【構成】銅張積層板に、あらかじめエッチングの触媒となる貴金属３を付着した後、めっきレジスト４を被覆し、写真法により、導体パタ−ンとなる部分以外にめっきレジスト４を残しためっきレジスト４’を形成する。その後、化学銅めっきにより導体パタ−ン５を形成する。導体パタ−ン上に電気半田めっきでエッチングレジスト６を形成し、有機溶剤を用い、めっきレジスト４’を剥離除去する。その後、導体パタ−ン５以外の基材銅部を塩化第二銅の塩酸溶液でエッチング除去する。その後、導体パタ−ン５上のエッチングレジストの半田を硝酸系の半田除去液で溶解除去して導体パタ−ン５’を形成する。
【効果】セミアディティブ工法において、導体パタ−ン形成時パタ−ンの側面および裾部の食われを防止できる。 （もっと読む）

【目的】 湖沼水、海水等中の植物性プランクトンを含む懸濁物質を連続的に自動観察し効率的に水圏を浄化する水圏監視浄化システムを得る。
【構成】 サンプリングする手段３により連続的に水圏内の液を採取し、撮像手段15により該サンプリング水の可視画像及び400nm 前後の波長の光を照射して植物プランクトンが発色した蛍光画像を得る。映像を画像処理し植物プランクトンの形状的構造的特性及び個数を及び他の懸濁物質の出現量を計測手段20により計測し、その計測手段からの情報と他の知識ベース55とに基づき診断手段50は汚染に関する情報を提供し、該信号に基づき作動する水圏の浄化に必要な浄化手段70を作動させる。
【効果】 可視画像と蛍光画像を同時に処理することにより、植物プランクトンの種類とその出現量を正確に把握でき、また、ゴミ状物質や動物プランクトンも精度よく監視できる。さらに、これらの情報の時系列変化から水質汚染を事前に検知し、浄化手段を効果的かつ効率的に運転できるため、赤潮やアオコの発生を抑制できる。 （もっと読む）

【目的】 バイポ−ラ型半導体装置の、エミッタ／ベ−ス間の逆バイス・ストレスに対する信頼性の向上を図る。
【構成】 ベ−ス接合を、表面層に浅く形成した第一プロファイルと、エミッタ接合下に形成され、前記第一プロファイルより高濃度の第二のプロファイルより構成する。
【効果】 ベ−ス・プロファイルの改良により、電界強度の低減が図られる。これによりホットキャリアの発生が抑制され、デバイス寿命が大幅に向上する。従来に比べて高いストレス電圧Ｖsの印加が可能となり、回路動作速度の向上が可能となる。 （もっと読む）

【目的】液体に浸漬して素子の冷却を行う電子装置において、素子の発熱密度に応じて電子装置のモジュール化を行ない、沸騰熱伝達と対流熱伝達を使いわけることにより、高発熱密度素子から低発熱密度素子まで均一な温度にし、かつ温度変動を減少させる。それにより、信頼性が高く演算処理動作が高速化された電子装置を提供する。
【構成】高発熱密度素子からなる高発熱密度モジュ−ルユニット１を冷媒循環系の下流側に、低発熱密度素子からなる低発熱密度モジュールユニット２を冷媒循環系の上流側に配設する。各ユニット１、２を通過した冷媒液を液冷却器４で熱交換した後ポンプ３に供給し、この液冷媒で再び直接各ユニット１、２を冷却する。 （もっと読む）

【目的】 発熱量の著しく大きなＬＳＩと比較的小さいメモリとの混在する半導体モジュール、及びそれを搭載したコンピュータの効率の良い冷却構造の提供。
【構成】 基板３上に発熱量の大きなＬＳＩ６とメモリ２とが混在する半導体モジュールにおいて、ヒートシンク１をくし歯状の平行平板フィンとし、そのベース部に切欠きを設けた。或いは基板３間に挿入したエアダクト１１からヒートシンク１と同等幅のノズルに二次元ジェットを噴出させてヒートシンク１及びメモリ２を冷却するようにした。更に二次元ジェットがヒートシンク１の斜め前方より当たるようにした。
【効果】 半導体モジュールの冷却に必要な冷却空気を制御できるため、発熱量の著しく大きなＬＳＩとそれが比較的小さいメモリとの混在する半導体モジュール及びそれを搭載したコンピュータの良好な冷却構造を提供することができる。 （もっと読む）

