【課題】ワイヤボンディング装置において、不着を検出した際のリカバリー処理におけるボンディング品質を向上させる。
【解決手段】第１ボンド点又は第２ボンド点へのボンディング後のボンディングツール上昇中又はボンディングツールの上昇後に、不着検出手段によってワイヤと各ボンド点との間の不着を検出した際には、ボンディングツールを不着の発生したボンド点の直上まで降下させ、プラズマトーチによってボンディングツール先端のワイヤと不着の発生した各ボンド点とにプラズマ化したガスを噴出させた後、再ボンディングする。 （もっと読む）

【課題】ボンディング装置において、ボンディング処理中にボンディング対象及びワイヤ双方の表面処理を効果的に行う。
【解決手段】不活性ガス雰囲気中で、キャピラリ１７に挿通したワイヤ１８によってパッド又は電極にワイヤ１８のボンディングを行うボンディング処理部１００と、不活性ガス雰囲気中で、ボンディング中にパッド又は電極とキャピラリ１７先端のイニシャルボール１９にプラズマ化したガスを照射してパッド又は電極とイニシャルボール１９との表面処理を行う２本のプラズマトーチを備える。プラズマトーチ２０は、基板４１と半導体チップ４２のボンディング面に対して傾斜して配置され、パッド又は電極とボンディングツール先端のイニシャルボール１９に同時にプラズマを照射する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング装置において、キャピラリの貫通孔に効果的に不活性ガスを流してワイヤの酸化を抑制し、ボンディング品質を向上させる。
【解決手段】ワイヤ２１が挿通される貫通孔１７，１９のあるキャピラリ１１と、キャピラリ先端１１ｃとキャピラリ先端１１ｃから延出したワイヤ先端２３とを含むボンディングツール先端側領域６０に還元性ガスを含む不活性ガスを供給する不活性ガス供給部４０と、貫通孔１７の開口１５を含むキャピラリ１１の根本側端面１３に沿って還元性ガスを含む不活性ガスを噴出させるガス噴出ノズル３１を備える。ガス噴出ノズル３１から噴出させたガスによって貫通孔１７，１９の圧力を周囲の圧力よりも低下させ、還元性ガスを含む不活性ガスを先端側貫通孔１９から貫通孔１７に流し、キャピラリ１１の内部にあるワイヤ２１の酸化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、半導体ダイに与えるダメージを低減しつつ少ないボンディング回数でワイヤの接続を行う。
【解決手段】イニシャルボールを第一層半導体ダイ１１の第一層パッド１４にボンディングして形成されるボールネックを押し潰し、押し潰したボールネック上に折り返したワイヤの側面を押し付けて形成される第一層押し付け部１００と、第一層押し付け部１００からリード１６の方向に向かって伸びる第１ワイヤ２５と、第二層半導体ダイ１２の第二層パッド１５から第一層押し付け部１００に向かってルーピングされ、第一層押し付け部１００の第二層パッド１５側に接合される第２ワイヤ２５とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ダイのピックアップ装置において、保持シートの引き剥がしの際に半導体ダイに加わる力を抑制しつつ半導体ダイを容易にピックアップする。
【解決手段】密着面２２から出入りする先端３３ｂを含むワイパ３３と、ワイパ３３の移動方向にある開口４１を塞ぎながらワイパ３３と共に移動するシャッタ２３を備える。半導体ダイ１５をピックアップする際に、ワイパ３３の先端３３ｂに半導体ダイ１５の一端１５ａを合わせ、コレット１８で半導体ダイ１５を吸着した状態で、ワイパ３３の先端３３ｂを密着面２２から突出させながらワイパ３３を密着面２２に沿って移動させ、開口４１の一端面４１ａとシート面３３ａとの間に吸引開口４２を順次開き、吸引開口４２に半導体ダイ１５の一端１５ａ側から保持シート１２を順次吸引させて半導体ダイ１５から保持シート１２を順次引き剥がす。 （もっと読む）

