上記第１検出電極と所定領域とが重なる面積を重みとして、上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて加算した値であり、上記第２値は、上記第２検出電極と上記所定領域とが重なる面積を重みとして、上記複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて加算した値である。
【００１３】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１マップ値は、上記第１値と上記第２値との和である。
【００１４】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１マップ値は、上記第１値と上記第２値との和を累乗した値である。
【００１５】
本発明の好ましい実施の形態においては、各第１マップ値は、上記第１方向における一つの座標値と上記第２方向における一つの座標値とを一組含む二次元座標に対応付けられており、上記計算部は、複数の上記第１マップ値を用いて上記第１方向と上記第２方向とにおける上記導電体の第１接近位置を計算する処理を更に実行する。
【００１６】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１接近位置を計算する処理においては、複数の上記第１マップ値のうちの一部のみを用いて上記第１接近位置を計算する。
【００１７】
本発明の好ましい実施の形態においては、各第１マップ値は、行成分がそれぞれ上記第１方向における一つの座標値に対応づけられ且つ列成分がそれぞれ上記第２方向における一つの座標値に対応づけられた第１行列の複数の要素のいずれかであり、上記第１行列においては、行番号が増加するにつれ当該行成分に対応づけられた上記第１方向における座標値が単調に変化し、且つ、列番号が増加するにつれ当該列成分に対応づけられた上記第２方向における座標値が単調に変化し、複数の上記第１マップ値は、複数の上記第１マップ値のうちで最も大きい最大第１マップ値と、当該最大第１マップ値と行番号が一つ異なり且つ互いに列番号が同一である２つの隣接第１マップ値とを含み、上記第１接近位置を計算する処理においては、上記最大第１マップ値と上記２つの隣接第１マップ値とを用い、上記第１接近位置を計算する。
【００１８】
本発明の好ましい実施の形態においては、複数の上記第１検出電極は、上記複数の第１検出電極のうち上記第１接近位置に最も近接する第１近接検出電極を含み、複数の上記第２検出電極は、上記複数の第２検出電極のうち上記第１接近位置に最も近接する第２近接検出電極を含み、上記計算部は、第２接近位置計算の準備処理を実行し、当該準備処理は、上記記憶手段における、上記複数の第１方向検出値のうち上記第１近接検出電極に対応する値を小さく変換し、且つ、上記記憶手段における、上記複数の第２方向検出値のうち上記第２近接検出電極に対応する値を小さく変換するものである。
【００１９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記計算部は、上記準備処理が行われた後に、上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第３値と、上記複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第４値とを演算した第２マップ値を複数作成する処理と、複数の上記第２マップ値を用いて上記導電体の接近の有無を判断する処理とを更に実行する。
【００２０】
本発明の好ましい実施の形態においては、各第２マップ値は、上記第１方向における一つの座標値と上記第２方向における座標値とを一組含む二次元座標に対応付けられており、上記計算部は、複数の上記第２マップ値を用いて上記導電体の上記第１方向および上記第２方向における第２接近位置を計算する処理を更に実行する。
【００２１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２接近位置を計算する処理においては、複数の上記第２マップ値のうちの一部のみを用いて上記第２接近位置を計算する。
【００２２】
本発明の好ましい実施の形態においては、各第２マップ値は、行成分がそれぞれ上記第１方向における一つの座標値に対応づけられ且つ列成分がそれぞれ上記第２方向における一つの座標値に対応づけられた第２行列の複数の要素のいずれかであり、上記第２行列においては、行番号が増加するにつれ当該行成分に対応づけられた上記第１方向における座標値が単調に変化し、且つ、列番号が増加するにつれ当該列成分に対応づけられた上記第２方向における座標値が単調に変化し、複数の上記第２マップ値は、複数の上記第２マップ値のうちで最も大きい最大第２マップ値と、当該最大第２マップ値と列番号が一つ異なり且つ互いに行番号が同一である２つの隣接第２マップ値とを含み、上記第２接近位置を計算する処理においては、上記最大第２マップ値と上記２つの隣接第２マップ値とを用い、上記第２接近位置を計算する。
【００２３】
本発明の第２の側面によって提供される静電容量式入力装置における導電体の接近位置の計算方法は、第１方向に配列され且つ上記第１方向と交差する第２方向に延びる複数の第１検出電極と、上記第２方向に配列され且つ上記第１方向に延びる複数の第２検出電極とを備える静電容量式入力装置における導電体の接近位置の計算方法であって、上記導電体と各第１検出電極との静電容量の変化に伴い各第１検出電極を介して得られる値をそれぞれ複数の第１方向検出値として記憶手段に記憶し、上記導電体と各第２検出電極との静電容量の変化に伴い各第２検出電極を介して得られる値をそれぞれ複数の第２方向検出値として上記記憶手段に記憶し、上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第１値と、上記複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第２値とを演算した第１マップ値を複数作成し、複数の上記第１マップ値を用いて上記導電体の接近の有無を判断する各工程を備える。
【００２４】
本発明の好ましい実施の形態においては、複数の上記第１マップ値は、複数の上記第１マップ値のうちで最も大きい最大第１マップ値を含み、上記判断する工程においては、上記最大第１マップ値と所定のしきい値とを比較する。
【００２５】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１値は、上記第１検出電極と所定領域とが重なる面積を重みとして、上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて加算した値であり、上記第２値は、上記第２検出電極と上記所定領域とが重なる面積を重みとして、上記複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて加算した値である。
【００２６】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１マップ値は、上記第１値と上記第２値との和である。
【００２７】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１マップ値は、上記第１値と上記第２値との和を累乗した値である。
【００２８】
本発明の好ましい実施の形態においては、各第１マップ値は、上記第１方向における一つの座標値と上記第２方向における一つの座標値とを一組含む二次元座標に対応付けられており、複数の上記第１マップ値を用いて上記第１方向と上記第２方向とにおける上記導電体の第１接近位置を計算する工程を更に備える。
【００２９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１接近位置を計算する工程においては、複数の上記第１マップ値のうちの一部のみを用いて上記第１接近位置を計算する。
【００３０】
本発明の好ましい実施の形態においては、各第１マップ値は、行成分がそれぞれ上記第１方向における一つの座標値に対応づけられ且つ列成分がそれぞれ上記第２方向における一つの座標値に対応づけられた第１行列の複数の要素のいずれかであり、上記第１行列においては、行番号が増加するにつれ当該行成分に対応づけられた上記第１方向における座標値が単調に変化し、且つ、列番号が増加するにつれ当該列成分に対応づけられた上記第２方向における座標値が単調に変化し、複数の上記第１マップ値は、複数の上記第１マップ値のうちで最も大きい最大第１マップ値と、当該最大第１マップ値と行番号が一つ異なり且つ互いに列番号が同一である２つの隣接第１マップ値とを含み、上記第１接近位置を計算する工程においては、上記最大第１マップ値と上記２つの隣接第１マップ値とを用い、上記第１接近位置を計算する。
【００３１】
本発明の好ましい実施の形態においては、複数の上記第１検出電極は、上記複数の第１検出電極のうち上記第１接近位置に最も近接する第１近接検出電極を含み、複数の上記第２検出電極は、上記複数の第２検出電極のうち上記第１接近位置に最も近接する第２近接検出電極を含み、第２接近位置計算の準備を行う工程を更に備え、当該準備を行う工程は、上記記憶手段における、上記複数の第１方向検出値のうち上記第１近接検出電極に対応する値を小さく変換し、且つ、上記記憶手段における、上記複数の第２方向検出値のうち上記第２近接検出電極に対応する値を小さく変換するものである。
【００３２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記準備を行う工程の後に、上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第３値と、複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第４値とを演算した第２マップ値を複数作成する工程と、複数の上記第２マップ値を用いて上記導電体の接近の有無を判断する工程とを更に備える。
【００３３】
本発明の好ましい実施の形態においては、各第２マップ値は、上記第１方向における一つの座標値と上記第２方向における座標値とを一組含む二次元座標に対応付けられており、複数の上記第２マップ値を用いて上記導電体の上記第１方向および上記第２方向における第２接近位置を計算する工程を更に備える。
【００３４】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２接近位置を計算する工程においては、複数の上記第２マップ値のうちの一部のみを用いて上記第２接近位置を計算する。
【００３５】
本発明の好ましい実施の形態においては、各第２マップ値は、行成分がそれぞれ上記第１方向における一つの座標値に対応づけられ且つ列成分がそれぞれ上記第２方向における一つの座標値に対応づけられた第２行列の複数の要素のいずれかであり、上記第２行列においては、行番号が増加するにつれ当該行成分に対応づけられた上記第１方向における座標値が単調に変化し、且つ、列番号が増加するにつれ当該列成分に対応づけられた上記第２方向における座標値が単調に変化し、複数の上記第２マップ値は、複数の上記第２マップ値のうちで最も大きい最大第２マップ値と、当該最大第２マップ値と列番号が一つ異なり且つ互いに行番号が同一である２つの隣接第２マップ値とを含み、上記第２接近位置を計算する工程においては、上記最大第２マップ値と上記２つの隣接第２マップ値とを用い、上記第２接近位置を計算する。
【００３６】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる入力装置の断面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う入力装置の要部平面図である。
【図３】図２に示す入力装置の第１検出電極を主に示す平面図である。
【図４】図２に示す入力装置の第２検出電極を主に示す平面図である。
【図５】本実施形態のＩＣチップにおける機能ブロック図である。
【図６】本実施形態における処理の流れを示すフローチャートである。
【図７】各第１方向検出値および各第２方向検出値の各値の一例を示すグラフである。
【図８】図７に示した各値を、三次元で示すグラフである。
【図９】図２に示す入力装置の拡大平面図である。
【図１０】本実施形態のケース２について説明する図である。
【図１１】本実施形態のケース３について説明する図である。
【図１２】本実施形態のケース４について説明する図である。
【図１３】本実施形態の第１マップ値を要素とする行列について説明する図である。
【図１４】本実施形態の第１マップ値を三次元で示す図である。
【図１５】本実施形態における導電体の接近の有無を判断する工程を説明するための図である。
【図１６】本実施形態における第１接近座標の値の求め方の説明に用いるグラフである。
【図１７】本発明の第２実施形態の第１マップ値を三次元で示す図である。
【図１８】本発明の第３実施形態の第１マップ値を三次元で示す図である。
【図１９】本発明の第５実施形態を説明するための入力装置の要部平面図である。
【図２０】本実施形態の処理の流れを示すフローチャートである。
【図２１】本実施形態の準備処理を説明するための図である。
【図２２】本実施形態のケース１について説明する図である。
【図２３】本実施形態のケース２について説明する図である。
【図２４】本実施形態のケース３について説明する図である。
【図２５】本実施形態のケース４について説明する図である。
【図２６】本実施形態の第２マップ値を要素とする行列について説明する図である。
【図２７】本実施形態における導電体の接近の有無を判断する工程を説明するための図である。
【図２８】本実施形態における第２接近座標の値の求め方に用いるグラフである。
【図２９】本発明の第６実施形態を説明するための入力装置の要部断面図である。
【図３０】本発明の第６実施形態を説明するための入力装置の要部平面図である。
【図３１】本実施形態の各第１方向検出値および各第２方向検出値の各値の一例を示すグラフである。
【図３２】図３１に示す第１方向検出値および第２方向検出値の各値と、第１実施形態における式とを用いて、作成した第１マップ値である。
【図３３】本発明の第６実施形態の第１マップ値を三次元で示す図である。
【図３４】従来の入力装置の一例を示す断面図である。
【図３５】図３４のＸＸＸＶ−ＸＸＸＶ線に沿う要部平面図である。
【図３６】検出電極とＩＣチップとの接続状態を概念的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００３９】
図１および図２は、本発明の第１実施形態にかかる入力装置Ａ１を表す。これらの図に示す入力装置Ａ１は、透過板１，２と、ｘ方向位置検出用の複数の第１検出電極Ｅｘi（ｉ＝１，２，・・・，ｎ）と、ｙ方向位置検出用の複数の第２検出電極Ｅｙj（ｊ＝１，２，・・・，ｍ）と、配線３，３’と、樹脂層４と、スペーサ５と、異方性導電樹脂部６と、シールド層７と、フレキシブル基板８と、ＩＣチップ９とを備える。図１では、配線３，３’は省略している。図２では、透過板２、樹脂層４、スペーサ５、異方性導電樹脂部６、シールド層７、フレキシブル基板８、およびＩＣチップ９を省略している。入力装置Ａ１は、導電体Ｄ１の接近位置を検出できるように構成されている。入力装置Ａ１は、例えば、液晶表示パネルＰ１の画像表示面の側に配置されて、いわゆるタッチパネル装置を構成する。図３は、図２に示す第１検出電極Ｅｘiを主に示す平面図である。図４は、図２に示す第２検出電極Ｅｙjを主に示す平面図である。
【００４０】
透過板１，２は、それぞれ、透明樹脂基板または透明ガラス基板である。透明樹脂基板の材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、もしくはポリカーボネート（ＰＣ）が挙げられる。
【００４１】
ｘ方向位置検出用の複数の第１検出電極Ｅｘi（ｉ＝１，２，・・・，ｎ）は、透過板１の図１上面にパターン形成されたものである。複数の第１検出電極Ｅｘiは、それぞれが方向ｙに延びて相互に平行であり、且つ、方向ｘ（方向ｙに直交する）において相互に離間して配列されている。本実施形態においては、第１検出電極Ｅｘiの本数（即ちｎ）は、１０である。各第１検出電極Ｅｘiは、例えば、ＩＴＯ，ＩＺＯなどの透明な導電性材料よりなる。図３に示すように、各第１検出電極Ｅｘiは、複数の菱形状の部分と、これらの菱形状の部分をつなぐ線状の部分とを有する。この菱形状の部分の形状は、丸形状、多角形状、またはその他の形状であってもよい。
