【課題】 各温度調節手段に不感帯を設けたことによる各席の吹出風温度のずれを少しでも小さくする。
【解決手段】 各席への目標吹出温度が同じときには、第２エアミックスドア１７ｂの目標開度が、第１エアミックスドア１７ａの実際の開度となるようにする。これにより、第２エアミックスドア１７ｂは、第１エアミックスドア１７ａの実際の位置からのずれが−４〜＋４（％）の位置となり、各エアミックスドア１７ａ、１７ｂの位置の相対的なずれが、最大でも４（％）となって、従来の約半分となる。従って、各席への吹出風温度をほぼ同じにすることができ、快適な左右席独立温度コントロールを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 検出すべき物標が複数存在しても、全ての物標との距離及び相対速度を正しく検出できるＦＭＣＷレーダ装置を提供する。
【解決手段】 ２つの受信チャネルＣＨ１，ＣＨ２を備えたＦＭＣＷレーダ装置において、送信信号と受信信号とを混合してなるビート信号を、各受信チャネルＣＨ１，ＣＨ２毎、及び送信信号の周波数が増大する上昇部、周波数が減少する下降部毎にフーリエ変換し、夫々についてパワーのスペクトルがピークとなる全てのピーク周波数成分を検出する。そして、上昇部及び下降部毎に、受信チャネルＣＨ１，ＣＨ２間で同じ周波数となるピーク周波数成分の位相差△φu(i)，△φd(j)を算出(310,320) する。上昇部及び下降部から夫々一つずつピーク周波数成分を適宜選択し、その位相差の差の絶対値｜△φu(i)−△φd(j)｜が所定値εより小さければ、これらピーク周波数成分をペアとして特定(330,340) する。 （もっと読む）

【課題】 物標の方位を検出可能で且つ構成が簡易で小型化の可能なレーダ装置を提供する。
【解決手段】 受信器１４，１６は、受信アンテナ１４ａ，１６ａからの受信信号を、送信信号と混合してビート信号Ｂ１，Ｂ２を発生させるミキサ１４ａ，１６ａを備え、信号処理部２０は、各受信器１４，１６からのビート信号Ｂ１，Ｂ２をフーリエ変換することにより、ビート信号Ｂ１，Ｂ２の位相を個々に求め、その位相差から方位を求めるように構成されている。つまり、従来のモノパルス方式のレーダ装置とは異なり、一対の受信アンテナからの各受信信号を混合してなる高周波の和信号，及び差信号を発生させることなく、方位を検出するようにされている。従って、受信器１４，１６において小型化の困難な高周波回路部分を必要最小限の構成とすることができ、当該レーダ装置２を小型化できる。 （もっと読む）

【目的】 表面電界緩和型ＬＤＭＯＳにおいて、ドレインに逆起電圧が印加された場合でも、チャネル形成部分での素子破壊を防止する。
【構成】 Ｎ型基板１にＰウェル１６とＮウェル２の２重ウェルを形成し、さらにソース電極１０とＮ型基板１とを同電位にしている。なお、Ｎウェル２のドリフト領域は、いわゆるＲＥＳＵＲＦ条件を満たすようなドーパント濃度が設定されており、このような構造により高耐圧、低オン抵抗の効果を得ることができる。さらに、ドレイン電極１１に逆起電圧が印加された場合でも、Ｎウェル２、Ｐウェル１６およびＮ型基板１にて寄生バイポーラトランジスタが形成され、これにより基板方向に電流経路が形成されるため、逆起電圧印加時のチャネル形成部分の素子破壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 自動車用空調装置の通風路内のような開放系の場においても、空気等の冷却用流体を効果的に放熱フィンに向けて流すことができるようにする。
【解決手段】 放熱フィン１を、電子回路基板２の面と平行な平行面１ａと電子回路基板２の面に対して垂直に延びる垂直面１ｂを有するコルゲート状に形成する。平行面１ａのうち、少なくとも電子回路基板２に接合される側の平行面１ａに、流れ偏向体１ｃを形成して、この流れ偏向体１ｃにより送風空気を平行面１ａの壁面に沿って流れるように偏向させるとともに送風空気に旋回流を与える。これにより、平行面１ａの壁面に誘導される流れを形成するとともに、流れ偏向体１ｃの空気下流側に旋回流を形成できるため、この旋回流により、垂直面１ｂの根元部近傍への流れを促進できる。 （もっと読む）

【課題】 高捕集率，低圧損，かつ低熱膨張率の特性を合わせ持つコージェライトハニカム構造体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 化学組成がＳｉＯ₂ ４５〜５５重量％，Ａｌ₂ Ｏ₃ ３３〜４２重量％，ＭｇＯ１２〜１８重量％よりなるコージェライトを主成分とするハニカム構造体である。２５〜８００℃の間における熱膨張係数が０．３×１０^-6／℃以下，気孔率が５５〜８０％，平均細孔径が２５〜４０μｍであり，かつ隔壁表面の細孔は５〜４０μｍの小孔と４０〜１００μｍの大孔とよりなり，上記小孔の数は上記大孔の数の５〜４０倍である。 （もっと読む）

【課題】配線構造における配線剥がれを防止すること。
【解決手段】半導体基板１４上に下層配線１１がメタルリフトオフにより形成され、アロイを行なった後に中間配線１２が同じくメタルリフトオフにより下層配線１１上に積層形成され、絶縁膜１５が基板１４、下層配線１１及び中間配線１２上に被着された後に反応性イオンエッチングにより絶縁膜１５の中間配線１２上の部分に中間配線１２の大きさより小さいコンタクトホール１７が開口され、コンタクトホール１７を介して中間配線１２と接触するように上層配線１３がコンタクトホール１７及び絶縁膜端部１６上に電界メッキにより形成されることにより、半導体装置の配線構造１００が形成される。 （もっと読む）