【目的】ビール缶などの円形容器側面のヘコミの検知能力を高める。
【構成】図７（Ａ）はビール缶容器１０２の内面を軸方向から観測した濃淡画像を示し、１０３は口部高輝度部，１０４は底部高輝度部である。同図（Ｂ）は容器１０２の断面を示し１１２はこの容器の側面部のヘコミである。本発明では濃淡画像の容器側面に相当する領域をＬＫ，Ｌｋ’のようにリング状又は渦巻状のサーキュラ走査線で順次走査し、このサーキュラ走査線上における着目画素値Ｐ０とこの着目画素から所定画素間隔ｄだけ離れた背景画素値Ｐ１との差の絶対値ΔＰ＝｜Ｐ０−Ｐ１｜をそのサーキュラ走査線の位置に対応する所定のしきい値ＴＨＰと比較し、ΔＰ＞ＴＨＰであればその着目画素をヘコミ等の内面不良画素として検出する。 （もっと読む）

【目的】接点の消耗が限界に達したことを明確に表示させる。
【構成】ホルダ２に支軸３により支持された可動接触子１の後端部に動作レバー８ａを近接させて、接点消耗表示スイッチ８を本体カバー７に取り付ける。可動接点１ａ及び固定接点６ａが消耗すると、接触ばね５により固定接触子６に向かって付勢された可動接触子１は支軸３の回りに反時計方向に次第に回動変位し、接点消耗が限界に達すると動作レバー８ａを押してスイッチ８から信号を送出させる。 （もっと読む）

【目的】相変化形の記録媒体を備える光ディスクにレーザビーム強度の記録レベルにより書き込まれるデータコード上のピットに生じる内外径差を補償してデータ読み取り上の位相マージンの内外径差を減少させる。
【構成】光ディスク１の面内を径方向に複数個のゾーンZi,Zm,Zo等に分け、レーザビームLBにより光ディスク１の記録媒体1aに対して０と１からなるデータコードDC上の１に対応するピットをレーザビーム強度LPの記録レベルRLi, RLoで書き込む際、ピットを内径側ゾーンZiに書き込む時間tiと外径側ゾーンZoに書き込む時間to等をゾーンZi,Zm,Zo等ごとに切り換え制御し、さらに望ましくは記録レベルRLi, RLo等もゾーンごとに切り換え制御する。 （もっと読む）

【目的】 過電流による素子破壊を防止するための電流制限回路を有する半導体装置において、制限動作時に発生する電流値の振動を防止し、安定的に電流を制限することが可能な半導体装置を実現する。
【構成】 スイッチング素子であるＩＧＢＴ１０のセンス用エミッタ１４の下流に接続されたセンス用抵抗２１の降下電圧で駆動されるＭＯＳＦＥＴ３０によりバイパス制御されるゲート電圧を、ＩＧＢＴ１０のゲート電極１３の直前に挿入された緩和抵抗４１を介してＩＧＢＴ１０に印加する。そして、ＩＧＢＴ１０の応答速度を低下させることにより、センス用抵抗２１における電圧の急増を防止し、安定的に電流を制限することができる。 （もっと読む）

【目的】論理回路の中の各論理信号が、例えば回路の配線の引き廻しなどによってこれら論理信号間の遅延時間の差を生じ、この遅延時間の差によって波形整形回路に生じる誤動作を防ぐ。
【構成】論理信号がその一方の入力端子に直接に，その他方の入力端子に遅延回路１１を介しそれぞれ入力される２入力ＮＯＲゲート１３から構成する。 （もっと読む）

【目的】小形開閉器、例えばリミットスイッチにおける固定接点と可動接点との接点面に付着する異物を除去し両接点の接触不良をなくす。
【構成】押し棒１の下端に伸縮自在な空気室７をを取付け、上部可動接点５，下部可動接点６および接触スプリング２からなる可動接触部を押し棒１の操作により上下動させ、空気室に連通接続された空気管８の先端を下部可動接点６に近接させる。 （もっと読む）

【目的】オープンショーケースでのパック商品の陳列を容易にする。
【構成】リフタ１１を備えたキャスタ付きのカート８に積載したラック７に商品が入った流通用のコンテナケース６を収納し、このカート８をオープンショーケース１のデッキ部４に前方から突き合わせて、ラック７を滑らせてデッキ部４の陳列台１３上に移す。カート８はリフタ１１により荷台が下げられるのでラック７の積載やコンテナケース６の収納が容易であり、またデッキ部４への移し変えは滑らせるだけなので力が要らない。 （もっと読む）

【目的】経済的な設計で表面発熱密度の大きな半導体素子を効果的に冷却できるようにした電子機器の冷却装置を提供する。
【構成】発熱部品である半導体素子５を伝熱的に面接触させて複数の半導体素子を一括搭載したコールドプレート１と、該コールドプレートに穿った冷媒液通路１ａを経由して放熱器９，冷媒液循環ポンプ６，冷媒液液溜タンク７との間で冷媒液としてのフロロカーボン液８を循環させる冷媒液循環回路とから冷却装置を構成し、かつ前記冷媒液通路はコールドプレートに搭載した半導体素子の配列に合わせて各半導体素子との対向面域の下を通るように設ける。 （もっと読む）

【目的】結晶系シリコン基板あるいは薄膜を用い、バンドギャップの広い非晶質シリコン薄膜との間のヘテロ接合を利用して大面積、高変換効率の太陽電池を得る。
【構成】大面積化の容易な容量結合型プラズマＣＶＤ法で成膜できる酸素添加水素化非晶質シリコン薄膜により単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板あるいは多結晶シリコン薄膜との間にヘテロ接合を形成する。酸素添加水素化非晶質シリコンは2.０eV以上の光学的バンドギャップを有するので窓層として用いる。 （もっと読む）