【００４２】
ｙ方向位置検出用の複数の第２検出電極Ｅｙj（ｊ＝１，２，・・・，ｍ）は、透過板２の図中下面にパターン形成されたものである。複数の第２検出電極Ｅｙjは、それぞれが方向ｘに延びて相互に平行であり、且つ、方向ｙにおいて相互に離間して配列されている。本実施形態においては、第２検出電極Ｅｙjの本数（即ちｍ）は１４である。各第２検出電極Ｅｙjは、例えば、ＩＴＯ，ＩＺＯなどの透明な導電性材料よりなる。図４に示すように、各第２検出電極Ｅｙjは、複数の菱形状の部分と、これらの菱形状の部分をつなぐ線状の部分とを有する。この菱形状の部分の形状は、丸形状、多角形状、またはその他の形状であってもよい。第２検出電極Ｅｙjの菱形状の部分は、方向ｘおよび方向ｙにおいて、第１検出電極Ｅｘiの菱形状の部分と重ならないように配置されている。
【００４３】
各配線３の一部は、透過板１上にパターン形成されている。各配線３の他の一部は、透過板２上およびフレキシブル基板８上にわたってパターン形成されている。透過板１上の各配線３の一部と、透過板１上の各配線３の一部に対応する透過板２上の各配線３の一部とは、透過板１上の各配線３の一部間の電気的絶縁状態が確保され且つ透過板２上の各配線３の一部間の電気的絶縁状態が確保されつつ、異方性導電樹脂部６を介して電気的に接続されている。異方性導電樹脂部６は、硬化した異方性導電樹脂よりなる。入力装置Ａ１においては、各配線３はこのように設けられている。各配線３は、透過板１上にて一の第１検出電極Ｅｘiと接続されている。
【００４４】
配線３’は、透過板２上およびフレキシブル基板８上にわたってパターン形成されており、透過板２上にて一の第２検出電極Ｅｙjと接続されている。
【００４５】
樹脂層４およびスペーサ５は、図１に示すように、透過板１，２間に介在する。樹脂層４は、光を良好に透過させる樹脂材料よりなる。また、樹脂層４により、第１検出電極Ｅｘi間、第２検出電極Ｅｙj間、および、第１検出電極Ｅｘi，第２検出電極Ｅｙj間の電気的絶縁状態が確保される。スペーサ５は、シリカまたはアクリル樹脂（例えば、積水化学工業：ミクロパールシリーズ）よりなる粒体である。スペーサ５のサイズを適宜選択することにより、透過板１，２間の適切な距離を確保することができる。
【００４６】
シールド層７は、透過板１の図１中下面に設けられている。シールド層７は、例えば、ＩＴＯ，ＩＺＯなどの透明導電性材料よりなる。シールド層７は、リア保護層（図示略）により覆われている。シールド層７は、外来のノイズを遮断する役割を担う。
【００４７】
フレキシブル基板８は、図１に示すように、透過板２の端部に取り付けられている。上述のように、配線３の一部および配線３’の一部は、フレキシブル基板８にも設けられている。
【００４８】
ＩＣチップ９は、フレキシブル基板８に搭載されている。ＩＣチップ９は、入力装置Ａ１の駆動状態を制御したり、導電体Ｄ１の接近位置を計算したりする機能を担う。ＩＣチップ９は、図示しない入力端子を介して、各第１検出電極Ｅｘi、および、各第２検出電極Ｅｙjに接続している。
【００４９】
図５には、ＩＣチップ９における機能ブロック図を示す。同図に示すように、ＩＣチップ９は、記憶部９１と、計算部９２とを含む。
【００５０】
記憶部９１は、計算部９２が計算をする際のデータを記憶する機能を担う。本実施形態では、記憶部９１は、指などの導電体Ｄ１と各第１検出電極Ｅｘiとの間の静電容量の変化に伴い、各第１検出電極ＥｘiとＩＣチップ９における図示しない回路とを介して得られる値をそれぞれ、複数の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）（ｉ＝１，２，・・・，ｎ）として記憶する。同様に、記憶部９１は、導電体Ｄ１と各第２検出電極Ｅｙjとの間の静電容量の変化に伴い、各第２検出電極ＥｙjとＩＣチップ９における図示しない回路とを介して得られる値をそれぞれ複数の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）（ｊ＝１，２，・・・，ｍ）として記憶する。
【００５１】
計算部９２は、方向ｘおよび方向ｙにおける導電体Ｄ１の接近位置を計算する。計算部９２は、記憶部９１とデータを送受しつつ計算を行う。
【００５２】
次に、図６〜図１６をさらに用いて、本実施形態にかかる導電体Ｄ１の接近位置の計算方法の一例について説明する。図６は、本実施形態における処理の流れを示すフローチャートである。本実施形態においては、導電体Ｄ１が透過板２に接近したときの、導電体Ｄ１の接近位置である第１接近座標（ｘ１，ｙ１）を計算する方法について説明する。
【００５３】
＜第１方向検出値および第２方向検出値の記憶（Ｓ１０１）＞
図６に示すように、入力装置Ａ１が稼働すると、ＩＣチップ９には、各第１検出電極Ｅｘiから、導電体Ｄ１と各第１検出電極Ｅｘiとの間に生じうる静電容量変化に対応する信号が送られる。ＩＣチップ９が当該信号を受けると、上述のように、記憶部９１は、導電体Ｄ１と各第１検出電極Ｅｘiとの間の静電容量の変化に伴い、各第１検出電極ＥｘiとＩＣチップ９における図示しない回路とを介して得られる値をそれぞれ、複数の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）（ｉ＝１，２，・・・，ｎ）として記憶する。同様に、ＩＣチップ９には、各第２検出電極Ｅｙjから、導電体Ｄ１と各第２検出電極Ｅｙjとの間に生じうる静電容量変化に対応する信号が送られる。ＩＣチップ９が当該信号を受けると、上述のように記憶部９１は、導電体Ｄ１と各第２検出電極Ｅｙjとの間の静電容量の変化に伴い、各第２検出電極ＥｙjとＩＣチップ９における図示しない回路とを介して得られる値をそれぞれ、複数の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）（ｊ＝１，２，・・・，ｍ）として記憶する。
【００５４】
図７には、導電体Ｄ１が図２に示す位置に接近した場合における、各第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）および各第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）の各値の一例を示している。図８は、図７に示した各第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）および各第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）ごとの各値を、三次元の棒グラフで示している。図２に示す導電体Ｄ１の、透過板２に対する接触領域と対向し合う面積が最も大きいのは、第１検出電極Ｅｘ1〜Ｅｘnのうち電極Ｅｘ5であり、当該接触領域と対向し合う面積が二番目に大きいのは第１検出電極Ｅｘ6である。第２検出電極Ｅｙ1〜Ｅｙmのうち当該接触領域と対向し合う面積が最も大きいのは、第２検出電極Ｅｙ7であり、当該接触領域と対向し合う面積が二番目に大きいのは第２検出電極Ｅｙ8であり、当該領域と対向し合う面積が三番目に大きいのは第２検出電極Ｅｙ6である。このように、第一方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）、第二方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）の各々の値は、透過板２に対する導電体Ｄ１の接触領域と第１検出電極Ｅｘi、第２検出電極Ｅｙjとが対向し合う面積にそれぞれ対応する。なお、図７にてＸｃｈ（２），Ｘｃｈ（９），Ｙｃｈ（３），Ｙｃｈ（１３）がわずかに値を示しているのはノイズの影響である。
【００５５】
＜第１マップ値の作成（Ｓ１０２）＞
次に、第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）と第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）とを用いて、複数の第１マップ値を作成する。より具体的には、以下のように第１マップ値を作成する。第１マップ値は、第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）の少なくともいずれかと第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）の少なくともいずれかとを演算した値である。
【００５６】
第１マップ値は、その第１マップ値を求めるのに用いた第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）の各々と正の相関を有する。すなわち、第１マップ値の値は、その第１マップ値を求めるのに用いた第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）のうちある特定の第１方向検出値Ｘｃｈ(ｉ)以外の値、および、その第１マップ値を求めるのに用いた第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）の値が同一であれば、当該特定の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）の値が大きいほど、大きい。また、第１マップ値は、その第１マップ値を求めるのに用いた第２方向検出値Ｙｃｈ（ｉ）の各々と正の相関を有する。すなわち、第１マップ値の値は、その第１マップ値を求めるのに用いた第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）、および、その第１マップ値を求めるのに用いた第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）のうちある特定の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）以外の値が同一であれば、当該特定の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）の値が大きいほど、大きい。
【００５７】
また、作成する第１マップ値の個数は、複数の第１方向検出値Ｘｃｈ(ｉ)のいずれかと複数の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）のいずれかとの組み合わせ方によって、自在に決定できる。以下では、２ｎ×２ｍ個の第１マップ値を作成する例を示す。
【００５８】
図９は、図２に示す入力装置Ａ１の拡大平面図である。
【００５９】
各第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）は、ある二次元座標に対応づけられており、その二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）は、図９等に示す所定面積の領域Ｒpqの重心座標である。領域Ｒpqの形状はどのような形状であってもよい。本実施形態においては、領域Ｒpqは、各第１検出電極Ｅｘiの菱形状の部分４個分の面積を有する。第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）は、
ｍａｐ１（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（ｐ，ｑ）＋Ｖｙ（ｐ，ｑ）・・・（１）
と定義される。
【００６０】
Ｖｘ（ｐ，ｑ）は第１値であり、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝ΣＳk・Ｘｃｈ（ｋ）・・・（２）
と表わされる。
ここで、Ｓkは、領域Ｒpqと第１検出電極Ｅｘkとが重なる領域の面積である（ｋ＝１，２，・・・，ｎ）。すなわち第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）は、領域Ｒpqと第１検出電極Ｅｘkとが重なる領域のそれぞれの面積を重みとして、各第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）を加算した値である。
【００６１】
同様に、Ｖｙ（ｐ，ｑ）は第２値であり、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝ΣＴk・Ｙｃｈ（ｋ）・・・（３）
と表わされる。
ここでＴkは、Ｓkと同様に、領域Ｒpqと第２検出電極Ｅｙkとが重なる領域の面積である（ｋ＝１，２，・・・，ｍ）。すなわち第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）は、領域Ｒpqと第２検出電極Ｅｙkとが重なる領域のそれぞれの面積を重みとして、各第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）を加算した値である。
【００６２】
そのため、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）は、領域Ｒpqと第１検出電極Ｅｘkとが重なる領域のそれぞれの面積を重みとして、各第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）を加算した値と、領域Ｒpqと第２検出電極Ｅｙkとが重なる領域のそれぞれの面積を重みとして、各第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）を加算した値と、の和であるといえる。
【００６３】
本実施形態において、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）は、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ，２ｊ）の場合・・・・・・・（ケース１、図９参照）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ＋１，２ｊ）の場合・・・・・（ケース２、図１０参照）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ，２ｊ＋１）の場合・・・・・（ケース３、図１１参照）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ＋１，２ｊ＋１）の場合・・・（ケース４、図１２参照）、
の４つの場合（ｉ＝１，２，・・・ｎ、ｊ＝１，２，・・・ｍ）ごとに、求める際に用いるパラメータが異なる。以下具体的に説明する。
【００６４】
＜ケース１＞
図９を用いて、ケース１について説明する。同図に示す通り、二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i，Ｙ１2j）
＝（Ｘi，Ｙj）・・・（４−１）
と表わされる。
Ｘiは、第１検出電極Ｅｘiの方向ｘにおける中心位置である。同様に、Ｙjは、第２検出電極Ｅｙjの方向ｙにおける中心位置である。
【００６５】
ケース１において（２）式は、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ，２ｊ）
＝Ｓi-1Ｘｃｈ（ｉ−１）＋ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝０．３Ｘｃｈ（ｉ−１）＋１．４Ｘｃｈ（ｉ）＋０．３Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−１）
と表わされる。
Ｓi-1，Ｓi，Ｓi+1については、第１検出電極Ｅｘiに含まれる菱形の電極一つの面積を１とし、Ｓi-1＝０．３，Ｓi＝１．４，Ｓi+1＝０．３としている。なお、Ｘｃｈ（０），Ｘｃｈ（ｎ＋１）等の実在しない値としては、適当な値を用いる。
【００６６】
同様にケース１において（３）式は、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ，２ｊ）
＝Ｔj-1Ｙｃｈ（ｊ−１）＋ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝０．３Ｙｃｈ（ｊ−１）＋１．４Ｙｃｈ（ｊ）＋０．３Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−１）
と表わされる。
Ｔj-1，Ｔj，Ｔj+1については、第２検出電極Ｅｙjに含まれる菱形の電極一つの面積を１とし、Ｔj-1＝０．３，Ｔj＝１．４，Ｔj+1＝０．３としている。なお、Ｙｃｈ（０），Ｙｃｈ（ｍ＋１）等の実在しない値としては、適当な値を用いる。
