【課題】金属ナノインクを用いて半導体ダイと基板の電極同士を接合する半導体装置の組立において、接合部の信頼性を向上させる
【解決手段】ウェーハと基板の各電極上に金属ナノインクの微液滴を射出した後、金属ナノ粒子を焼結させて金属バンプを形成するバンプ形成機構２０と、金属バンプの形成されたウェーハを半導体ダイに切り離すダイシング機構３０と、各金属バンプの表面にマイクロプラズマを照射するとともに金属ナノインクを塗布する照射塗布機構４０と、半導体ダイをピックアップして反転させ基板に重ね合わせる重ね合わせ機構５０と、金属ナノインクを加熱して金属ナノインク中の金属ナノ粒子を焼結させ、導体ダイと基板とを接合する接合機構８０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】第１ボンド点と第２ボンド点との接続において、ワイヤの強度低下を抑制しつつワイヤループの高さをより低くする。
【解決手段】ワイヤの先端に形成したイニシャルボールをキャピラリによって第１ボンド点１１に接合させて圧着ボール１２を形成する第１ボンディング工程と、キャピラリを略垂直に上昇させてからキャピラリを第２ボンド点１９の方向に向かって斜め下方にキャピラリの上昇量よりも少ない量だけ下降させるという連続動作を複数回繰り返して行い、複数の位置でワイヤを第２ボンド点１９の方向に向かって押し込むワイヤ押込み工程と、キャピラリを上昇させ、続いてキャピラリを第２ボンド点１９の方向に移動させてワイヤを第２ボンド点１９に圧着させることにより接合する第２ボンディング工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ワイヤループ高さの低い半導体装置を提供する。
【解決手段】イニシャルボールをパッド１３に接合させて圧着ボール２３とボールネック２５とを形成した後、キャピラリ４１を上昇させ、続いてリードと反対の方向に向かって移動させた後、降下させてリード側のフェイス部４３でボールネック２５を踏み付ける。その後キャピラリ４１を上昇させ、キャピラリ４１のフェイス部４３がボールネック２５の上に来るまでキャピラリ４１をリードに向かって移動させてリード１７に向かってワイヤ２１を折り返し、その後キャピラリ４１を降下させて踏み付けられたボールネック２５の上に折り返されたワイヤ側面をキャピラリ４１で押し付け、キャピラリ４１をリードに向かって斜め上方に移動させた後ルーピングしてワイヤ２１をリードに圧着させて接合する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ワイヤループの高さをより低くするワイヤボンデイング方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】イニシャルボールをパッド１３に接合させて圧着ボール２３とボールネック２５とを形成した後、キャピラリ４１を上昇させ、続いてキャピラリ４１をリードと反対の方向に向かって移動させた後、キャピラリ４１を降下させてリード側のフェイス部４３でボールネック２５を踏み付ける。その後キャピラリ４１を上昇させ、キャピラリ４１のフェイス部４３がボールネック２５の上に来るまでキャピラリ４１をリードに向かって移動させてリードに向かってワイヤ２１を折り返し、その後キャピラリ４１を降下させて踏み付けられたボールネック２５の上に折り返されたワイヤ側面をキャピラリ４１で押し付け、キャピラリ４１をリードに向かって斜め上方に移動させた後キャピラリ４１をルーピングしてワイヤ２１をリードに圧着させて接合する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤループ高さの低い半導体装置を提供する。
【解決手段】イニシャルボールをパッド１３に接合させて圧着ボール２３とボールネック２５とを形成した後、キャピラリ４１を上昇させ、続いてリード１７と反対の方向に向かって移動させた後、降下させてリード側のフェイス部４３でボールネック２５を踏み付ける。その後キャピラリ４１を上昇させ、キャピラリ４１のフェイス部４３がボールネック２５の上に来るまでキャピラリ４１をリードに向かって移動させてリード１７に向かってワイヤ２１を折り返し、その後キャピラリ４１を降下させて踏み付けられたボールネック２５の上に折り返されたワイヤ側面をキャピラリ４１で押し付け、キャピラリ４１をリードに向かって斜め上方に移動させた後ルーピングしてワイヤ２１をリードに圧着させて接合する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】第１ボンド点と第２ボンド点との接続において、ワイヤの強度低下を抑制しつつワイヤループの高さをより低くする。
