【課題】複数層からなる絶縁被膜が導体上に形成された絶縁電線において、導体と絶縁被膜との密着性に優れるとともに、接着層等の追加の層を介在させることなく絶縁被膜における層間の密着性にも優れ、かつ高い部分放電開始電圧を有する絶縁電線を提供する。
【解決手段】本発明に係る絶縁電線は、複数層からなる絶縁被膜が導体上に形成されている絶縁電線であって、前記絶縁被膜は、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体に対してグラフト性化合物がグラフト重合されてなる第１の樹脂組成物が前記導体の直上に形成された第１の被膜層と、ポリフェニレンスルファイド樹脂とポリアミド樹脂とからなるポリマーアロイまたはポリエーテルエーテルケトン樹脂とポリアミド樹脂とからなるポリマーアロイである第２の樹脂組成物が前記第１の被膜層の直上に形成された第２の被膜層とを有する。 （もっと読む）

【課題】ソース領域およびドレイン領域とゲート電極との位置制御性を向上させ、製造バラツキを低減する。
【解決手段】窒化物半導体を用いた半導体装置１０は、窒化物半導体層２に所定間隔を隔てて形成されたソース領域３およびドレイン領域４の間のチャネル領域上に形成され、少なくとも一部がシリサイド合金から形成されたゲート電極６を備え、ソース領域３上にあるゲート電極６の端からゲート電極６と上下に重なるソース領域３の端までの距離Ｌ１と、ドレイン領域４上にあるゲート電極６の端からゲート電極６と上下に重なるドレイン領域４の端までの距離Ｌ２と、が等しい。 （もっと読む）

【課題】組立て性に優れた放射線検出モジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係る放射線検出モジュールは、複数の半導体素子が搭載される放射線検出基板と、放射線検出基板を保持する固定部材と、放射線検出基板に接続される回路基板とを備え、放射線検出基板が、エッジ部を一端に有する基板と、基板と接続する複数の半導体素子と、複数の半導体素子それぞれに接続する配線パターンを有するフレキシブル基板とを有し、固定部材が、底部と、第１側面部と、第２側面部とを含み、第１側面部と第２側面部とのそれぞれに設けられ、放射線検出基板を支持する基板支持部とを有する。 （もっと読む）

【課題】信号伝送特性の劣化及び大型化が防止されながら、差動信号伝送路の電気長が補正される高速伝送用コネクタ及び配線基板を提供する。
【解決手段】高速伝送用コネクタは、少なくとも１つの外部基板に接続される。高速伝送用コネクタは、基材と、基材の表面に設けられ、差動信号ペアを伝送するための一対の配線と、基材の表面の一部に対向して配置される絶縁性のカバー部材(70)と、カバー部材(70)を変位可能に支持し、カバー部材(70)の変位に伴うカバー部材(70)と一対の配線のうち一方との対向面積の変化を許容する支持機構(72)とを備える。 （もっと読む）

【課題】気泡径が小さく、発泡度が高く、発泡度が均一で低誘電率な発泡絶縁体を製造可能な発泡樹脂組成物を提供する。
【解決手段】ベース樹脂に対して異種の高分子材料を混練した発泡樹脂組成物であって、異種の高分子材料の融点がベース樹脂の融点と発泡樹脂組成物の加工温度の範囲内にあるものである。 （もっと読む）

【課題】 配線ピッチＰの微細化を達成することを可能とすると共に、配線パターン２における上面４の平坦性を確保し、かつその配線パターン２を高能率に形成することを可能とした、半導体装置用ＴＡＢテープおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性基板１と、前記絶縁性基板１の片面または両面に形成された導体箔５をパターン加工して形成された配線パターン２とを有する半導体装置用ＴＡＢテープであって、前記配線パターン２の上面４における最大高低差ΔＴが０．５μｍ以下であり、かつ前記配線パターン２の厚さＴが、隣り合う前記配線パターン２同士の間のスペースである配線パターン間スペース３のうちの、最も狭い配線パターン間スペースの値Ｓ以上であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】曲げ特性に優れ、且つ、物理的な断線時に空孔への水の浸入を防ぐことができ、長距離伝送が可能な光ファイバを提供する。
【解決手段】コア領域２と、コア領域２の外周に形成されたクラッド層３とを備え、光海底伝送システムの光伝送路として用いられる光ファイバ１において、クラッド層３は、コア領域２の外周に形成された内部クラッド層４と、内部クラッド層４の外周に形成され複数の空孔部５を有する空孔領域６と、空孔領域６の外周に形成された外部クラッド層７とからなり、内部クラッド層４の厚さが３μｍ以上であるものである。 （もっと読む）

【課題】自立基板の反りを低減した窒化物半導体自立基板及びそれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体自立基板は、連続成長した窒化物半導体結晶からなる窒化物半導体自立基板において、窒化物半導体自立基板の内部に、基板表面と平行な断面において１０個／ｃｍ²以上から６００個／ｃｍ²以下の密度でインバージョンドメインを有し、前記基板表面は、０個／ｃｍ²以上から２００個／ｃｍ²以下の密度でインバージョンドメインを有し、前記窒化物半導体自立基板の内部のインバージョンドメインよりも前記基板表面に到達するインバージョンドメインの密度が少ない。 （もっと読む）

【課題】異種の金属材料からなる端子と導体とを接続した際に発生するガルバニック腐食を防止し、低コストで、かつ、優れた接続強度及び接続抵抗を有する端子付き電線を提供する。
【解決手段】端子４と、端子４と異なる金属材料からなる導体２上に絶縁層３が形成されている電線１とを備え、端子４と導体２が接続されている端子付き電線において、端子４の導体２が接続される面に、ＴｉあるいはＴｉ合金からなる導電防食層１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】内側回転体の負荷状態や駆動状態に応じて制御態様を容易に調整可能とし、簡易コンパクトな構成でより好適な制御態様を実現する。
【解決手段】磁気カップリング制御装置１０は、内周部に回転可能なロータ部１２を有する外側機能体１０ＭＴと、ロータ部の内周側に間隔を有して配置される内側回転体１４と、外側機能体と内側回転体の間に配置される管壁を備えた管材Ｐと、ロータ部の内周部において軸線周りに配列された複数の外側磁極１２ｃ及び内側回転体の外周部において複数の外側磁極に対して回転方向に整合して回転方向に磁気カップリング可能に配列された複数の内側磁極１４ｂを有する磁気カップリング構造と、外側磁極と内側磁極の位相差を検出する位相差検出手段１５、１６、１２０と、位相差に応じて外側機能体を制御する外側機能体制御手段１０３、１０６、１０７とを具備する。 （もっと読む）