【００６７】
ケース１においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【００６８】
＜ケース２＞
図１０は、ケース２について説明する図である。同図に示す通り、二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i+1，Ｙ１2j）
＝（（Ｘi＋Ｘi+1）／２，Ｙj）・・・（４−２）
と表わされる。
Ｘi+1は、第１検出電極Ｅｘi+1の方向ｘにおける中心位置である。
【００６９】
ケース２において（２）式は、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ＋１，２ｊ）
＝ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝１．０Ｘｃｈ（ｉ）＋１．０Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−２）
と表わされる。
Ｓi，Ｓi+1については、第１検出電極Ｅｘiに含まれる菱形の電極一つの面積を１とし、Ｓi＝１．０，Ｓi+1＝１．０としている。
【００７０】
ケース２において（３）式は、ケース１と同様、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ＋１，２ｊ）
＝Ｔj-1Ｙｃｈ（ｊ−１）＋ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝０．３Ｙｃｈ（ｊ−１）＋１．４Ｙｃｈ（ｊ）＋０．３Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−２）
と表わされる。
【００７１】
ケース２においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【００７２】
＜ケース３＞
図１１は、ケース３について説明する図である。同図に示す通り、二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i，Ｙ１2j+1）
＝（Ｘi，（Ｙj＋Ｙj+1）／２）・・・（４−３）
と表わされる。
Ｙi+1は、第２検出電極Ｅｙjの方向ｙにおける中心位置である。
【００７３】
ケース３において（２）式は、ケース１と同様、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ，２ｊ＋１）
＝Ｓi-1Ｘｃｈ（ｉ−１）＋ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝０．３Ｘｃｈ（ｉ−１）＋１．４Ｘｃｈ（ｉ）＋０．３Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−３）
と表わされる。
【００７４】
ケース３において（３）式は、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ，２ｊ＋１）
＝ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝１．０Ｙｃｈ（ｊ）＋１．０Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−３）
と表わされる。
Ｔj，Ｔj+1については、第２検出電極Ｅｙjに含まれる菱形の電極一つの面積を１とし、Ｔj＝１．０，Ｔj+1＝１．０としている。
【００７５】
ケース３においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【００７６】
＜ケース４＞
図１２は、ケース４について説明する図である。同図に示す通り、二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i+1，Ｙ１2j+1）
＝（（Ｘi＋Ｘi+1）／２，（Ｙj＋Ｙj+1）／２）・・・（４−４）
と表わされる。
【００７７】
ケース４において（２）式は、ケース２と同様、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ＋１，２ｊ＋１）
＝ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝１．０Ｘｃｈ（ｉ）＋１．０Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−４）
と表わされる。
【００７８】
ケース４において（３）式は、ケース３と同様、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ＋１，２ｊ＋１）
＝ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝１．０Ｙｃｈ（ｊ）＋１．０Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−４）
と表わされる。
【００７９】
ケース４においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【００８０】
以上のケース１〜ケース４の場合の計算をすることにより、複数の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成することができる。
【００８１】
ｉ＝１，２，・・・，ｎであることを考慮すると、ｐは、２から２ｎ＋１までの２ｎ個の整数である。一方、ｊ＝１，２，・・・，ｍであることを考慮すると、ｑは、２から２ｍ＋１までの２ｍ個の整数である。そこで、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）は、２ｎ×２ｍ行列Ｔ１の要素と考えることができる。ここで、行列Ｔ１の要素αrsを、
αrs＝ｍａｐ１（ｒ＋１，ｓ＋１）・・・（５）
（ｒ＝１，２，・・・２ｎ、ｓ＝１，２，・・・２ｍ）
と定義する（図１３参照）。
【００８２】
また、式（４−１）、式（４−２）、式（４−３）、式（４−４）から、複数の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）におけるｐの値が互いに同一であれば、それらの第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）に対応づけられた二次元座標のＸ１pqの値は同一であることが分かる。そのため、行列Ｔ１において行番号が同一であれば、行列要素（第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ））に対応づけられた二次元座標のＸ１pqの値は同一である。たとえば、３行目の成分のｐは４であり、（４−１）式、（４−３）式によると、Ｘ１pq＝Ｘ2である。
【００８３】
同様に、複数の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）におけるｑの値が互いに同一であれば、それらの第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）に対応づけられた二次元座標のＹ１pqの値は同一であることが分かる。そのため、行列Ｔ１において列番号が同一であれば、行列要素（第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ））に対応づけられた二次元座標のＹ１pqの値は同一である。たとえば、２列目の成分のｑは３であり、（４−３）式、（４−４）式によると、Ｙ１pq＝（Ｙ1＋Ｙ2）／２である。
【００８４】
また、式（４−１）、式（４−２）、式（４−３）、式（４−４）によると、ｐの値が大きくなるほどＸ１pqの値が大きくなっており、且つ、ｑの値が大きくなるほどＹ１pq大きくなっている。そのため、行列Ｔ１においては、行番号が増加するにつれ当該行の成分（第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ））に対応づけられた二次元座標のＸ１pqの値は、単調に増加する。また同様に、行列Ｔ１においては、列番号増加するにつれ当該列の成分（第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ））に対応づけられた二次元座標のＹ１pqの値は、単調に増加する。
【００８５】
図１４にて、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を三次元で示し、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を視覚的に認識できるようにしている。同図の高さ方向が第１マップ値の値に対応する。第１マップ値ｍａｐ（ｐ，ｑ）のうち値が大きいものは、導電体Ｄ１が接近してきた第１検出電極Ｅｘiや第２検出電極Ｅｙjを用いて求められている。そのため、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）のうち大きいものに対応づけられている二次元座標が、導電体Ｄ１が接近してきた位置に近接しているといえる。
【００８６】
＜導電体Ｄ１の接近の有無を判断（Ｓ１０３）＞
次に、図１５を参照しつつ、上述のプロセスにより作成された第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を用いて、導電体Ｄ１の接近の有無を判断する工程（Ｓ１０３）について説明する。まず、上記の処理において求められた第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）のうち、最も大きい最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）を抽出する（ｐｍａｘは、第１マップ値が最大値をとるときのｐの値である。同様に、ｑｍａｘは、第１マップ値が最大値をとるときのｑの値である）。次に、計算部９２は、この最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）の値が所定のしきい値（図１４参照）より大きいか否かを判断する。最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）が、所定のしきい値以下である場合（Ｓ１０３：ＮＯ）、計算部９２は、導電体Ｄ１が接近していないと判断する（Ｓ１０４）。
【００８７】
導電体Ｄ１が接近していないと判断した場合、計算部９２は、導電体Ｄ１が接近していないとする信号（たとえば第１接近座標（ｘ１，ｙ１）が（０，０）であるとする信号）を、ＩＣチップ９の外部に出力する（Ｓ１０６）。
【００８８】
＜第１接近座標（ｘ１，ｙ１）の計算（Ｓ１０５）＞
一方、最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）が所定のしきい値より大きい場合（Ｓ１０３：ＹＥＳ）、計算部９２は導電体Ｄ１が接近していると判断する。この場合、計算部９２は、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）の値を計算する（Ｓ１０５）。本実施形態において、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）のｘ１を計算するには、最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）と、この最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）と行番号が一つ異なり且つ互いに同一の列に含まれる２つの隣接第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ−１，ｕ）、ｍａｐ１（ｐｍａｘ＋１，ｕ）と、を用いる（ここでｕ＝２，３，・・・２ｍ＋１）。以下では一例として、ｕ＝ｑｍａｘである場合、すなわち、これらの２つの隣接第１マップ値が最大第１マップ値と同一の列に含まれる場合について説明する。
【００８９】
図１６は、本実施形態における第１接近座標（ｘ１，ｙ１）のｘ１の値の求め方の説明に用いるグラフである。同図に示すグラフの横軸は、隣接第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ−１，ｑｍａｘ）、最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）、および隣接第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ＋１，ｑｍａｘ）の各々に対応づけられている二次元座標のＸ１pqの値である。同グラフの縦軸は、各第１マップ値の値である。第１近接座標のｘ１の値を求めるには、同グラフの３つの第１マップ値を通る二次曲線を求める。そして、当該二次曲線の頂点の座標もしくは軸を求めるなどしてｘ１の値を計算する。
【００９０】
本実施形態において、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）のｙ１を計算するには、ｘ１を計算する場合と同様に、最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）と、この最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）と列番号が一つ異なる行に含まれる２つの隣接第１マップ値ｍａｐ１（ｖ，ｑｍａｘ−１）、ｍａｐ１（ｖ，ｑｍａｘ＋１）と、を用いる（ここでｖ＝２，３，・・・２ｎ＋１）。これら２つの隣接第１マップ値は、互いに同一の列に含まれる。ｙ１の値を計算する方法は、ｘ１の値を計算するのと同様であるから説明を省略する。
【００９１】
このようにして、計算部９２は、導電体Ｄ１の接近位置を示す第１接近座標（ｘ１，ｙ１）を計算する。そして、ＩＣチップ９は、計算した第１接近座標（ｘ１，ｙ１）に関する信号を外部に出力する（Ｓ１０６）。
【００９２】
以上の流れで、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）を計算できる。
【００９３】
次に本実施形態の作用について説明する。
【００９４】
本実施形態においては、図７に示したように、導電体Ｄ１が第１検出電極Ｅｘiに接近すると、数個（２，３個）の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）が他の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）に比べ大きくなる。同様に、導電体Ｄ１が第２検出電極Ｅｙjに接近すると、数個（２，３個）の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）が他の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）に比べ大きくなる。第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成することで、導電体Ｄ１が第１検出電極Ｅｘiに接近した場合に大きくなる第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）と、導電体Ｄ１が第２検出電極Ｅｙjに接近した場合に大きくなる第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）との影響を加味した値を求めることができる。そのため、図１４に示したように、導電体Ｄ１が第１検出電極Ｅｘi、第２検出電極Ｅｙjに接近した場合、特定の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）の値が極端に大きくなる。そのため、導電体Ｄ１の接近の有無を検出する際に用いるしきい値の設定幅を大きくすることができる。その結果、ノイズの影響により第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）や第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）が増加しても、導電体Ｄ１が接近していない限り第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）がしきい値を超えないように、より大きいしきい値を設定することができる。したがって、入力装置Ａ１によると、導電体Ｄ１が接近していないにもかかわらず導電体Ｄ１が接近したと判断してしまう誤作動を、抑制することができる。
