【課題】磁石による吸引力を利用する静圧案内装置において、軸受面積を広く確保することである。
【解決手段】静圧案内装置１０は、案内台１２と、移動台２０と、移動台２０に取り付けられた浮上量センサ３８と、制御部８０とを含む。移動台２０は、ヨーク３０と電磁石３２を含む磁気吸引部が埋めこまれる内側部と、内側部の側面と上面とを覆っている外殻部を有する。内側部は、ヨークと電磁石３２とを収納した後で、その周囲等の隙間空間が適当な強度を有する材料で充填され、外殻部と一体化され、移動面２２が一体として平坦化される。移動台２０の周囲には囲み溝２６が設けられ、ここに供給された加圧流体が案内台１２に向けて噴出する。 （もっと読む）

【課題】ボンディング装置用撮像装置において、高さ方向の段差の大きな半導体チップを精度良く撮像すると共にリードフレームの撮像時間の短縮を図る。
【解決手段】高倍率レンズ３４を経て複数の撮像面３６，３７に至り、高倍率レンズ３４からの距離が異なる位置にある複数の被写体撮像範囲に対応して高倍率レンズ３４から各撮像面３６，３７までの各光路長が異なる第１、第２の高倍率光路５１，５２を有する高倍率光学系と、低倍率レンズ３５を経て撮像面３８に至る低倍率光路５３を有し、各高倍率光路５１，５２よりも広い視野を備える低倍率光学系と、を備え、高倍率光学系の各撮像面３６，３７を持つ各撮像素子３１，３２は半導体チップ６３の画像を取得し、低倍率光学系の撮像面３８を持つ撮像素子３３はリードフレーム６１の画像を取得する。 （もっと読む）

【課題】ダイボンダにおける湾曲回路基板の固定方法であって、簡便な方法によって湾曲した回路基板をフィルム貼り付け用ステージ及びボンディングステージに効果的に固定する。
【解決手段】回路基板３５を吸着するボンディングステージ２４の基板吸着面２４ａに真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅを設ける。真空装置によって真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅの空気を吸引しながら、ボンディングアーム１５の先端に取り付けられたダイ取り付け用コレット１６で回路基板３５を押し下げる。回路基板３５に少なくとも１つの真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅの上面をシールさせることによって他の真空吸着キャビティの上面を連鎖的にシールさせ、全ての真空吸着キャビティ２８ａ〜２８ｅの上面を回路基板３５でシールして回路基板３５をボンディングステージ２４に吸着させる。 （もっと読む）

【課題】圧着ボールのワイヤに隠れる部分に関係なく圧着ボールをパッドの所定範囲内に形成するように、キャピラリと検出カメラとのオフセット量を補正することができる。
【解決手段】キャピラリと、キャピラリに一定のオフセット量を持って配設された検出カメラとを備え、ボンディング後のボンディング部の圧着ボール２０を検出する。パッド１０Ａにおいては、隣接する２辺１１、１２に対する圧着ボール２０のエッジ２１、２２が明確である。このパッド１０Ａを設定した場合、２辺１１、１２からの対応するエッジ２１、２２までの幅Ｇｘ1 、Ｇｙ1 をそれぞれ検出し、この検出値Ｇｘ1 、Ｇｙ1 が予め設定した許容範囲Ｑｘ、Ｑｙにあるか否か比較し、許容範囲外の場合には圧着ボール２０が許容範囲Ｑｘ、Ｑｙになるようにオフセット量を補正する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング作業の高速化が図れると共に、より一層のワイヤボンディング精度の向上が図れる。
【解決手段】ボンディングセンター５０に搬送２０された半導体チップ２Ａのボンディング点画像取込み２１を行い、ボンディング点位置認識処理２２を行った後、補正されたボンディング点にワイヤボンディング２４し、半導体チップ２Ａに対するボンディング後の画像取込み２５を行い、次の半導体チップ２Ｂをボンディングセンター５０に搬送３０し、半導体チップ２Ｂのボンディング点画像取込み３１を行い、ボンディング点位置認識処理３２を行った後、補正されたボンディング点にワイヤボンディング３４する該ボンディング中に半導体チップ２Ａのボンディング後画像位置ずれの認識処理２６を行う。 （もっと読む）