【課題】半導体ダイのピックアップ装置において、保持シートの引き剥がしの際に半導体ダイに加わる力を抑制しつつ半導体ダイを容易にピックアップする。
【解決手段】密着面２２を含むステージ２０と、密着面２２に設けられ、ピックアップする半導体ダイ１５よりも大きな開口４１と、その表面が密着面２２に沿ってスライドし、開口４１を開閉する蓋２３とを備える。半導体ダイ１５をピックアップする際に、ピックアップしようとする半導体ダイ１５が開口４１を閉じている蓋２３の表面からはみ出さないよう蓋表面を保持シート１２に密着させ、コレット１８でピックアップする半導体ダイ１５を吸着した状態で、蓋２３をスライドさせて開口４１を順次開き、開いた開口４１に保持シート１２を順次吸引させて保持シート１２を順次引き剥がす。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングにおいて、ボンディング対象に損傷を与えることを抑制することである。
【解決手段】例えば、銅ワイヤを用いてワイヤボンディングを行う場合、ボール形成を不活性ガス雰囲気中で行い（Ｓ１０，１２）、銅ボールがボンディング対象に接触するキャピラリの高さを第１高さとし、銅ボールが所定の扁平形状となるキャピラリの高さを第２高さとして、キャピラリがボンディング対象に向かって下降し、第１高さになる前に超音波エネルギの印加を開始し、第１高さに達した後第２高さになるまでの間に超音波エネルギの印加を停止する。また、第１高さに達する前後の所定の時刻から超音波エネルギの出力レベルをボンディング対象のボンディング特性に応じて低下させることもできる（Ｓ１６，１８，２０，２２，２４）。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のワイヤボンディングにおいて、ボンディングの際に他のボンディング済みのワイヤに損傷が発生することを抑制する。
【解決手段】半導体チップ１１と各半導体チップ１１のパッド１３に対応する複数のリード１７とを含むブロック７０毎に封止して製造される半導体装置１０の半導体チップ１１のパッド１３とリード１７とをワイヤ２１で接続するワイヤボンディング方法であって、ブロック７０に含まれる全ての半導体チップ１１の表面のパッド１３及びリード１７上に超音波加振を伴ってバンプ２２，２４を形成した後、パッド１３及びリード１７上に形成された各バンプ２２，２４の間をワイヤ２１で超音波加振を行わずに接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、ボンディングする際の超音波加振により他のボンディング済みワイヤに損傷が発生することを抑制する。
【解決手段】ワイヤ２１を半導体チップ１１表面のパッド１３の上にボンディングした後、ワイヤ２１を繰り出しながらキャピラリ４１をリード１７の方向及びリード１７と反対の方向に移動させて、ワイヤ２１をリード１７と反対の方向に凸の第１キンク３５とリード１７の方向に凸の第２キンク３７と第２キンク３７に続くストレート部３８とを形成した後、キャピラリ４１をルーピングしてワイヤ２１をリード１７にボンディングし、ボンディングの際にストレート部３８をリード１７の表面に沿った方向の直線部３１として成形すると共に、直線部３１をリード１７の表面に押し付ける。 （もっと読む）

【課題】ボンディング装置用撮像装置において、高さ方向の段差の大きな半導体チップを精度良く撮像すると共にリードフレームの撮像時間の短縮を図る。
【解決手段】高倍率レンズ３４を経て複数の撮像面３６，３７に至り、高倍率レンズ３４からの距離が異なる位置にある複数の被写体撮像範囲に対応して高倍率レンズ３４から各撮像面３６，３７までの各光路長が異なる第１、第２の高倍率光路５１，５２を有する高倍率光学系と、低倍率レンズ３５を経て撮像面３８に至る低倍率光路５３を有し、各高倍率光路５１，５２よりも広い視野を備える低倍率光学系と、を備え、高倍率光学系の各撮像面３６，３７を持つ各撮像素子３１，３２は半導体チップ６３の画像を取得し、低倍率光学系の撮像面３８を持つ撮像素子３３はリードフレーム６１の画像を取得する。 （もっと読む）