【００９５】
本実施形態においては、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を用いて、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）を計算している。第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成できる数は、第１検出電極Ｅｘiの数、第２検出電極Ｅｙjの数に制限されない。そのため、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を多く作成することで、より正確な第１接近座標（ｘ１，ｙ１）を計算することができる。
【００９６】
本実施形態においては、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）を計算するために、図１６に示した二次曲線の頂点の座標もしくは軸を求めている。発明者らによると、このような計算方法は第１接近座標（ｘ１，ｙ１）を正確に求めるのに適することがわかった。
【００９７】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を求める際のパラメータが第１実施形態と異なり、その他の点は第１実施形態と同様である。以下、具体的に説明する。
【００９８】
本実施形態においては、領域Ｒpqは、各第１検出電極Ｅｘiの菱形状の部分４．５個分の面積を有する。
【００９９】
本実施形態においても、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）は、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ，２ｊ）の場合・・・・・・・（ケース１）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ＋１，２ｊ）の場合・・・・・（ケース２）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ，２ｊ＋１）の場合・・・・・（ケース３）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ＋１，２ｊ＋１）の場合・・・（ケース４）、
の４つの場合（ｉ＝１，２，・・・ｎ、ｊ＝１，２，・・・ｍ）ごとに、求める際に用いるパラメータが異なる。以下具体的に説明する。
【０１００】
＜ケース１＞
ケース１の二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i，Ｙ１2i）
＝（Ｘi，Ｙｉ）・・・（４−５）
と表わされる。
【０１０１】
ケース１において（２）式は、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ，２ｊ）
＝Ｓi-1Ｘｃｈ（ｉ−１）＋ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝０．３３７５Ｘｃｈ（ｉ−１）＋１．５７５Ｘｃｈ（ｉ）＋０．３３７５Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−５）
と表わされる。
【０１０２】
同様にケース１において（３）式は、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ，２ｊ）
＝Ｔj-1Ｙｃｈ（ｊ−１）＋ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝０．３３７５Ｙｃｈ（ｊ−１）＋１．５７５Ｙｃｈ（ｊ）＋０．３３７５Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−５）
と表わされる。
【０１０３】
ケース１においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１０４】
＜ケース２＞
ケース２の二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i+1，Ｙ１2j）
＝（（Ｘi＋Ｘi+1）／２，Ｙｊ）・・・（４−６）
と表わされる。
【０１０５】
ケース２において（２）式は、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ＋１，２ｊ）
＝ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝１．１２５Ｘｃｈ（ｉ）＋１．１２５Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−６）
と表わされる。
【０１０６】
ケース２において（３）式は、ケース１と同様、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ＋１，２ｊ）
＝Ｔj-1Ｙｃｈ（ｊ−１）＋ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝０．３３７５Ｙｃｈ（ｊ−１）＋１．５７５０Ｙｃｈ（ｊ）＋０．３３７５Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−６）
と表わされる。
【０１０７】
ケース２においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１０８】
＜ケース３＞
ケース３の二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i，Ｙ１2j+1）
＝（Ｘi，（Ｙj＋Ｙj+1）／２）・・・（４−７）
と表わされる。
【０１０９】
ケース３において（２）式は、ケース１と同様、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ，２ｊ＋１）
＝Ｓi-1Ｘｃｈ（ｉ−１）＋ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝０．３３７５Ｘｃｈ（ｉ−１）＋１．５７５０Ｘｃｈ（ｉ）＋０．３３７５Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−７）
と表わされる。
【０１１０】
ケース３において（３）式は、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ，２ｊ＋１）
＝ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝１．１２５Ｙｃｈ（ｊ）＋１．１２５Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−７）
と表わされる。
【０１１１】
ケース３においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１１２】
＜ケース４＞
ケース４の二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i+1，Ｙ１2j+1）
＝（（Ｘi＋Ｘi+1）／２，（Ｙj＋Ｙj+1）／２）・・・（４−８）
と表わされる。
【０１１３】
ケース４において（２）式は、ケース２と同様、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ＋１，２ｊ＋１）
＝ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝１．１２５Ｘｃｈ（ｉ）＋１．１２５Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−８）
と表わされる。
【０１１４】
ケース４において（３）式は、ケース３と同様、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ＋１，２ｊ＋１）
＝ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝１．１２５Ｙｃｈ（ｊ）＋１．１２５Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−８）
と表わされる。
【０１１５】
ケース４においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１１６】
以上のケース１〜ケース４の場合の計算をすることにより、複数の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成することができる。
【０１１７】
図１７に、導電体Ｄ１が接近した場合の、このようなパラメータを用いて作成した第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を三次元的に示す。
【０１１８】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を求める際のパラメータが第１、第２実施形態と異なり、その他の点は第１実施形態と同様である。以下、具体的に説明する。
【０１１９】
本実施形態においては、領域Ｒpqは、各第１検出電極Ｅｘiの菱形状の部分６．２５個分の面積を有する。
【０１２０】
本実施形態においても、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）は、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ，２ｊ）の場合・・・・・・・（ケース１）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ＋１，２ｊ）の場合・・・・・（ケース２）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ，２ｊ＋１）の場合・・・・・（ケース３）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ＋１，２ｊ＋１）の場合・・・（ケース４）、
の４つの場合ごとに、求める際に用いるパラメータが異なる（ｉ＝１，２，・・・ｎ、ｊ＝１，２，・・・ｍ）。以下具体的に説明する。
【０１２１】
＜ケース１＞
ケース１の二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i，Ｙ１2i）
＝（Ｘi，Ｙｉ）・・・（４−９）
と表わされる。
【０１２２】
ケース１において（２）式は、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ，２ｊ）
＝Ｓi-1Ｘｃｈ（ｉ−１）＋ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝０．５Ｘｃｈ（ｉ−１）＋２．１２５Ｘｃｈ（ｉ）＋０．５Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−９）
と表わされる。
【０１２３】
同様にケース１において（３）式は、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ，２ｊ）
＝Ｔj-1Ｙｃｈ（ｊ−１）＋ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝０．５Ｙｃｈ（ｊ−１）＋２．１２５Ｙｃｈ（ｊ）＋０．５Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−９）
と表わされる。
【０１２４】
ケース１においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１２５】
＜ケース２＞
ケース２の二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i+1，Ｙ１2j）
＝（（Ｘi＋Ｘi+1）／２，Ｙｊ）・・・（４−１０）
と表わされる。
【０１２６】
ケース２において（２）式は、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ＋１，２ｊ）
＝ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝１．５Ｘｃｈ（ｉ）＋１．５Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−１０）
と表わされる。
【０１２７】
ケース２において（３）式は、ケース１と同様、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ＋１，２ｊ）
＝Ｔj-1Ｙｃｈ（ｊ−１）＋ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝０．５６２５Ｙｃｈ（ｊ−１）＋２．１２５Ｙｃｈ（ｊ）＋０．５６２５Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−１０）
と表わされる。
【０１２８】
ケース２においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１２９】
＜ケース３＞
ケース３の二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i，Ｙ１2j+1）
＝（Ｘi，（Ｙj＋Ｙj+1）／２）・・・（４−１１）
と表わされる。
【０１３０】
ケース３において（２）式は、ケース１と同様、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ，２ｊ＋１）
＝Ｓi-1Ｘｃｈ（ｉ−１）＋ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝０．５６２５Ｘｃｈ（ｉ−１）＋２．１２５Ｘｃｈ（ｉ）＋０．５６２５Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（２−１１）
と表わされる。
【０１３１】
ケース３において（３）式は、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ，２ｊ＋１）
＝ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝１．５Ｙｃｈ（ｊ）＋１．５Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（３−１１）
と表わされる。
【０１３２】
ケース３においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１３３】
＜ケース４＞
ケース４の二次元座標（Ｘ１pq，Ｙ１pq）については、
（Ｘ１pq，Ｙ１pq）＝（Ｘ１2i+1，Ｙ１2j+1）
＝（（Ｘi＋Ｘi+1）／２，（Ｙj＋Ｙj+1）／２）・・・（４−１２）
と表わされる。
【０１３４】
ケース４において（２）式は、ケース２と同様、
Ｖｘ（ｐ，ｑ）＝Ｖｘ（２ｉ＋１，２ｊ＋１）
＝Ｓi-1Ｘｃｈ（ｉ−１）＋ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）＋Ｓi+2Ｘｃｈ（ｉ＋２）
＝０．０６２５Ｘｃｈ（ｉ−１）＋１．５Ｘｃｈ（ｉ）＋１．５Ｘｃｈ（ｉ＋１）＋０．０６２５Ｘｃｈ（ｉ＋２）・・・・（２−１２）
と表わされる。
【０１３５】
ケース４において（３）式は、ケース３と同様、
Ｖｙ（ｐ，ｑ）＝Ｖｙ（２ｉ＋１，２ｊ＋１）
＝Ｔj-1Ｙｃｈ（ｊ−１）＋ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔi+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）＋Ｔj+2Ｙｃｈ（ｊ＋２）
＝０．０６２５Ｙｃｈ（ｊ−１）＋１．５Ｙｃｈ（ｊ）＋１．５Ｙｃｈ（ｊ＋１）＋０．０６２５Ｙｃｈ（ｊ＋２）・・・・（３−１２）
と表わされる。
【０１３６】
ケース４においてはこのような第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）を求め、（１）式により第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１３７】
