【課題】半導体ダイのピックアップ装置において、保持シートの引き剥がしの際に半導体ダイに加わる力を抑制しつつ半導体ダイを容易にピックアップする。
【解決手段】保持シート１２に密着する密着面２２を含むステージ２０と、密着面２２に設けられた吸引開口４１と、密着面２２に沿ってスライドして吸引開口４１を開閉する蓋２３と、半導体ダイ１５を吸着するコレット１８とを備え、半導体ダイ１５をピックアップする際に、蓋２３の先端２３ａを密着面２２から進出させ、保持シート１２と半導体ダイ１５とを押し上げながら蓋２３をスライドさせて吸引開口４１を順次開き、開いた吸引開口４１に保持シート１２を順次吸引させて半導体ダイ１５から保持シート１２を順次引き剥がすと共に半導体ダイ１５の直上で待機しているコレット１８に半導体ダイ１５を順次吸着させて半導体ダイ１５をピックアップする。 （もっと読む）

【課題】金属ナノペーストを用いて半導体ダイの電極と基板を接合するボンディング装置においてボンディングの信頼性の向上を図る。
【解決手段】金属ナノペーストの微液滴を射出して電極１２ａにバンプが形成された半導体ダイ１２を電極１９ａにバンプが形成された回路基板１９にフェースダウンし、半導体ダイ１２の電極１２ａと回路基板１９の電極１９ａを接合バンプ２５０を介して重ね合わせた後、重ね合わせた各電極１２ａ，１９ａ間の隙間を重ね合わせた際の間隔よりも小さい所定の間隔Ｈ_３に圧縮することにより各電極１２ａ，１９ａ間のバンプを加圧すると共に各電極１２ａ，１９ａ間のバンプを加熱してバンプの金属ナノ粒子を加圧焼結させて、接合金属３００とし、各電極１２ａ，１９ａを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】陽炎による位置検出誤差を効果的に低減し、ボンディング位置精度を向上させるリードフレームを加熱するダイボンディング装置の提供。
【解決手段】リードフレーム３１を保持する表面に位置合わせ用マークである孔２３を備えるボンディングステージと、孔２３とリードフレーム３１のアイランド３２とを同一視野内で撮像するカメラを備え、リードフレーム３１の基準位置とボンディング位置とにおいて孔２３とアイランド３２を含む基準画像と検出画像を取得する。そして、基準画像と検出画像とを比較し、アイランド３２の基準画像上の位置と検出画像上の位置との位置ずれによりアイランド３２の見かけ上の位置を取得し、孔２３の基準画像上の位置と検出画像上の位置との位置ずれにより位置補正量を取得し、アイランド３２の見かけ上の位置を位置補正手段によって取得した位置補正量だけ補正してアイランド３２の位置を認識する。 （もっと読む）

【課題】ボンディング装置において、ファインピッチの半導体チップへのボンディングの場合にも効果的にオフセット量の修正を行いボンディング精度の向上を図る。
【解決手段】カメラによって取得したパッドの画像とオフセット量とに基づいてボンディングツール中心軸のＸＹ方向位置を制御する制御部は、カメラによって取得した画像を処理してパッドの各辺と、圧着ボールの輪郭とを取得する輪郭取得手段と、パッド各辺と圧着ボールの輪郭との各隙間長さＧｘ、Ｇｙを取得する隙間長さ取得手段と、隙間長さ取得手段によって取得した各隙間長さＧｘ、Ｇｙに基づいてオフセット量の修正を行うオフセット量修正手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ダイの電極と回路基板の電極との接合を行うボンディング装置において、接合荷重を低減すると共に簡便な方法で効率的に各電極の接合を行う。
【解決手段】金属ナノペーストを用いて半導体ダイ１２の電極と回路基板１９の電極とを接合するボンディング装置１０において、金属ナノペーストの微液滴を電極上に射出してバンプを形成するバンプ形成機構２０と、半導体ダイ１２のバンプを回路基板１９のバンプに押し付けて各電極を非導通状態で１次接合する１次接合機構５０と、１次接合された各バンプを接合方向に向かって加圧及び加熱して各バンプの金属ナノ粒子を加圧焼結させて各電極が導通するよう２次接合する２次接合機構８０とを有する。 （もっと読む）