【構成】非晶質シリコン薄膜トランジスタ（ａ−Ｓｉ・ＴＦＴ）でプラズマＣＶＤ法で連続成膜したゲート絶縁膜（窒化シリコン、ＳｉＮ膜），半導体膜（ａ−Ｓｉ膜）から、ＳｉＮ膜上にａ−Ｓｉ膜をアイランド状に形成するドライエッチング工程において、ＣＨＣｌＦ₂もしくはＣＨＣｌ₂Ｆのいずれか一方とＳＦ₆とＯ₂の混合ガスをエッチングガスとし、エッチングを行った。
【効果】これにより、エッチング速度が大きく、ＳｉＮ膜との選択性の高く、残渣のないエッチングを実現し、ドレイン配線間短絡の不良とオーバエッチングによるＴＦＴゲート絶縁膜の絶縁破壊電圧の低下を抑え、ａ−Ｓｉ・ＴＦＴマトリクス基板の歩留りを向上させる。 （もっと読む）

【目的】 障害に対する耐性が良好で、信頼性の高いキャッシュ機能を実現することが可能な外部記憶サブシステムを提供する。
【構成】 中央処理装置１と磁気ディスク装置３との間に介在するディスク制御装置２には、互いに独立な複数面のキャッシュ・ユニット８０，８１および不揮発メモリ・ユニット９０，９１が設けられている。中央処理装置１の側とのデータの授受を制御する複数のチャネル・ユニット６０，６１、および磁気ディスク装置３の側との間におけるデータの授受を制御する複数のコントロール・ユニット７０，７１は、各々のデータ・バス６０Ａ，６０Ｂ，６１Ａ，６１Ｂ，７０Ａ，７０Ｂおよび、アクセス線８０ａ〜８０ｄ，８１ａ〜８１ｄ，９０ａ〜９０ｄ，９１ａ〜９１ｄを介して独立に、複数のキャッシュ・ユニット８０，８１および不揮発メモリ・ユニット９０，９１に接続されている。 （もっと読む）

【目的】バス配線において、問題となるクロストークノイズを抑えるために設けられたガードパターンの配線方法。
【構成】クロストークノイズを抑えるためにバス配線５の中に設けられた通常グランド電位を持ったガードパターン６を電子部品２，３の部品ピン７，８から直接引き出す。また前記ガードパターン用に設けられた部品ピンは、基板搭載後は不要となるピンを割当て、基板搭載後はグランド電位を供給出来るよう前記電子部品内に切替論理を設け、ピンを無駄なく前記ガードパターン用ピンに利用する。 （もっと読む）

【目的】 サブμｍから数μｍ以上にわたる広い範囲の幅を持った配線でエレクトロマイグレーション寿命が幅によって異なるため素子の信頼度を向上し、長寿命で信頼性の高い微細な半導体装置用配線構造体を提供する。
【構成】 基板上の第１の絶縁膜上に形成され、第２の絶縁膜で覆われた、単層のＡｌもしくはＡｌ合金膜、または高融点金属膜と積層して形成されたＡｌもしくはＡｌ合金膜配線４で、実験的に決まる臨界長さＬ以下の間隔で、一部分（図中Ｅ−Ｅ’、Ｆ−Ｆ’の部分）がより断面積の小さい二つ以上の配線に細分化されており、細分化された各々の配線が少なくとも一つのバンブー結晶粒界を有する。
【効果】 半導体装置の占有面積を増すことなく寿命を改善する。 （もっと読む）