以上のケース１〜ケース４の場合の計算をすることにより、複数の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成することができる。
【０１３８】
図１８に、導電体Ｄ１が接近した場合の、このようなパラメータを用いて作成した第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を三次元的に示す。
【０１３９】
次に、本発明の第４実施形態について説明する。本実施形態は、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）の求め方が、上述の方法と異なる。本実施形態では、第１接近座標のｘ１を計算するには、図１５の最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）と同じ列に含まれる全ての第１マップ値ｍａｐ１（ｖ，ｑｍａｘ）（ｖ＝２，３，・・・２ｎ＋１）を用いる。これらの複数の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）の大きさを重みとして、加重平均計算することにより、第１接近座標のｘ１を計算できる。
【０１４０】
同様に、第１接近座標のｙ１を計算するには、最大第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）と同じ行に含まれる全ての第１マップ値ｍａｐ１（ｐｍａｘ，ｕ）（ｕ＝２，３，・・・２ｍ＋１）を用いる。これらの複数の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）の大きさを重みとして、加重平均計算することにより、第１接近座標のｙ１を計算できる。
【０１４１】
次に、本発明の第５実施形態について説明する。本実施形態においては、図１９に示すような２つの導電体Ｄ１，Ｄ２の接近位置を計算する。図２０は、本実施形態の処理の流れを示すフローチャートである。同図に示すように、本実施形態は、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）のみならず、導電体Ｄ２の接近位置である第２接近座標（ｘ２，ｙ２）を計算している（Ｓ２０７〜Ｓ２１１）点において、第１実施形態と異なる。以下、具体的に説明する。
【０１４２】
まず、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）を計算するまでの工程（Ｓ２０１〜Ｓ２０５）は、図６に示す第１実施形態における工程（Ｓ１０１〜Ｓ１０５）と同様である。
【０１４３】
＜準備処理（Ｓ２０６）＞
次に、第２接近座標（ｘ２，ｙ２）を計算するための準備処理を行う（Ｓ２０６）。上述のように、複数の第１検出電極Ｅｘiから得られた複数の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）、および、複数の第２検出電極Ｅｙjから得られた複数の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）が記憶部９１に記憶されている。図２１に示すように、準備処理として、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）に最も近接する第１検出電極Ｅｘi（図１９、図２１ではＥｘ8）から得られた第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）を減少させる。第２接近座標（ｘ２，ｙ２）を計算するうえで、導電体Ｄ１の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）への接近による影響を減少させるためである。同様に、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）に最も近接する第１検出電極Ｅｘiと隣り合う第１検出電極Ｅｘi-1から得られる第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ−１）、および、第１検出電極Ｅｘi+1から得られる第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ＋１）、の２つの値を小さくする。
【０１４４】
同様に、準備処理として、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）に最も近接する第２検出電極Ｅｙj（図１９、図２１ではＥｙ3）から得られた第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）を減少させる。また、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）に最も近接する第２検出電極Ｅｙjと隣り合う第２検出電極Ｅｙj-1から得られる第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ−１）、および、第２検出電極Ｅｙj+1から得られる第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ＋１）、の２つの値を小さくする。たとえばこれらの第１方向検出値および第２方向検出値の値の各々を、２分の１にする。
【０１４５】
＜第２マップ値の作成（Ｓ２０７）＞
次に、上述の準備処理を終えた後に、第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）と第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）とを用いて、複数の第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を作成する（Ｓ２０７）。以下に述べる第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）の求め方は、上述の準備処理を終えた後の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）と第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）を用いる点を除いて、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）の求め方と同様である。第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）も、第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）の少なくともいずれかと第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）の少なくともいずれかとを演算した値である。
【０１４６】
第２マップ値は、その第２マップ値を求めるのに用いた第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）の各々と正の相関を有する。すなわち、第２マップ値の値は、その第２マップ値を求めるのに用いた第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）のうちある特定の第１方向検出値Ｘｃｈ(ｉ)以外の値、および、その第２マップ値を求めるのに用いた第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）の値が同一であれば、当該特定の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｊ）の値が大きいほど、大きい。また、第２マップ値は、その第２マップ値を求めるのに用いた第２方向検出値Ｙｃｈ（ｉ）の各々と正の相関を有する。すなわち、第２マップ値の値は、その第２マップ値を求めるのに用いた第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）、および、その第２マップ値を求めるのに用いた第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）のうちある特定の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）以外の値が同一であれば、当該特定の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）の値が大きいほど、大きい。
【０１４７】
また、作成する第２マップ値の個数は、複数の第１方向検出値Ｘｃｈ(ｉ)のいずれかと複数の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）のいずれかとの組み合わせ方によって、自在に決定できる。以下では、２ｎ×２ｍ個の第２マップ値を作成する例を示す。
【０１４８】
第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）の各々に対応づけられている二次元座標（Ｘ２pq，Ｙ２pq）は、図２２等に示す所定面積の領域Ｒpqの重心座標である。領域Ｒpqの形状はどのような形状であってもよい。本実施形態においては、領域Ｒpqは、各第１検出電極Ｅｘiの菱形状の部分４個分の面積を有する。第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）は、
ｍａｐ２（ｐ，ｑ）＝Ｗｘ（ｐ，ｑ）＋Ｗｙ（ｐ，ｑ）・・・（６）
と定義される。
【０１４９】
Ｗｘ（ｐ，ｑ）は第３値であり、
Ｗｘ（ｐ，ｑ）＝ΣＳk・Ｘｃｈ（ｋ）・・・（７）
と表わされる。
ここで、Ｓkは、領域Ｒpqと第１検出電極Ｅｘkとが重なる領域の面積である（ｋ＝１，２，・・・，ｎ）。すなわち第３値Ｗｘ（ｐ，ｑ）は、領域Ｒpqと第１検出電極Ｅｘkとが重なる領域のそれぞれの面積を重みとして、各第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）を加算した値である。
【０１５０】
同様に、Ｗｙ（ｐ，ｑ）は第４値であり、
Ｗｙ（ｐ，ｑ）＝ΣＴk・Ｙｃｈ（ｋ）・・・（８）
と表わされる。
ここでＴkは、Ｓkと同様に、領域Ｒpqと第２検出電極Ｅｙkとが重なる領域の面積である（ｋ＝１，２，・・・，ｍ）。すなわち第４値Ｗｙ（ｐ，ｑ）は、領域Ｒpqと第２検出電極Ｅｙkとが重なる領域のそれぞれの面積を重みとして、各第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）を加算した値である。
【０１５１】
そのため、第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）は、領域Ｒpqと第１検出電極Ｅｘkとが重なる領域のそれぞれの面積を重みとして、各第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）を加算した値と、領域Ｒpqと第２検出電極Ｅｙkとが重なる領域のそれぞれの面積を重みとして、各第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）を加算した値と、の和といえる。
【０１５２】
本実施形態において、第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）は、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ，２ｊ）の場合・・・・・・・（ケース１、図２２参照）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ＋１，２ｊ）の場合・・・・・（ケース２、図２３参照）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ，２ｊ＋１）の場合・・・・・（ケース３、図２４参照）、
（ｐ，ｑ）＝（２ｉ＋１，２ｊ＋１）の場合・・・（ケース４、図２５参照）、
の４つの場合（ｉ＝１，２，・・・ｎ、ｊ＝１，２，・・・ｍ）ごとに、求める際に用いるパラメータが異なる。以下具体的に説明する。
【０１５３】
＜ケース１＞
図２２を用いて、ケース１について説明する。同図に示す通り、二次元座標（Ｘ２pq，Ｙ２pq）については、
（Ｘ２pq，Ｙ２pq）＝（Ｘ２2i，Ｙ２2j）
＝（Ｘi，Ｙj）・・・（９−１）
と表わされる。
Ｘiは、第１検出電極Ｅｘiの方向ｘにおける中心位置である。同様に、Ｙjは、第２検出電極Ｅｙjの方向ｙにおける中心位置である。
【０１５４】
ケース１において（７）式は、
Ｗｘ（ｐ，ｑ）＝Ｗｘ（２ｉ，２ｊ）
＝Ｓi-1Ｘｃｈ（ｉ−１）＋ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝０．３Ｘｃｈ（ｉ−１）＋１．４Ｘｃｈ（ｉ）＋０．３Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（７−１）
と表わされる。
Ｓi-1，Ｓi，Ｓi+1については、第１検出電極Ｅｘiに含まれる菱形の電極一つの面積を１とし、Ｓi-1＝０．３，Ｓi＝１．４，Ｓi+1＝０．３としている。なお、Ｘｃｈ（０），Ｘｃｈ（ｎ＋１）等の実在しない値としては、適当な値を用いる。
【０１５５】
同様にケース１において（８）式は、
Ｗｙ（ｐ，ｑ）＝Ｗｙ（２ｉ，２ｊ）
＝Ｔj-1Ｙｃｈ（ｊ−１）＋ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝０．３Ｙｃｈ（ｊ−１）＋１．４Ｙｃｈ（ｊ）＋０．３Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（８−１）
と表わされる。
Ｔj-1，Ｔj，Ｔj+1については、第２検出電極Ｅｙjに含まれる菱形の電極一つの面積を１とし、Ｔj-1＝０．３，Ｔj＝１．４，Ｔj+1＝０．３としている。なお、Ｙｃｈ（０），Ｙｃｈ（ｍ＋１）等の実在しない値としては、適当な値を用いる。
【０１５６】
ケース１においてはこのような第３値Ｗｘ（ｐ，ｑ）および第４値Ｗｙ（ｐ，ｑ）を求め、（６）式により第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１５７】
＜ケース２＞
図２３は、ケース２について説明する図である。同図に示す通り、二次元座標（Ｘ２pq，Ｙ２pq）については、
（Ｘ２pq，Ｙ２pq）＝（Ｘ２2i+1，Ｙ２2j）
＝（（Ｘi＋Ｘi+1）／２，Ｙj）・・・（９−２）
と表わされる。
Ｘi+1は、第１検出電極Ｅｘi+1の方向ｘにおける中心位置である。
【０１５８】
ケース２において（７）式は、
Ｗｘ（ｐ，ｑ）＝Ｗｘ（２ｉ＋１，２ｊ）
＝ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝１．０Ｘｃｈ（ｉ）＋１．０Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（７−２）
と表わされる。
Ｓi，Ｓi+1については、第１検出電極Ｅｘiに含まれる菱形の電極一つの面積を１とし、Ｓi＝１．０，Ｓi+1＝１．０としている。
【０１５９】
ケース２において（８）式は、ケース１と同様、
Ｗｙ（ｐ，ｑ）＝Ｗｙ（２ｉ＋１，２ｊ）
＝Ｔj-1Ｙｃｈ（ｊ−１）＋ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝０．３Ｙｃｈ（ｊ−１）＋１．４Ｙｃｈ（ｊ）＋０．３Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（８−２）
と表わされる。
【０１６０】
ケース２においてはこのような第３値Ｗｘ（ｐ，ｑ）および第４値Ｗｙ（ｐ，ｑ）を求め、（６）式により第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１６１】
＜ケース３＞
図２４は、ケース３について説明する図である。同図に示す通り、二次元座標（Ｘ２pq，Ｙ２pq）については、
（Ｘ２pq，Ｙ２pq）＝（Ｘ２2i，Ｙ２2j+1）
＝（Ｘi，（Ｙj＋Ｙj+1）／２）・・・（９−３）
と表わされる。
Ｙi+1は、第２検出電極Ｅｙjの方向ｙにおける中心位置である。
【０１６２】
ケース３において（７）式は、ケース１と同様、
Ｗｘ（ｐ，ｑ）＝Ｗｘ（２ｉ，２ｊ＋１）
