【課題】コネクタとの嵌合部、接続部などの大きな外部応力がかかる環境下においても、導体周囲のＳｎめっき膜表面やはんだ表面からウィスカが発生するおそれの少ない、あるいはほとんど発生しないＰｂフリーの配線用導体及びその製造方法並びに端末接続部並びにＰｂフリーはんだ合金を提供するものである。
【解決手段】少なくとも表面の一部にＰｂフリーのＳｎ系材料部を有する配線用導体において、上記Ｓｎ系材料部が、Ｓｎ系材料部母材にＺｎを添加してなり、その添加量が０．００２ｗｔ％以上０．５ｗｔ％以下であり、これをリフロー処理したことを特徴とする配線用導体である。 （もっと読む）

【課題】従来と同等の部分放電開始電圧を有するとともに圧延加工時やコイル成形時等に亀裂等が発生しない機械的強度を有する絶縁被膜を形成することが可能な絶縁塗料を提供する。
【解決手段】３つ以上の芳香環を有する２価の芳香族基（Ｒ）を有する芳香族ジアミン類からなるジアミン成分及び酸成分を共沸溶剤の存在下で合成反応させて得られる樹脂成分（Ｘ）と、２，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（Ｙ₁）及び４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（Ｙ₂）からなるジイソシアネート成分（Ｙ）と、を合成反応させて得られる下記化学式（１）で表される繰り返し単位を有するポリアミドイミド樹脂を含有するように構成する。
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【課題】シリコン基板などの支持基板上に窒化物半導体膜を形成し、その窒化物半導体膜上にエピタキシャル層を形成した半導体ウェハを提供する。
【解決手段】支持基板と、上記支持基板の表面に設けられた窒化物半導体薄膜と、上記窒化物半導体薄膜上に気相成長され形成された窒化物半導体エピタキシャル層と、を備える半導体ウェハにおいて、上記窒化物半導体薄膜は、ＧａＮ基板に設けられたイオン注入層を境として上記ＧａＮ基板から剥離されたＧａＮ薄膜であって、上記ＧａＮ薄膜は（０００−１）窒素面側を上記支持基板側に有し、（０００１）Ｇａ面側を上記窒化物半導体エピタキシャル層の気相成長面として有する。 （もっと読む）

【課題】断面積の大きい導体が、端子に対して従来よりも高い機械的接続強度及び電気的接続の信頼性で接続されている端子付き電線とその製造方法を提供すること。
【解決手段】導体（３ａ、３ｂ）の端部に端子５が接続されている端子付き電線において、端子５は、電気機器に接続される第一の接続部６と、導体（３ａ、３ｂ）が接続される第二の接続部７とを有し、第二の接続部７は、第一の接続面７ａと、第一の接続面７ａに対向する第二の接続面７ｂとを有し、第一の接続面７ａ、および第二の接続面７ｂに、第一の導体３ａ、および第二の導体３ｂの各々が超音波接続によって接続されており、第一の導体３ａと第二の導体３ｂとの断面積の合計が２０ｍｍ²以上である、端子付き電線。 （もっと読む）

【課題】必要な洗浄能力が得られる温度にまで加熱可能であり、固体表面の付着物に対する洗浄能力が十分高く、かつ洗浄後の排気に大型の設備を必要とせず、また短時間で洗浄処理を完了することができる洗浄用ノズルを提供する。
【解決手段】加熱及び加圧された水を常圧下にて沸騰させることにより得られる自己生成２流体Ｆを生成する洗浄用ノズル１であって、加熱及び加圧された水の流量を制御する流路を備えたオリフィス部２と、オリフィス部２の下流側に形成され、オリフィス部２の流路の断面積を拡大し、自己生成２流体Ｆを生成する拡径部３と、拡径部３の下流側に形成されると共にオリフィス部２の流路よりも広い断面積を有する流路を備え、自己生成２流体Ｆを下流側に案内する整流部４とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】全体として効率的に熱を回収して発電し、廃熱発電により得られた電力を有効に使用する、簡単な構成の安価な廃熱発電機能付き電子機器を提供する。
【解決手段】廃熱発電機能付き電子機器(10)は、電気部品(14)を冷却するための冷却装置(80)と、電気部品(14)の熱を電圧に変換する熱電変換器(24)と、熱電変換器(24)が出力した電圧を変圧比可変にて直流の再生電圧に変換する変換器(52,62)と、変換器(52,62)が出力した再生電圧及び外部電源(72)が出力した直流の電源電圧が入力され、再生電圧の電圧レベルが、電源電圧の電圧レベルよりも大きいときに再生電圧に基づく電力を出力する電源選択回路(70)と、再生電圧の電圧レベルが電源電圧の電圧レベルよりも大きくなるように、冷却装置(80)の冷却能力を調整して再生電圧の電圧レベルを制御する制御装置(60)とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＲＦＩＤタグ内蔵ケーブルにおける個々のＲＦＩＤタグ間のケーブル長を正確に把握できるようにする。
【解決手段】複数個のＲＦＩＤタグが長手方向に間隔を空けて配置された、ＲＦＩＤ装着テープを心線とともに沿わせてＲＦＩＤタグ内蔵ケーブル７０のシースを形成するシース製造部５１と、シース製造工程から押し出されたＲＦＩＤタグ内蔵ケーブル７０のＲＦＩＤタグと配置順に通信を行い、ＲＦＩＤタグ内の記憶手段に記憶されている識別情報を読み取るタグ情報読取部と、当該ＲＦＩＤタグ内蔵ケーブル７０の基準位置からのケーブル長を計測するケーブル長計測部と、前記識別情報および前記ケーブル長を基に、ＲＦＩＤタグの識別情報とＲＦＩＤタグ内蔵ケーブル７０の基準位置から個々のＲＦＩＤタグまでのケーブル長を関連付けたデータベースを作成するデータベース作成部を備える。 （もっと読む）

【課題】発光光度を向上させた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】基板２と、基板２上に設けられる第１半導体層５、活性層６、及び第２半導体層７からなる発光層１３と、基板２と発光層１３との間に設けられるＤＢＲ（Distribution Bragg Reflector）層４と、基板２の下面に設けられる下部電極１０と、発光層１３上に設けられる上部電極１１とを有し、発光層１３上にＤＢＲブロック１２を設け、ＤＢＲブロック１２を覆うように上部電極１１を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く、導電率、軟化温度、表面品質に優れた希薄銅合金線を提供する。
【解決手段】２〜１２mass ppmの硫黄と、２〜３０mass ppmの酸素と、４〜５５mass ppmのＴｉを含む希薄銅合金線であって、その導電率が９８％ＩＡＣＳ以上であり、その半軟化温度が１３０〜１４８℃であることを特徴とする希薄銅合金線である。 （もっと読む）

【課題】充放電サイクル特性に優れた二次電池用負極の製造方法、二次電池用負極、及び二次電池用負極銅箔を提供する。
【解決手段】本発明に係る二次電池用負極の製造方法は、銅箔１０を準備する銅箔準備工程と、銅箔１０の表面に活物質層１２を形成する活物質層形成工程とを備え、ｔ_ＡＭ×σ_ＡＭ≦０．５×ｔ_Ｃｕ×σ_Ｃｕ（ただし、ｔ_ＡＭは活物質層１２の厚さ、σ_ＡＭは充電時に活物質層１２に発生する応力、ｔ_Ｃｕは銅箔１０の厚さ、σ_Ｃｕは銅箔１０の０．２％耐力）を満たす二次電池用負極の製造方法が提供される。 （もっと読む）