【課題】触媒層を形成した基板の該触媒層上に熱ＣＶＤ法によりＣＮＴ（カーボンナノチューブ）を形成するＣＮＴの形成方法及び形成装置であって、ＣＮＴを所望の形態に、そして、個々の基板面内でのＣＮＴの形態のバラツキを抑制して、また、基板間でのＣＮＴの形態のバラツキを抑制して、再現性良好に形成できるＣＮＴの形成方法及び形成装置を提供する。
【解決手段】反応容器１内に触媒層Ｃを形成した基板Ｓを設置し、容器１内雰囲気を置換ガス雰囲気とし、容器１内ガス圧をＣＮＴ形成ガス圧より低く設定するとともに、基板触媒層ＣをＣＮＴ形成温度に加熱する。一方、ガス充填部５にＣＮＴ形成原料ガスを含むガスを充填封入する。その後ガス充填部５に充填封入されたガスをそのガス圧と容器１内ガス圧との差に基づいて容器１内に一挙に導入し、該ガスのもとで加熱された触媒層Ｃ上に熱ＣＶＤ法によりＣＮＴを生成させる。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性に優れ、劣化し難く、さらに撥水性に優れるダイヤフラム（自動車用ダイヤフラムを除く）及びその製造方法を提供する。
【解決手段】外表面Ｓ４’に耐摩耗性、撥水性のある炭素膜Ｆが形成されているダイヤフラム及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 被処理物品を支持して、少なくとも公転させる回転テーブル及び該回転テーブル上に支持される被処理物品を冷却する冷却機構を有する、蒸発源を用いたＰＶＤによるコーティング装置であって、回転テーブルに支持される被処理物品を従来より確実に冷却することができ、冷却機構の設計の自由度が従来より大きいコーティング装置を提供する。さらに、メインテナンスの容易なコーティング装置を提供する。
【解決手段】回転テーブル４２上に支持される被処理物品Ｗに臨むように該テーブル４２上に冷却部５を搭載し、冷却部５の冷媒循環通路５１には、テーブル４２とは分離されたコネクタ部ＣＣを介して冷媒を循環させる。冷却部５を搭載した回転テーブル４２は、真空容器２に対し搬入搬出可能の可動テーブル４０に支持させる。或いは、真空容器壁の一部（例えば底壁）であって、容器本体に対し着脱可能の部分に設置する。 （もっと読む）

原料ガス流量の初期揺らぎ時間や立上り時間を無くして、カーボンナノ構造物の初期成長を促進できる高効率合成方法及び装置を開発する。
本発明に係るカーボンナノ構造物の高効率合成方法は、原料ガスと触媒を反応条件下で接触させてカーボンナノ構造物を製造する方法において、原料ガスと触媒の接触の開始を瞬時に行うカーボンナノ構造物の高効率合成方法である。温度や原料ガス濃度などの反応条件を触媒成長条件に設定して、この反応条件下で原料ガスＧと触媒６の接触の開始を瞬時に行うから、カーボンナノ構造物の初期成長を積極的に行わせ、の高さ成長や太さ成長を高効率にでき、高密度成長、短時間の高速度成長をも可能にする。前記触媒は触媒基板、触媒構造体、触媒粉体、触媒ペレットなどの任意形状の触媒を包含している。特に、原料ガスＧの供給・遮断を電磁三方弁２４により断続制御する方式が好適である。
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【課題】 部品点数が少なく簡単な構造で電子機器ユニットの抜き差しが可能であり、しかも必要時以外は電子機器ユニットが抜け出さず信頼性の高い引出し形電子機器を提供する。
【解決手段】 この引出し形電子機器は、２個の引出しレバー２０を電子機器ユニット４の前面部に回動可能に取り付けており、電子機器ユニット４をケース２内に差し込みかつケース２に前面カバー１０を被せた状態では、各引出しレバー２０の把持部２２の先端および当接端２６が前面カバー１０に近接し、それによって電子機器ユニット４の抜け出しが阻止される状態になり、前面カバー１０を取り外した状態では、各引出しレバー２０を開方向に回動させて、その当接端２６をケース２の縁３に当接させてそこを支点にして電子機器ユニット４を引き出すと共に、把持部２２を掴んで電子機器ユニット４を更に引き出すことができる状態になる構造を有している。 （もっと読む）