＝Ｓi-1Ｘｃｈ（ｉ−１）＋ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝０．３Ｘｃｈ（ｉ−１）＋１．４Ｘｃｈ（ｉ）＋０．３Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（７−３）
と表わされる。
【０１６３】
ケース３において（８）式は、
Ｗｙ（ｐ，ｑ）＝Ｗｙ（２ｉ，２ｊ＋１）
＝ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝１．０Ｙｃｈ（ｊ）＋１．０Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（８−３）
と表わされる。
Ｔj，Ｔj+1については、第２検出電極Ｅｙjに含まれる菱形の電極一つの面積を１とし、Ｔj＝１．０，Ｔj+1＝１．０としている。
【０１６４】
ケース３においてはこのような第３値Ｗｘ（ｐ，ｑ）および第４値Ｗｙ（ｐ，ｑ）を求め、（６）式により第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１６５】
＜ケース４＞
図２５は、ケース４について説明する図である。同図に示す通り、二次元座標（Ｘ２pq，Ｙ２pq）については、
（Ｘ２pq，Ｙ２pq）＝（Ｘ２2i+1，Ｙ２2j+1）
＝（（Ｘi＋Ｘi+1）／２，（Ｙj＋Ｙj+1）／２）・・・（９−４）
と表わされる。
【０１６６】
ケース４において（７）式は、ケース２と同様、
Ｗｘ（ｐ，ｑ）＝Ｗｘ（２ｉ＋１，２ｊ＋１）
＝ＳiＸｃｈ（ｉ）＋Ｓi+1Ｘｃｈ（ｉ＋１）
＝１．０Ｘｃｈ（ｉ）＋１．０Ｘｃｈ（ｉ＋１）・・・・（７−４）
と表わされる。
【０１６７】
ケース４において（８）式は、ケース３と同様、
Ｗｙ（ｐ，ｑ）＝Ｗｙ（２ｉ＋１，２ｊ＋１）
＝ＴjＹｃｈ（ｊ）＋Ｔj+1Ｙｃｈ（ｊ＋１）
＝１．０Ｙｃｈ（ｊ）＋１．０Ｙｃｈ（ｊ＋１）・・・・（８−４）
と表わされる。
【０１６８】
ケース４においてはこのような第３値Ｗｘ（ｐ，ｑ）および第４値Ｗｙ（ｐ，ｑ）を求め、（６）式により第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を作成する。
【０１６９】
以上のケース１〜ケース４の場合の計算をすることにより、複数の第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を作成することができる。
【０１７０】
ｉ＝１，２，・・・，ｎであることを考慮すると、ｐは、２から２ｎ＋１までの２ｎ個の整数である。一方、ｊ＝１，２，・・・，ｍであることを考慮すると、ｑは、２から２ｍ＋１までの２ｍ個の整数である。そこで、第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）は、２ｎ×２ｍ行列Ｔ２の要素と考えることができる。ここで、行列Ｔ２の要素βrsを、
βrs＝ｍａｐ２（ｒ＋１，ｓ＋１）・・・（１０）
（ｒ＝１，２，・・・２ｎ、ｓ＝１，２，・・・２ｍ）
と定義する（図２６参照）。
【０１７１】
また、式（９−１）、式（９−２）、式（９−３）、式（９−４）から、複数の第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）におけるｐの値が互いに同一であれば、それらの第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）に対応づけられた二次元座標のＸ２pqの値は同一であることが分かる。そのため、行列Ｔ２において行番号が同一であれば、行列要素（第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ））に対応づけられた二次元座標のＸ２pqの値は同一である。たとえば、３行目の成分のｐは４であり、（９−１）式、（９−３）式によると、Ｘ２pq＝Ｘ2である。
【０１７２】
同様に、複数の第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）におけるｑの値が互いに同一であれば、それらの第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）に対応づけられた二次元座標のＹ２pqの値は同一であることが分かる。そのため、行列Ｔ２において列番号が同一であれば、行列要素（第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ））に対応づけられた二次元座標のＹ２pqの値は同一である。たとえば、２列目の成分のｑは３であり、（９−３）式、（９−４）式によると、Ｙ２pq＝（Ｙ1＋Ｙ2）／２である。
【０１７３】
また、式（９−１）、式（９−２）、式（９−３）、式（９−４）によると、ｐの値が大きくなるほどＸ２pqの値が大きくなっており、且つ、ｑの値が大きくなるほどＹ２pq大きくなっている。そのため、行列Ｔ２においては、行番号が増加するにつれ当該行の成分（第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ））に対応づけられた二次元座標のＸ２pqの値は、単調に増加する。また同様に、行列Ｔ２においては、列番号増加するにつれ当該列の成分（第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ））に対応づけられた二次元座標のＹ２pqの値は、単調に増加する。
【０１７４】
＜導電体Ｄ２の接近の有無を判断（Ｓ２０８）＞
次に、図２７を参照しつつ、上述のプロセスにより作成された第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を用いて、導電体Ｄ２の接近の有無を判断する工程（Ｓ２０８）について説明する。まず、上記の処理において求められた第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）のうち、最も大きい最大第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）を抽出する（ｐｍａｘは、本実施形態においては第２マップ値が最大値をとるときのｐの値である。同様に、ｑｍａｘは、本実施形態においては第２マップ値が最大値をとるときのｑの値である）。次に、計算部９２は、この最大第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）の値が所定のしきい値より大きいか否かを判断する。最大第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）が、所定のしきい値以下である場合（Ｓ２０８：ＮＯ）、計算部９２は、導電体Ｄ２が接近していないと判断する（Ｓ２０９）。
【０１７５】
導電体Ｄ２が接近していないと判断した場合、計算部９２は、導電体Ｄ２が接近していないとする信号（たとえば第２接近座標（ｘ２，ｙ２）が（０，０）であるとする信号）と、既に計算した第１接近座標（ｘ１，ｙ１）とを、ＩＣチップ９の外部に出力する（Ｓ２１１）。
【０１７６】
＜第２接近座標（ｘ２，ｙ２）の計算（Ｓ２１０）＞
一方、最大第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）が所定のしきい値より大きい場合（Ｓ２０８：ＹＥＳ）、計算部９２は導電体Ｄ２が接近していると判断する。この場合、計算部９２は、第２接近座標（ｘ２，ｙ２）の値を計算する（Ｓ２１０）。本実施形態において、第２接近座標（ｘ２，ｙ２）のｘ２を計算するには、最大第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）と、この最大第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）と行番号が一つ異なり且つ互いに同一の列に含まれる２つの隣接第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ−１，ｕ）、ｍａｐ２（ｐｍａｘ＋１，ｕ）と、を用いる（ここでｕ＝２，３，・・・２ｍ＋１）。以下では一例として、ｕ＝ｑｍａｘである場合、すなわち、これらの２つの隣接第２マップ値が最大第２マップ値と同一の列に含まれる場合について説明する。
【０１７７】
図２８は、本実施形態における第２接近座標（ｘ２，ｙ２）のｘ２の値の求め方に用いるグラフである。同図に示すグラフの横軸は、隣接第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ−１，ｑｍａｘ）、最大第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）、および隣接第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ＋１，ｑｍａｘ）の各々に対応づけられている二次元座標のＸ２pqの値である。同グラフの縦軸は、各第２マップ値の値である。第１近接座標のｘ２の値を求めるには、同グラフの３つの第２マップ値を通る二次曲線を求める。そして、当該二次曲線の頂点の座標もしくは軸を求めるなどしてｘ２の値を計算する。
【０１７８】
本実施形態において、第２接近座標（ｘ２，ｙ２）のｙ２を計算するには、ｘ２を計算する場合と同様に、最大第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）と、この最大第２マップ値ｍａｐ２（ｐｍａｘ，ｑｍａｘ）と列番号が一つ異なる行に含まれる２つの隣接第２マップ値ｍａｐ２（ｖ，ｑｍａｘ−１）、ｍａｐ２（ｖ，ｑｍａｘ＋１）と、を用いる（ここでｖ＝２，３，・・・２ｎ＋１）。これら２つの隣接第２マップ値は、互いに同一の列に含まれる。ｙ２の値を計算する方法は、ｘ２の値を計算するのと同様であるから説明を省略する。
【０１７９】
このようにして、計算部９２は、導電体Ｄ２の接近位置を示す第２接近座標（ｘ２，ｙ２）を計算する。そして、ＩＣチップ９は、計算した第２接近座標（ｘ２，ｙ２）と、既に計算した第１接近座標（ｘ１，ｙ１）とに関する信号を外部に出力する（Ｓ２１１）。
【０１８０】
以上の流れで、第１接近座標（ｘ１，ｙ１）および第２接近座標（ｘ２，ｙ２）を計算できる。
【０１８１】
次に本実施形態の作用について説明する。
【０１８２】
本実施形態においても、第１実施形態と同様に、導電体Ｄ２が接近していないにもかかわらず導電体Ｄ２が接近したと判断してしまう誤作動を、抑制することができる。
【０１８３】
本実施形態においては、第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を用いて、第２接近座標（ｘ２，ｙ２）を計算している。第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を作成できる数は、第１検出電極Ｅｘiの数、第２検出電極Ｅｙjの数に制限されない。そのため、第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を多く作成することで、より正確な第２接近座標（ｘ２，ｙ２）を計算することができる。
【０１８４】
本実施形態においては、第２接近座標（ｘ２，ｙ２）を計算するために、図２８に示した二次曲線の頂点の座標もしくは軸を求めている。発明者らによると、このような計算方法は第２接近座標（ｘ２，ｙ２）を正確に求めるのに適することがわかった。
【０１８５】
次に、本発明の第６実施形態について説明する。本実施形態は、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）が、第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）と第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）との和を累乗した値である点において、第１実施形態と相違する。
【０１８６】
すなわち、本実施形態において第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）は、
ｍａｐ１（ｐ，ｑ）＝（Ｖｘ（ｐ，ｑ）＋Ｖｙ（ｐ，ｑ））v・・・（１）’
（ｖ＝２，３，４・・・）
と定義される。
【０１８７】
第１値Ｖｘ（ｐ，ｑ）および第２値Ｖｙ（ｐ，ｑ）の求め方や、工程Ｓ１０３〜Ｓ１０６は、第１実施形態と同様であるので説明を省略する。
【０１８８】
本実施形態によると、図２９，図３０に示す導電体Ｄ１の透過板２に対する接触面積が第１実施形態における接触面積よりも小さい場合であっても、導電体Ｄ１の接近位置を正確に計算できる。導電体Ｄ１の透過板２に対する接触面積が小さいといったことは、たとえば導電体Ｄ１の大きさが小さい場合（導電体Ｄ１が子供の指である場合、図２９，図３０参照）や、導電体Ｄ１たる指を透過板２に十分に押し当てていない場合に生じる。また本実施形態によると、ノイズの影響により、常時、複数の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）がわずかに値を示している場合や、常時、複数の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）がわずかに値を示している場合であっても、導電体Ｄ１の接近位置を正確に計算できる。その理由は以下のとおりである。
【０１８９】
導電体Ｄ１の透過板２に対する接触面積が小さい場合に導電体Ｄ１の接近位置を正確に計算するためには、ノイズに由来する第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）や第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）を用いて求められる第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）に対する、導電体Ｄ１が第１検出電極Ｅｘiおよび第２検出電極Ｅｙjに接近した場合に大きくなる第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）、の比Ｒａが大きいことが望ましい。また、ノイズの影響により、常時、複数の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）がわずかに値を示している場合や、常時、複数の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）がわずかに値を示している場合に、導電体Ｄ１の接近位置を正確に計算するためにも、比Ｒａが大きいことが望ましい。比Ｒａが大きいと、導電体Ｄ１の透過板２に対する接触面積が小さい場合であっても導電体Ｄ１が接近したとより確実に判断でき、且つ、ノイズの影響があっても導電体Ｄ１が接近したと誤判断しにくいしきい値を設定できるからである。
【０１９０】
また、本実施形態においては、指数ｖが１より大きいため、ｖ＝１である場合と比較して、比Ｒａが大きくなる。このことは、図３１〜図３３を参照することにより理解できる。
【０１９１】
図３１に、図３０に示すように導電体Ｄ１が透過板２に接近した場合の、第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）および第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）ごとの各値を三次元の棒グラフで示している。
【０１９２】
第１検出電極Ｅｘ1〜Ｅｘnのうち、図３０に示す導電体Ｄ１の透過板２に対する接触領域の大部分と対向し合うのは、第１検出電極Ｅｘ4である。そのため、図３１では、第１方向検出値Ｘｃｈ（４）が他の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）より大きい値を示している。導電体Ｄ１の透過板２に対する接触面積は第１実施形態における接触面積より小さいから、第１検出電極Ｅｘ4と対向する面積も小さい。そのため、第１方向検出値Ｘｃｈ（４）の値は第１実施形態における値より小さい。第１検出電極Ｅｘ1〜Ｅｘnのうち電極Ｅｘ3は、図３０に示す導電体Ｄ１の透過板２に対する接触領域とわずかに対向し合う。そのため、図３１では、第１方向検出値Ｘｃｈ（３）がわずかに値を示している。また、本実施形態では、ノイズの影響により、常時、複数の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）がわずかな値を示す場合について述べる。図３１では、ノイズの影響により、Ｘｃｈ（１），Ｘｃｈ（６），Ｘｃｈ（９）がわずかに値を示している。