【課題】ボンディング装置用撮像装置において、簡便な構造によって熱膨張による光学特性の変化を低減する。
【解決手段】金属材料でできたプリズムフレーム２５、レンズフレーム２７，撮像素子フレーム２９を炭素繊維強化プラスチックの平板２２に光軸方向に並んでそれぞれ独立して固定する。遮光板３０，３１はレンズフレーム２７に固定され両端に向かって伸び、両端の重ね合わせ部３３において熱膨張が吸収される。各平板２２，２３の膨張量は略ゼロであり、熱影響によってプリズム２４、レンズ２６、撮像素子２８の各光学部品の光軸方向に沿った位置はほとんど変化せず光学特性もほとんど変化しない。また、熱膨張を逃がす重ね合わせ部３３によって熱膨張を逃がすのでも撮像装置２１に熱応力が発生しない。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、ワイヤとバンプとの間の接合性を向上させると共にワイヤの切断性を向上させてボンディング品質の向上を図る。
【解決手段】第２ボンド点のパッド３の上にワイヤを折り曲げ積層して傾斜ウェッジ２２と第１ワイヤ折り曲げ凸部２５を持つバンプ２１を形成し、第１ボンド点のリードからバンプ２１に向かってワイヤ１２をルーピングしてキャピラリ先端のフェイス部３３によってワイヤ１２をバンプ２１の傾斜ウェッジ２２に押し付けてワイヤ１２をバンプ２１に接合すると共に、インナチャンファ部３１によってワイヤ１２を第１ワイヤ折り曲げ凸部２５へ押し付けて弓形断面形状のワイヤ押し潰し部２０に形成する。ワイヤ１２を引き上げてワイヤ押し潰し部２０でワイヤを切断する。 （もっと読む）

【課題】ボンディング装置において、大きなワークに対して高速で精度よくボンディングを行う。
【解決手段】駆動モータ１２の可動子１２ｂに固定される固定用ブラケット２３と、先端側に超音波ホーン３３を取り付ける超音波ホーン取付用ブラケット２９とを基体部である炭素繊維強化プラスチックの平板３９，４１によって挟み込んで固定する。各平板３９，４１の間には平板間隔保持部材である長手構造部材４３が各ブラケット２３，２９の間に延びて取り付けられている。ブラケット２３，２９及び長手構造部材４３のフランジ４３ａは、各平板３９，４１にねじ及び接着剤によって固定されている。各平板３９，４１を構成する炭素繊維強化プラスチックは長手方向の強化繊維の数が幅方向の強化繊維の数よりも多く、長手方向に高強度を持つ。 （もっと読む）

【課題】バンプボンディング装置において、薄い半導体ダイのボンディングステージ上での移動をスムーズかつ高速に行う。また、薄い半導体ダイの周縁部にバンプの形成行う。
【解決手段】ステージ基板１６から段差を持って配置されたボンディングステージ１３の角面１５と半導体ダイ２１の角面２３とに接する厚みを持つ位置修正爪２５によって、ボンディングステージ１３表面からその一部がはみ出すように角部１７に載置された半導体ダイ２１の角面２３をボンディングステージ１３の角面１５に接するまでボンディングステージ１３の角部１７に向かって移動させて、半導体ダイ２１の位置修正を行う位置修正爪移動機構１２を備える。位置修正爪移動機構１２はボンディングステージ１３の送り方向への移動に連動して半導体ダイ２１の位置修正を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体ダイの電極と回路基板の電極との接合を行うボンディング装置において、接合荷重を低減すると共に簡便な方法で効率的に各電極の接合を行う。
【解決手段】金属ナノペーストを用いて半導体ダイ１２の電極と回路基板１９の電極とを接合するボンディング装置１０において、金属ナノペーストの微液滴を電極上に射出してバンプを形成するバンプ形成機構２０と、半導体ダイ１２のバンプを回路基板１９のバンプに押し付けて各電極を非導通状態で１次接合する１次接合機構５０と、１次接合された各バンプを接合方向に向かって加圧及び加熱して各バンプの金属ナノ粒子を加圧焼結させて各電極が導通するよう２次接合する２次接合機構８０とを有する。 （もっと読む）