【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。
【解決手段】ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂの端部と、ゲート電極層４０１の端部とを重畳させ、更に酸化物半導体層４０３のチャネル形成領域となる領域に対して、ゲート電極層４０１を確実に重畳させることで、トランジスタのオン特性を向上させる。また、絶縁層４９１中に埋め込み導電層を形成し、埋め込み導電層４８１ａ，４８１ｂと、ソース電極層４０５ａ及びドレイン電極層４０５ｂとの接触面積を大きくとることで、トランジスタのコンタクト抵抗を低減する。ゲート絶縁層４０２のカバレッジ不良を抑制することで、酸化物半導体層４０３を薄膜化し、トランジスタの微細化を実現する。 （もっと読む）

【課題】チャネルが非晶質半導体によって構成される薄膜トランジスタを単極性の駆動回
路に用いる際、しきい値電圧の変動の程度に応じてしきい値電圧を補正する駆動回路を提
供することを課題の一とする。
【解決手段】半導体層の上下に絶縁層を介して配置された第１のゲート及び第２のゲート
を有する単極性のトランジスタで構成される駆動回路において、第１のゲートには、トラ
ンジスタのスイッチングを制御するための第１の信号が入力され、第２のゲートには、ト
ランジスタのしきい値電圧を制御するための第２の信号が入力され、第２の信号は、トラ
ンジスタのソースとドレインとの間を流れる電流を含む、駆動回路の消費電流の値に応じ
て制御されるものとする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、発光素子において生じる不具合から受ける影響の少ない発光装置を提
供することを課題とする。また、本発明は、直列接続した構造を有する発光装置を提供す
ることを課題とする。
【解決手段】本発明の発光装置の一は、発光素子とリミッタとを含む一組の回路が並列に
接続されたものである。ここで、発光素子とリミッタとは直列に接続している。また、回
路は少なくとも二以上含まれていればよい。さらに、一組の回路には、少なくとも一の発
光素子が含まれていればよい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタを提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁層中に埋め込まれ、上面の少なくとも一部が下地絶縁層から露出した電極層上に、一対の低抵抗領域及びチャネル形成領域を含む酸化物半導体層を設け、電極層において、または、酸化物半導体層の低抵抗領域であって電極層と重畳する領域において、酸化物半導体層の上層に設けられる配線層との電気的な接続を行うトランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】充放電特性が向上した蓄電装置用の電極と、該電極を用いた蓄電装置を提供する。
【解決手段】集電体に、集電体の表面で開口する複数個の空間部分を設ける。また、集電体をグラフェンで覆うことで、急速充放電を容易とし、充放電による集電体の崩壊を防ぐ。充放電特性が向上し、劣化が少ない蓄電装置用の電極と、該電極を用いた蓄電装置を提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を損なうことがない半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタ（半導体装置）において、電極層を酸化物半導体層の下部に接して形成し、不純物を添加する処理により酸化物半導体層に自己整合的にチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように一対の低抵抗領域を形成する。また、電極層および低抵抗領域と電気的に接続する配線層を絶縁層の開口を介して設ける。 （もっと読む）

【課題】共鳴方式の非接触給電システムにおいて、効率よく安定的な給電を行う。
【解決手段】共鳴コイルと、電磁結合コイルと、整流回路と、平滑化回路と、直流電力の電圧値を別の電圧値に変換する電圧変換回路と、当該電圧変換回路に入力される直流電力の電圧値及び電流値を取得し、当該取得された電圧値及び電流値からインピーダンスを計算し、かつ、当該電圧変換回路の出力電圧及び出力電流を制御するパルス幅変調信号を生成する制御回路と、当該電圧変換回路の出力電圧及び出力電流が入力される負荷とを有し、当該制御回路により計算されたインピーダンスが、伝送される交流電力の伝送効率が最大となるインピーダンスに近づくように、当該パルス幅変調信号のデューティ比が決定される受電装置、及び当該受電装置を有する非接触給電システムに関する。 （もっと読む）

【課題】スタティックメモリを有する画素回路構成を採用し、低消費電力の表示装置を提供する。
【解決手段】第１乃至第３のトランジスタ、第１及び第２のインバータを用いて、画素電極に電位を供給することで表示する表示装置により、静止画表示の場合に、ドライバやコントローラなどを停止させても、表示を維持することができ、低消費電力化をはかることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減する。オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に窒素プラズマ処理を行うことで酸化物半導体膜を構成する酸素の一部が窒素に置換された酸窒化領域を形成し、該酸窒化領域に接して金属膜を形成する。該酸窒化領域は酸化物半導体膜の他の領域と比べ低抵抗となり、また、接触する金属膜との界面に高抵抗の金属酸化物を形成しにくい。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を備えた、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、酸化物半導体層、ソース電極およびドレイン電極を覆うゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、ソース電極およびドレイン電極は、その側面が酸化された酸化領域を有する半導体装置である。なお、ソース電極およびドレイン電極の酸化領域は、３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の高周波電力、および、酸素とアルゴンの混合ガスを用いたプラズマ処理により形成されたものであることが望ましい。 （もっと読む）