【０１９３】
第２検出電極Ｅｙ1〜Ｅｙmのうち、図３０に示す導電体Ｄ１の透過板２に対する接触領域と対向し合うのは、第２検出電極Ｅｙ10のみである。そのため、図３１では、第２方向検出値Ｙｃｈ（１０）が他の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）より大きい値を示している。導電体Ｄ１の透過板２に対する接触面積は第１実施形態における接触面積より小さいから、第２検出電極Ｅｙ10と対向する面積も小さい。そのため、第２方向検出値Ｙｃｈ（１０）の値は第１実施形態におけるものより小さい。また、本実施形態では、ノイズの影響により、常時、複数の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）がわずかな値を示す場合について述べる。図３１では、ノイズの影響により、Ｙｃｈ（３），Ｙｃｈ（６）がわずかに値を示している。
【０１９４】
図３２に、図３１に示す第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）および第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）を用い、（１）’式でｖ＝１とした場合、すなわち第１実施形態で述べた方法で求めた場合の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を三次元で示している。図３３に、図３１に示す第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）および第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）を用い、（１）’式でｖ＝３とした場合の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を三次元で示している。
【０１９５】
図３２に示すように、導電体Ｄ１の透過板２に対する接触面積が小さいため、同図にてピークを示す第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）（たとえば、ｍａｐ１（８，２０））は、他の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）よりもわずかに大きい程度である。また、ノイズに由来する第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）（たとえばＸｃｈ（６））や第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）（たとえばＹｃｈ（６））を用いて求められる第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）（一例を図３２にてＲαで示す）が、比較的大きい値を示している。そのため、図３２に示す場合は、比Ｒａの値は比較的小さい。
【０１９６】
一方、図３３では、図３２に示す場合と比較して、ピークを示す第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）（たとえば、ｍａｐ１（８，２０））が、他の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）よりも極端に大きくなっている。また、図３３では、ノイズに由来する第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）（たとえばＸｃｈ（６））や第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）（たとえばＹｃｈ（６））を用いて求められる第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）（一例を図３３にてＲαで示す）が、比較的小さくなっている。そのため、図３３に示す場合は、比Ｒａの値は比較的大きい。
【０１９７】
以上より、本実施形態では、ｖ＝１である場合と比較して、比Ｒａが大きくなることがわかる。
【０１９８】
したがって、本実施形態によれば、導電体Ｄ１の透過板２に対する接触面積が第１実施形態における面積より小さい場合であっても、導電体Ｄ１の接近位置を正確に計算できる。また、本実施形態によれば、ノイズの影響により、常時、複数の第１方向検出値Ｘｃｈ（ｉ）がわずかに値を示している場合や、常時、複数の第２方向検出値Ｙｃｈ（ｊ）がわずかに値を示している場合であっても、導電体Ｄ１の接近位置を正確に計算できる。
【０１９９】
なお、本実施形態と同様に、第４実施形態において、第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を、
ｍａｐ１（ｐ，ｑ）＝（Ｖｘ（ｐ，ｑ）＋Ｖｙ（ｐ，ｑ））v・・・（１）’
（ｖ＝２，３，４・・・）
と定義して、計算してもよい。
【０２００】
さらに、第２マップ値ｍａｐ２（ｐ，ｑ）を、
ｍａｐ２（ｐ，ｑ）＝（Ｗｘ（ｐ，ｑ）＋Ｗｙ（ｐ，ｑ））w・・・（６）’
（ｗ＝２，３，４・・・）
と定義して計算してもよい。
また、ｖ＝ｗとして計算してもよい。
【０２０１】
このような構成によっても、上述のように、導電体Ｄ１，Ｄ２の接近位置をそれぞれ、正確に計算できる。
【０２０２】
本発明の範囲は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。たとえば、第１マップ値は、第１値と第２値との和である例を示したが、第１値と第２値とを掛け合わせた第１マップ値を所定のしきい値と比較することにより、導電体の接近の有無を判断してもよい。
【０２０３】
上記の実施形態においては、第１検出電極と第２検出電極とが異なる基板上に形成されているが、これらの第１検出電極および第２検出電極は単一基板上に形成されていてもよい。
【０２０４】
本発明にかかる入力装置は、携帯電話機に用いられるものに限られない。たとえば、デジタルカメラ、パーソナルナビゲーションデバイス、自動預入支払機等、タッチパネルを用いる機器において、本発明の入力装置を利用することができる。
【０２０５】
第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を作成する工程（Ｓ１０２）と、導電体Ｄ１の接近の有無を判断する工程（Ｓ１０３）との間に、ノイズの影響によりわずかに値を示す第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を０にする計算を行ってもよい。このような計算は、たとえば、ある値以下の第１マップ値ｍａｐ１（ｐ，ｑ）を０とすることにより行われる。
【符号の説明】
【０２０６】
Ａ１ 入力装置
１，２ 透過板
３，３’ 配線
４ 樹脂層
５ スペーサ
６ 異方性導電樹脂部
７ シールド層
８ フレキシブル基板
９ ＩＣチップ
９１ 記憶部
９２ 計算部
Ｅｘi 第１検出電極
Ｅｙj 第２検出電極
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に配列され且つ上記第１方向と交差する第２方向に延びる複数の第１検出電極と、
上記第２方向に配列され且つ上記第１方向に延びる複数の第２検出電極と、
導電体と各第１検出電極との間の静電容量の変化に伴い各第１検出電極を介して得られる値をそれぞれ複数の第１方向検出値として記憶し、且つ、上記導電体と各第２検出電極との間の静電容量の変化に伴い各第２検出電極を介して得られる値をそれぞれ複数の第２方向検出値として記憶する記憶手段と、
計算部と、を備え、
上記計算部は、
上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第１値と、上記複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第２値とを演算した第１マップ値を複数作成する処理と、
複数の上記第１マップ値を用いて上記導電体の接近の有無を判断する処理とを実行する、静電容量式入力装置。
【請求項２】
複数の上記第１マップ値は、複数の上記第１マップ値のうちで最も大きい最大第１マップ値を含み、
上記導電体の接近の有無を判断する処理においては、上記最大第１マップ値と所定のしきい値とを比較する、請求項１に記載の静電容量式入力装置。
【請求項３】
上記第１値は、上記第１検出電極と所定領域とが重なる面積を重みとして、上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて加算した値であり、
上記第２値は、上記第２検出電極と上記所定領域とが重なる面積を重みとして、上記複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて加算した値である、請求項１または２に記載の静電容量式入力装置。
【請求項４】
上記第１マップ値は、上記第１値と上記第２値との和である、請求項１ないし３のいずれかに記載の静電容量式入力装置。
【請求項５】
上記第１マップ値は、上記第１値と上記第２値との和を累乗した値である、請求項１ないし３のいずれかに記載の静電容量式入力装置。
【請求項６】
各第１マップ値は、上記第１方向における一つの座標値と上記第２方向における一つの座標値とを一組含む二次元座標に対応付けられており、
上記計算部は、複数の上記第１マップ値を用いて上記第１方向と上記第２方向とにおける上記導電体の第１接近位置を計算する処理を更に実行する、請求項１ないし５のいずれかに記載の静電容量式入力装置。
【請求項７】
上記第１接近位置を計算する処理においては、複数の上記第１マップ値のうちの一部のみを用いて上記第１接近位置を計算する、請求項６に記載の静電容量式入力装置。
【請求項８】
各第１マップ値は、行成分がそれぞれ上記第１方向における一つの座標値に対応づけられ且つ列成分がそれぞれ上記第２方向における一つの座標値に対応づけられた第１行列の複数の要素のいずれかであり、
上記第１行列においては、行番号が増加するにつれ当該行成分に対応づけられた上記第１方向における座標値が単調に変化し、且つ、列番号が増加するにつれ当該列成分に対応づけられた上記第２方向における座標値が単調に変化し、
複数の上記第１マップ値は、複数の上記第１マップ値のうちで最も大きい最大第１マップ値と、当該最大第１マップ値と行番号が一つ異なり且つ互いに列番号が同一である２つの隣接第１マップ値とを含み、
上記第１接近位置を計算する処理においては、上記最大第１マップ値と上記２つの隣接第１マップ値とを用い、上記第１接近位置を計算する、請求項７に記載の静電容量式入力装置。
【請求項９】
複数の上記第１検出電極は、上記複数の第１検出電極のうち上記第１接近位置に最も近接する第１近接検出電極を含み、
複数の上記第２検出電極は、上記複数の第２検出電極のうち上記第１接近位置に最も近接する第２近接検出電極を含み、
上記計算部は、第２接近位置計算の準備処理を実行し、
当該準備処理は、上記記憶手段における、上記複数の第１方向検出値のうち上記第１近接検出電極に対応する値を小さく変換し、且つ、上記記憶手段における、上記複数の第２方向検出値のうち上記第２近接検出電極に対応する値を小さく変換するものである、請求項１ないし８のいずれかに記載の静電容量式入力装置。
【請求項１０】
上記計算部は、上記準備処理が行われた後に、上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第３値と、上記複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第４値とを演算した第２マップ値を複数作成する処理と、
複数の上記第２マップ値を用いて上記導電体の接近の有無を判断する処理とを更に実行する、請求項９に記載の静電容量式入力装置。
【請求項１１】
各第２マップ値は、上記第１方向における一つの座標値と上記第２方向における座標値とを一組含む二次元座標に対応付けられており、
上記計算部は、複数の上記第２マップ値を用いて上記導電体の上記第１方向および上記第２方向における第２接近位置を計算する処理を更に実行する、請求項１０に記載の静電容量式入力装置。
【請求項１２】
上記第２接近位置を計算する処理においては、複数の上記第２マップ値のうちの一部のみを用いて上記第２接近位置を計算する、請求項１１に記載の静電容量式入力装置。
【請求項１３】
各第２マップ値は、行成分がそれぞれ上記第１方向における一つの座標値に対応づけられ且つ列成分がそれぞれ上記第２方向における一つの座標値に対応づけられた第２行列の複数の要素のいずれかであり、
上記第２行列においては、行番号が増加するにつれ当該行成分に対応づけられた上記第１方向における座標値が単調に変化し、且つ、列番号が増加するにつれ当該列成分に対応づけられた上記第２方向における座標値が単調に変化し、
複数の上記第２マップ値は、複数の上記第２マップ値のうちで最も大きい最大第２マップ値と、当該最大第２マップ値と列番号が一つ異なり且つ互いに行番号が同一である２つの隣接第２マップ値とを含み、
上記第２接近位置を計算する処理においては、上記最大第２マップ値と上記２つの隣接第２マップ値とを用い、上記第２接近位置を計算する、請求項１２に記載の静電容量式入力装置。
【請求項１４】
第１方向に配列され且つ上記第１方向と交差する第２方向に延びる複数の第１検出電極と、
上記第２方向に配列され且つ上記第１方向に延びる複数の第２検出電極とを備える静電容量式入力装置における導電体の接近位置の計算方法であって、
上記導電体と各第１検出電極との静電容量の変化に伴い各第１検出電極を介して得られる値をそれぞれ複数の第１方向検出値として記憶手段に記憶し、
上記導電体と各第２検出電極との静電容量の変化に伴い各第２検出電極を介して得られる値をそれぞれ複数の第２方向検出値として上記記憶手段に記憶し、
上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第１値と、上記複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第２値とを演算した第１マップ値を複数作成し、
複数の上記第１マップ値を用いて上記導電体の接近の有無を判断する各工程を備える、静電容量式入力装置における導電体の接近位置の計算方法。
【請求項１５】
複数の上記第１マップ値は、複数の上記第１マップ値のうちで最も大きい最大第１マップ値を含み、
上記判断する工程においては、上記最大第１マップ値と所定のしきい値とを比較する、請求項１４に記載の計算方法。
【請求項１６】
上記第１値は、上記第１検出電極と所定領域とが重なる面積を重みとして、上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて加算した値であり、
上記第２値は、上記第２検出電極と上記所定領域とが重なる面積を重みとして、上記複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて加算した値である、請求項１４または１５に記載の計算方法。
【請求項１７】
上記第１マップ値は、上記第１値と上記第２値との和である、請求項１４ないし１６のいずれかに記載の計算方法。
【請求項１８】
上記第１マップ値は、上記第１値と上記第２値との和を累乗した値である、請求項１４ないし１６のいずれかに記載の計算方法。
【請求項１９】
各第１マップ値は、上記第１方向における一つの座標値と上記第２方向における一つの座標値とを一組含む二次元座標に対応付けられており、
複数の上記第１マップ値を用いて上記第１方向と上記第２方向とにおける上記導電体の第１接近位置を計算する工程を更に備える、請求項１４ないし１８のいずれかに記載の計算方法。
【請求項２０】
上記第１接近位置を計算する工程においては、複数の上記第１マップ値のうちの一部のみを用いて上記第１接近位置を計算する、請求項１９に記載の計算方法。
【請求項２１】
各第１マップ値は、行成分がそれぞれ上記第１方向における一つの座標値に対応づけられ且つ列成分がそれぞれ上記第２方向における一つの座標値に対応づけられた第１行列の複数の要素のいずれかであり、
上記第１行列においては、行番号が増加するにつれ当該行成分に対応づけられた上記第１方向における座標値が単調に変化し、且つ、列番号が増加するにつれ当該列成分に対応づけられた上記第２方向における座標値が単調に変化し、
複数の上記第１マップ値は、複数の上記第１マップ値のうちで最も大きい最大第１マップ値と、当該最大第１マップ値と行番号が一つ異なり且つ互いに列番号が同一である２つの隣接第１マップ値とを含み、