【解決手段】半導体装置は、ワイヤの先端に形成したイニシャルボールをキャピラリによって第１ボンド点１１に接合させて圧着ボール１２を形成し、キャピラリを略垂直に上昇させてからキャピラリを第２ボンド点１９の方向に向かって斜め下方にキャピラリの上昇量よりも少ない量だけ下降させるという連続動作を複数回繰り返して行い、複数の位置でワイヤを第２ボンド点１９の方向に向かって押し込み、キャピラリを上昇させ、続いてキャピラリを第２ボンド点１９の方向に移動させてワイヤを第２ボンド点１９に圧着させることにより接合することにより組み立てる。 （もっと読む）

【課題】搬送する基板に作用する過負荷を検出して基板の破壊を防止する。
【解決手段】搬送方向Ａに移動可能なＸ軸テーブル２０に搭載される搬送装置３０には、搬送装置本体３１と、上爪部４２を備える上爪部材４０と、下爪部５２を備える下爪部材５０と、上爪部材４０及び下爪部材５０を上下動させる駆動装置６０と、ボンディング装置１を統括的に制御する制御部８０とが設けられている。また、上爪部４２及び下爪部５２は搬送方向Ａに付勢されており、上爪用アーム部４１に対して上爪部４２が移動したことを検出する過負荷検出装置７０が設けられている。そして、リードフレームＦがマガジンなどに衝突すると、リードフレームＦをクランプする上爪部４２及び下爪部５２が搬送方向Ａの反対方向に移動するため、過負荷検出装置７０により、リードフレームＦに過負荷が作用していることを検出することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ダイなどを基板に適切にボンディングすることができる基板搬送装置及び基板搬送方法を提供する。
【解決手段】Ｘ軸移動装置２０による駆動により搬送方向Ａに移動可能なＸ軸テーブル３０に、上爪部材４０と、下爪部材５０と、ボンディングステージ２に沿って搬送方向Ａと垂直な方向に延びる基板押付部材６０と、上爪部材４０、下爪部材５０及び基板押付部材６０を上下動させる駆動装置７０とが搭載される。そして、基板Ｆにボンディングする際は、上爪部材４０及び下爪部材５０により基板Ｆを挟み込んだ状態で、基板押付部材６０により基板Ｆをボンディングステージ２に押し付け、基板Ｆをつかみ替える際は、上爪部材４０及び下爪部材５０による基板Ｆの挟み込みを解放するとともに、基板押付部材６０を大きく上昇させ、基板Ｆを搬送する際は、上爪部材４０及び下爪部材５０により基板Ｆを挟み込んだ状態で、基板押付部材６０を僅かに上昇させる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングを行う際にボイドの発生を抑制する。
【解決手段】ボンディングステージ２に形成される複数の吸引口３は、フレーム基板Ｆのボンディング対象Ｂに９箇所の吸引口３が対応するように配置されるとともに、フレーム基板Ｆの搬送方向Ａに垂直な方向において、吸引口群３ａ〜吸引口群３ｃの３列構成にグループ化されている。また、各吸引口群３ａ〜３ｃは、それぞれ連通口４ａ〜４ｃを介して、吸引口群３ａ〜３ｃに吸引力を発生させる吸引装置５ａ〜５ｃに連結されている。そして、フレーム基板Ｆがボンディングステージ２に搬送されると、設定された吸引順序及び遅延時間に基づいて、吸引装置５ａ〜５ｃを異なるタイミングで起動することで、フレーム基板Ｆのボンディング対象Ｂをボンディングステージ２に吸着させる。 （もっと読む）

【課題】高速で均一なループを形成させる。
【解決手段】ボンディング装置１は、キャピラリ５をボンディング位置まで下降させて、オーバーハングダイ１００のパッド１０４にイニシャルボール１０をボンディングするが、その際、所定時間ごとに、キャピラリ５のＺ軸方向の位置を検出するとともに、荷重センサ７で検出した荷重を検出して蓄積しておく。そして、蓄積したキャピラリ５に作用する荷重とキャピラリ５の位置とを参照して、荷重変化点を検出して、この荷重変化点におけるキャピラリ５の荷重変化位置からボンディング位置を減算することで、荷重変化位置からボンディング位置に至るキャピラリ５の移動量Ｚを算出する。そして、この算出した移動量Ｚ分、キャピラリ５を上昇させた後、パッド１０４とリード１０５との間にワイヤループを形成させる。
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