【課題】超音波振動子において、安定した構造で効果的に温度変化による圧電素子の与圧力の変化を低減することを目的とする。
【解決手段】軸方向に延びる空洞６２が設けられる振動子本体６０と、空洞６２内に軸方向に積層された圧電素子６４と、振動子本体６０の一端に設けられたねじ孔６７と、振動子本体６０と実質同一の熱膨張係数を備え、圧電素子６４を圧縮する押圧ブロック６８と、を含む圧電素子内蔵型の超音波振動子１００であって、空洞６２内の圧電素子６４と押圧ブロック６８との間に設けられて圧電素子６４と共に積層圧縮され、振動子本体６０と圧電素子６４との軸方向の熱膨張の差を吸収することのできる熱膨張係数と厚さとを有し、振動子本体６０と異なる材料で、その内部を伝搬する音速が振動子本体６０の内部を伝搬する音速と略同一である背面体６６を備える。 （もっと読む）

【課題】超音波振動子において、安定した構造で効果的に温度変化による圧電素子の与圧力の変化を低減することを目的とする。
【解決手段】圧電素子１４が同軸に積層される心棒１２と振動子本体１１とが一体に構成された心棒一体型ランジュバン型振動子の超音波振動子１０と、心棒端部のねじ部１３と、心棒１２と実質同一の熱膨張係数を備え、ねじ部１３にねじ込まれ圧電素子１４を振動子本体１１との間で圧縮する与圧用ナット１７を含む圧縮機構と、圧電素子１４と同軸に心棒に積層圧縮され、心棒１２と圧電素子１４との軸方向の熱膨張の差を吸収することのできる熱膨張係数と厚さを有する背面体１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】超音波振動子において、安定した構造で効果的に温度変化による圧電素子の与圧力の変化を低減することを目的とする。
【解決手段】軸方向に延びる開口４２が設けられる振動子本体５０と、開口４２内に軸方向に積層して嵌めこまれた圧電素子４４と、振動子本体５０と実質同一の熱膨張係数を備え、圧電素子４４の間に差し込まれて圧電素子４４を振動子本体５０との間で圧縮するテーパ部材４８と、を含む圧電素子内蔵型の超音波振動子１００であって、開口４２内に積層された圧電素子４４とテーパ部材４８との間に設けられて圧電素子４４と共に積層圧縮され、振動子本体５０と圧電素子４４との軸方向の熱膨張の差を吸収することのできる熱膨張係数と厚さとを有し、振動子本体５０と異なる材料で、その内部を伝搬する音速が振動子本体５０の内部を伝搬する音速と略同一である背面体４６を備える。 （もっと読む）

【課題】簡便な機構により、ボンディングエリアを広くすると共に、高速、高精度のボンディング装置を提供する。
【解決手段】基準面１１と、基準面１１から離間して配置される回転中心１５の回りに回転し、先端に取付けられたキャピラリ２３を基準面１１に対して斜めに接離動作させるボンディングアーム２１と、半導体チップ４１、リードフレーム１２上のボンディング位置を光学的に検出する撮像装置２５と、を備えるボンディング装置１０であって、基準面１１から撮像装置２５に向かう光軸５１の基準面１１に対する角度をキャピラリ２３先端の移動線３５と基準面１１とのなす角度に略等しくする。 （もっと読む）

【課題】ボンディング装置１０において、電極とパッド及びワイヤ双方の表面洗浄を効果的に行う。
【解決手段】内部を不活性ガス雰囲気に保持するチャンバ１２と、チャンバ１２に取付けられ、プラズマ化したガスをチャンバ１２内に置かれた基板４１と半導体チップ４２に照射してパッドと電極の表面処理を行う第１のプラズマトーチ２０と、チャンバ１２に取付けられ、プラズマ化したガスをチャンバ１２内に位置するキャピラリ１７先端のイニシャルボール１９又はワイヤ１８に照射してイニシャルボール１９又はワイヤ１８の表面処理を行う第２のプラズマトーチ３０と、表面処理されたパッドと電極とに表面処理されたイニシャルボール１９、ワイヤ１８をチャンバ１２内でボンディングするボンディング処理部１００を備える。 （もっと読む）