上記第１接近位置を計算する工程においては、上記最大第１マップ値と上記２つの隣接第１マップ値とを用い、上記第１接近位置を計算する、請求項２０に記載の計算方法。
【請求項２２】
複数の上記第１検出電極は、上記複数の第１検出電極のうち上記第１接近位置に最も近接する第１近接検出電極を含み、
複数の上記第２検出電極は、上記複数の第２検出電極のうち上記第１接近位置に最も近接する第２近接検出電極を含み、
第２接近位置計算の準備を行う工程を更に備え、
当該準備を行う工程は、上記記憶手段における、上記複数の第１方向検出値のうち上記第１近接検出電極に対応する値を小さく変換し、且つ、上記記憶手段における、上記複数の第２方向検出値のうち上記第２近接検出電極に対応する値を小さく変換するものである、請求項１４ないし２１のいずれかに記載の計算方法。
【請求項２３】
上記準備を行う工程の後に、上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第３値と、複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第４値とを演算した第２マップ値を複数作成する工程と、
複数の上記第２マップ値を用いて上記導電体の接近の有無を判断する工程とを更に備える、請求項２２に記載の計算方法。
【請求項２４】
各第２マップ値は、上記第１方向における一つの座標値と上記第２方向における座標値とを一組含む二次元座標に対応付けられており、
複数の上記第２マップ値を用いて上記導電体の上記第１方向および上記第２方向における第２接近位置を計算する工程を更に備える、請求項２３に記載の計算方法。
【請求項２５】
上記第２接近位置を計算する工程においては、複数の上記第２マップ値のうちの一部のみを用いて上記第２接近位置を計算する、請求項２４に記載の計算方法。
【請求項２６】
各第２マップ値は、行成分がそれぞれ上記第１方向における一つの座標値に対応づけられ且つ列成分がそれぞれ上記第２方向における一つの座標値に対応づけられた第２行列の複数の要素のいずれかであり、
上記第２行列においては、行番号が増加するにつれ当該行成分に対応づけられた上記第１方向における座標値が単調に変化し、且つ、列番号が増加するにつれ当該列成分に対応づけられた上記第２方向における座標値が単調に変化し、
複数の上記第２マップ値は、複数の上記第２マップ値のうちで最も大きい最大第２マップ値と、当該最大第２マップ値と列番号が一つ異なり且つ互いに行番号が同一である２つの隣接第２マップ値とを含み、
上記第２接近位置を計算する工程においては、上記最大第２マップ値と上記２つの隣接第２マップ値とを用い、上記第２接近位置を計算する、請求項２５に記載の計算方法。
【請求項１】
第１方向に配列され且つ上記第１方向と交差する第２方向に延びる複数の第１検出電極と、
上記第２方向に配列され且つ上記第１方向に延びる複数の第２検出電極と、
導電体と各第１検出電極との間の静電容量の変化に伴い各第１検出電極を介して得られる値をそれぞれ複数の第１方向検出値として記憶し、且つ、上記導電体と各第２検出電極との間の静電容量の変化に伴い各第２検出電極を介して得られる値をそれぞれ複数の第２方向検出値として記憶する記憶手段と、
計算部と、を備え、
上記計算部は、
上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第１値と、上記複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第２値とを演算した第１マップ値を複数作成する処理と、
複数の上記第１マップ値を用いて上記導電体の接近の有無を判断する処理とを実行する、静電容量式入力装置。
【請求項２】
複数の上記第１マップ値は、複数の上記第１マップ値のうちで最も大きい最大第１マップ値を含み、
上記導電体の接近の有無を判断する処理においては、上記最大第１マップ値と所定のしきい値とを比較する、請求項１に記載の静電容量式入力装置。
【請求項３】
上記第１値は、上記第１検出電極と所定領域とが重なる面積を重みとして、上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて加算した値であり、
上記第２値は、上記第２検出電極と上記所定領域とが重なる面積を重みとして、上記複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて加算した値である、請求項１または２に記載の静電容量式入力装置。
【請求項４】
上記第１マップ値は、上記第１値と上記第２値との和である、請求項１ないし３のいずれかに記載の静電容量式入力装置。
【請求項５】
上記第１マップ値は、上記第１値と上記第２値との和を累乗した値である、請求項１ないし３のいずれかに記載の静電容量式入力装置。
【請求項６】
各第１マップ値は、上記第１方向における一つの座標値と上記第２方向における一つの座標値とを一組含む二次元座標に対応付けられており、
上記計算部は、複数の上記第１マップ値を用いて上記第１方向と上記第２方向とにおける上記導電体の第１接近位置を計算する処理を更に実行する、請求項１ないし５のいずれかに記載の静電容量式入力装置。
【請求項７】
上記第１接近位置を計算する処理においては、複数の上記第１マップ値のうちの一部のみを用いて上記第１接近位置を計算する、請求項６に記載の静電容量式入力装置。
【請求項８】
各第１マップ値は、行成分がそれぞれ上記第１方向における一つの座標値に対応づけられ且つ列成分がそれぞれ上記第２方向における一つの座標値に対応づけられた第１行列の複数の要素のいずれかであり、
上記第１行列においては、行番号が増加するにつれ当該行成分に対応づけられた上記第１方向における座標値が単調に変化し、且つ、列番号が増加するにつれ当該列成分に対応づけられた上記第２方向における座標値が単調に変化し、
複数の上記第１マップ値は、複数の上記第１マップ値のうちで最も大きい最大第１マップ値と、当該最大第１マップ値と行番号が一つ異なり且つ互いに列番号が同一である２つの隣接第１マップ値とを含み、
上記第１接近位置を計算する処理においては、上記最大第１マップ値と上記２つの隣接第１マップ値とを用い、上記第１接近位置を計算する、請求項７に記載の静電容量式入力装置。
【請求項９】
複数の上記第１検出電極は、上記複数の第１検出電極のうち上記第１接近位置に最も近接する第１近接検出電極を含み、
複数の上記第２検出電極は、上記複数の第２検出電極のうち上記第１接近位置に最も近接する第２近接検出電極を含み、
上記計算部は、第２接近位置計算の準備処理を実行し、
当該準備処理は、上記記憶手段における、上記複数の第１方向検出値のうち上記第１近接検出電極に対応する値を小さく変換し、且つ、上記記憶手段における、上記複数の第２方向検出値のうち上記第２近接検出電極に対応する値を小さく変換するものである、請求項１ないし８のいずれかに記載の静電容量式入力装置。
【請求項１０】
上記計算部は、上記準備処理が行われた後に、上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第３値と、上記複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第４値とを演算した第２マップ値を複数作成する処理と、
複数の上記第２マップ値を用いて上記導電体の接近の有無を判断する処理とを更に実行する、請求項９に記載の静電容量式入力装置。
【請求項１１】
各第２マップ値は、上記第１方向における一つの座標値と上記第２方向における座標値とを一組含む二次元座標に対応付けられており、
上記計算部は、複数の上記第２マップ値を用いて上記導電体の上記第１方向および上記第２方向における第２接近位置を計算する処理を更に実行する、請求項１０に記載の静電容量式入力装置。
【請求項１２】
上記第２接近位置を計算する処理においては、複数の上記第２マップ値のうちの一部のみを用いて上記第２接近位置を計算する、請求項１１に記載の静電容量式入力装置。
【請求項１３】
各第２マップ値は、行成分がそれぞれ上記第１方向における一つの座標値に対応づけられ且つ列成分がそれぞれ上記第２方向における一つの座標値に対応づけられた第２行列の複数の要素のいずれかであり、
上記第２行列においては、行番号が増加するにつれ当該行成分に対応づけられた上記第１方向における座標値が単調に変化し、且つ、列番号が増加するにつれ当該列成分に対応づけられた上記第２方向における座標値が単調に変化し、
複数の上記第２マップ値は、複数の上記第２マップ値のうちで最も大きい最大第２マップ値と、当該最大第２マップ値と列番号が一つ異なり且つ互いに行番号が同一である２つの隣接第２マップ値とを含み、
上記第２接近位置を計算する処理においては、上記最大第２マップ値と上記２つの隣接第２マップ値とを用い、上記第２接近位置を計算する、請求項１２に記載の静電容量式入力装置。
【請求項１４】
第１方向に配列され且つ上記第１方向と交差する第２方向に延びる複数の第１検出電極と、
上記第２方向に配列され且つ上記第１方向に延びる複数の第２検出電極とを備える静電容量式入力装置における導電体の接近位置の計算方法であって、
上記導電体と各第１検出電極との静電容量の変化に伴い各第１検出電極を介して得られる値をそれぞれ複数の第１方向検出値として記憶手段に記憶し、
上記導電体と各第２検出電極との静電容量の変化に伴い各第２検出電極を介して得られる値をそれぞれ複数の第２方向検出値として上記記憶手段に記憶し、
上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第１値と、上記複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第２値とを演算した第１マップ値を複数作成し、
複数の上記第１マップ値を用いて上記導電体の接近の有無を判断する各工程を備える、静電容量式入力装置における導電体の接近位置の計算方法。
【請求項１５】
複数の上記第１マップ値は、複数の上記第１マップ値のうちで最も大きい最大第１マップ値を含み、
上記判断する工程においては、上記最大第１マップ値と所定のしきい値とを比較する、請求項１４に記載の計算方法。
【請求項１６】
上記第１値は、上記第１検出電極と所定領域とが重なる面積を重みとして、上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて加算した値であり、
上記第２値は、上記第２検出電極と上記所定領域とが重なる面積を重みとして、上記複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて加算した値である、請求項１４または１５に記載の計算方法。
【請求項１７】
上記第１マップ値は、上記第１値と上記第２値との和である、請求項１４ないし１６のいずれかに記載の計算方法。
【請求項１８】
上記第１マップ値は、上記第１値と上記第２値との和を累乗した値である、請求項１４ないし１６のいずれかに記載の計算方法。
【請求項１９】
各第１マップ値は、上記第１方向における一つの座標値と上記第２方向における一つの座標値とを一組含む二次元座標に対応付けられており、
複数の上記第１マップ値を用いて上記第１方向と上記第２方向とにおける上記導電体の第１接近位置を計算する工程を更に備える、請求項１４ないし１８のいずれかに記載の計算方法。
【請求項２０】
上記第１接近位置を計算する工程においては、複数の上記第１マップ値のうちの一部のみを用いて上記第１接近位置を計算する、請求項１９に記載の計算方法。
【請求項２１】
各第１マップ値は、行成分がそれぞれ上記第１方向における一つの座標値に対応づけられ且つ列成分がそれぞれ上記第２方向における一つの座標値に対応づけられた第１行列の複数の要素のいずれかであり、
上記第１行列においては、行番号が増加するにつれ当該行成分に対応づけられた上記第１方向における座標値が単調に変化し、且つ、列番号が増加するにつれ当該列成分に対応づけられた上記第２方向における座標値が単調に変化し、
複数の上記第１マップ値は、複数の上記第１マップ値のうちで最も大きい最大第１マップ値と、当該最大第１マップ値と行番号が一つ異なり且つ互いに列番号が同一である２つの隣接第１マップ値とを含み、
上記第１接近位置を計算する工程においては、上記最大第１マップ値と上記２つの隣接第１マップ値とを用い、上記第１接近位置を計算する、請求項２０に記載の計算方法。
【請求項２２】
複数の上記第１検出電極は、上記複数の第１検出電極のうち上記第１接近位置に最も近接する第１近接検出電極を含み、
複数の上記第２検出電極は、上記複数の第２検出電極のうち上記第１接近位置に最も近接する第２近接検出電極を含み、
第２接近位置計算の準備を行う工程を更に備え、
当該準備を行う工程は、上記記憶手段における、上記複数の第１方向検出値のうち上記第１近接検出電極に対応する値を小さく変換し、且つ、上記記憶手段における、上記複数の第２方向検出値のうち上記第２近接検出電極に対応する値を小さく変換するものである、請求項１４ないし２１のいずれかに記載の計算方法。
【請求項２３】
上記準備を行う工程の後に、上記複数の第１方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第３値と、複数の第２方向検出値の少なくともいずれかについて演算した第４値とを演算した第２マップ値を複数作成する工程と、
複数の上記第２マップ値を用いて上記導電体の接近の有無を判断する工程とを更に備える、請求項２２に記載の計算方法。
【請求項２４】
各第２マップ値は、上記第１方向における一つの座標値と上記第２方向における座標値とを一組含む二次元座標に対応付けられており、
複数の上記第２マップ値を用いて上記導電体の上記第１方向および上記第２方向における第２接近位置を計算する工程を更に備える、請求項２３に記載の計算方法。
【請求項２５】
上記第２接近位置を計算する工程においては、複数の上記第２マップ値のうちの一部のみを用いて上記第２接近位置を計算する、請求項２４に記載の計算方法。
【請求項２６】
各第２マップ値は、行成分がそれぞれ上記第１方向における一つの座標値に対応づけられ且つ列成分がそれぞれ上記第２方向における一つの座標値に対応づけられた第２行列の複数の要素のいずれかであり、
上記第２行列においては、行番号が増加するにつれ当該行成分に対応づけられた上記第１方向における座標値が単調に変化し、且つ、列番号が増加するにつれ当該列成分に対応づけられた上記第２方向における座標値が単調に変化し、
複数の上記第２マップ値は、複数の上記第２マップ値のうちで最も大きい最大第２マップ値と、当該最大第２マップ値と列番号が一つ異なり且つ互いに行番号が同一である２つの隣接第２マップ値とを含み、
上記第２接近位置を計算する工程においては、上記最大第２マップ値と上記２つの隣接第２マップ値とを用い、上記第２接近位置を計算する、請求項２５に記載の計算方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１５】
【図１６】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図８】
【図１４】
【図１７】
【図１８】
【図３１】
【図３２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１５】
【図１６】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図８】
【図１４】
【図１７】
【図１８】
【図３１】
【図３２】
【公開番号】特開２０１１−１９２２４８（Ｐ２０１１−１９２２４８Ａ）
【公開日】平成２３年９月２９日（２０１１．９．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−９１１２６（Ｐ２０１０−９１１２６）
【出願日】平成２２年４月１２日（２０１０．４．１２）
【出願人】（０００１１６０２４）ローム株式会社 (3,539)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月２９日（２０１１．９．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年４月１２日（２０１０．４．１２）
【出願人】（０００１１６０２４）ローム株式会社 (3,539)
【Ｆターム（参考）】
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