【課題】イオン照射対象物品のイオン照射対象部分に全体的に均一に、また、徒に長時間を要することなくイオン照射処理を施せる寿命の長いイオン照射装置を提供する。
【解決手段】電子源２０Ａを物品Ｗのイオン照射対象部分の全体に臨むように設け、電子源２０Ａにおけるフィラメント２ａ、２ａ’、２ａ”は、電子源２０Ａの全体にわたり不連続に複数段に分散並列配置する。複数段のフィラメントのうち、少なくとも１段のフィラメントを、互いに逆向きの電流が流れるように相互に平行又は略平行に接近して対向する対向部分を含むように屈曲配置し、或いは、少なくとも一組の互いに隣り合うフィラメントについて、互いに逆向きの電流が流れるように相互に平行又は略平行に接近して対向する対向部分を含ませる。かかる電子源２０Ａから放出させた電子を真空チャンバ１内へ導入したガスに衝突させてプラズマを生成し、該プラズマ中のイオンを物品Ｗに照射する。 （もっと読む）

【課題】カソードを含む蒸発源を用いた物品処理装置（例えばアーク式ＰＶＤによる成膜装置）であって、カソード上のアークスポットがカソード蒸発面以外のカソード部分に発生したとき、アークスポットをカソード蒸発面上に戻して正規のアーク放電を再開させることができ、それにより被処理物品に所望の目的とする処理を実施できる物品処理装置を提供する。
【解決手段】カソード３１の側周面に対し臨設した電流検出部材５に流れる電流の波形を電流波形検出部６で検出する。制御部Ｃｏｎｔは、その波形が、アークスポットがカソード蒸発面３１１上にあることを示す正常波形か、それ以外のカソード部分にあることを示す異常波形かを判定し、異常波形であると判定すると、アークスポットをカソード蒸発面３１１上へ戻すようにアーク放電用電源３３及びトリガー電極３２を制御する。 （もっと読む）

【課題】比較的面積の大きい膜形成対象面を有する被成膜物品の該膜形成対象面の全体にわたって、或いは、広い範囲にわたって分散配置される複数の被成膜物品のそれぞれの膜形成対象面に、というように広い範囲にわたって、均一にして小さい表面粗度の膜を膜厚均一性良好に形成できるアーク式ＰＶＤによる成膜装置を提供する。
【解決手段】ドロップレットの被成膜物品Ｗへの進行を抑制する一方、イオン化カソード材料の少なくとも一部の物品Ｗへの進行を許すドロップレットの遮蔽部材５１、５２がカソード３１と物品Ｗとの間に位置するように、且つ、膜形成対象面全体にわたりドロップレットの進行を抑制するとともに膜形成対象面全体にわたりイオン化カソード材料が均一状に向かうようにドロップレット進行方向に沿って複数段に順次間隔をおいて設けられているアーク式ＰＶＤによる成膜装置Ａ。 （もっと読む）

【課題】アーク式イオンプレーティングによる成膜方法及び装置であって、カソード材料として２種以上の元素を含むものを採用して複数元素を含む膜を形成でき、しかも、ドロップレット付着が抑制された、それだけ平滑な膜を形成できる成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】カソード１２として２種以上の元素を含む材料からなるものを採用し、膜形成にあたって、カソードアーク走行面１２１と正規成膜位置Ｐの被成膜物品Ｗ間の成膜距離Ｌを１５０ｍｍ以上３５０ｍｍ以下に設定し、真空アーク放電を成膜用ガス雰囲気において行わせ、且つ、成膜ガス圧を４Ｐａ〜７Ｐａの範囲に設定し、プラズマ生成領域に磁場を印加し、該磁場は、該カソードアーク走行面１２１位置で該面の法線となす角度が３０°以下である磁力線１３１からなる磁場とするアーク式イオンプレーティングによる成膜方法及び成膜装置Ａ。 （もっと読む）

【課題】ＧＩＳを小型化、低コスト化する。これを実現するための母線容器を提供する。
【解決手段】ＧＩＳの母線容器２を５面に母線を引き出すことができる開口を有するものとする。これにより、母線容器の左右方向に母線ＢＵＳを引き出すと共に、母線容器の上下にほかのユニット容器３、４を配置することができる。また、後ろ方向の開口を利用して、ほかの容器、母線容器などを配置することができる。 （もっと読む）