【課題】比表面積の大きなリチウムと酸素を有する化合物を含む正極活物質を作製する。また、正極活物質と電解液との接触面積が大きく、高出力なリチウムイオン電池を作製する。
【解決手段】リチウムを含む水溶液Ａ、鉄、マンガン、コバルトまたはニッケルを含む水溶液Ｂおよびリン酸を含む水溶液Ｃの少なくともいずれか一以上に酸化グラフェンを含み、水溶液Ｃに水溶液Ａを滴下することで沈殿物Ｄを含む混合液Ｅを作製し、水溶液Ｂに混合液Ｅを滴下することで沈殿物Ｆを含む混合液Ｇを作製し、混合液Ｇを加圧雰囲気において加熱処理を行うことで混合液Ｈを作製し、混合液Ｈをろ過することで粒径の小さいリチウムと酸素を有する化合物の粒子を得る。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極およびドレイン電極と、保護膜と、を有し、該保護膜は金属酸化膜を有し、該金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ^３以上である。 （もっと読む）

【課題】寿命の長い発光素子を提供する。また、寿命の長い発光装置および電子機器を提供する。
【解決手段】第１の電極１０１と第２の電極１０２の間に、第１の層１１４と、発光物質を含む第２の層１１３とを有し、第１の層は、第１の有機化合物１４１と、第２の有機化合物１４２とを有し、第１の層は、第２の層と第２の電極の間に設けられており、第１の層において、第２の有機化合物よりも第１の有機化合物が多く含まれており、第１の有機化合物は、電子輸送性の有機化合物であり、第２の有機化合物は、電子トラップ性の有機化合物であり、第２の有機化合物のエネルギーギャップは、発光物質のエネルギーギャップよりも大きく、第１の電極の電位が第２の電極の電位よりも高くなるように電圧を印加することにより、発光層からの発光が得られる発光素子。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光モジュール、または、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光モジュールを用いた発光装置を提供する。または、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光モジュールの作製方法、または、有機ＥＬ素子を有する信頼性の高い発光モジュールを用いた発光装置の作製方法を提供する。
【解決手段】第１の基板と第１の基板と対向する第２の基板の間に、第１の基板上に形成された発光素子と粘性材層を、当該発光素子を囲むシール材で封じ込める構成を有する。そして、当該粘性材層は当該発光素子と第２の基板の間に設けられ、且つ不純物と反応或いは不純物を吸着する乾燥剤と、粘性を有する非固体と、を含む。 （もっと読む）

【課題】無駄に放出される電磁波を有効に活用することができる充電装置を提供する。
【解決手段】電波を受信するアンテナ回路と、アンテナ回路において生成された交流電圧
を整流して直流電圧を生成する整流回路と、該直流電圧の大きさを調整し、該調整された
前記直流電圧を用いて蓄電池の充電を行う電源回路とを有する。さらに、蓄電池への過充
電を防ぐように電源回路を制御する充電制御回路を有していても良い。そして蓄電池の充
電は、一対の端子に調整された直流電圧を印加することで行っても良いし、発振回路及び
出力用のアンテナ回路を別途設けて、非接触で行っても良い。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性の安定した半導体装置を提供する。とくに、酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接して形成されたソース電極、及びドレイン電極と、を有し、ゲート絶縁膜は、少なくとも酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成された酸素放出型の酸化膜と、により構成され、酸素放出型の酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 （もっと読む）

【課題】青色の波長領域において燐光を発光することができ、かつ電流効率の向上が可能である新たな有機金属錯体であり、発光効率の高い発光素子、発光装置、電子機器、または照明装置の提供。
【解決手段】メタ−ビフェニルトリアゾール化合物を配位子とする有機金属錯体であり、下式（Ｇ１）で表される構造を含む有機金属錯体。


（但し、式中、Ｒ^１、Ｒ^２は、置換もしくは無置換の炭素数１〜４のアルキル基を表す。また、Ｍは第９族元素を表す。） （もっと読む）

【課題】開示する発明の一態様は、安定して動作することが可能なパルス信号出力回路及
びそれを含むシフトレジスタを提供することを課題の一とする。
【解決手段】開示する発明の一態様のパルス信号出力回路は、第１乃至第１０のトランジ
スタを有し、第１のトランジスタおよび第３のトランジスタのチャネル長Ｌに対するチャ
ネル幅Ｗの比Ｗ／Ｌは、第６のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きく、第５のトランジスタ
のＷ／Ｌは、第６のトランジスタのＷ／Ｌよりも大きく、第５のトランジスタのＷ／Ｌは
、第７のトランジスタのＷ／Ｌと等しく、第３のトランジスタのＷ／Ｌは、第４のトラン
ジスタのＷ／Ｌよりも大きくする。これによって、安定して動作することが可能なパルス
信号出力回路及びそれを含むシフトレジスタを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】充放電による劣化が少なく、高サイクル特性を有する負極を有する蓄電装置を作製する。
【解決手段】正極と、負極と、前記正極及び負極の間に設けられた電解質とを有し、負極は、負極集電体及び負極活物質層を有し、負極活物質層は、負極集電体上に形成される凹凸状のシリコン層と、シリコン層に接する、酸化シリコン層または酸化シリコン及びシリケート化合物を有する混合層と、酸化シリコン層または酸化シリコン及びシリケート化合物を有する混合層に接するグラフェンと、を有する蓄電装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域にシリコンを含まない材料を用いる半導体装置であって、微細化に伴いゲート絶縁層が薄膜化されても、ゲートリーク電流が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層として熱酸化シリコン層を用いる。熱酸化シリコン層を用いることで、ＣＶＤ法やスパッタリング法で形成された酸化シリコン層を用いる場合よりゲートリーク電流を抑制することができる。ゲート絶縁層に熱酸化シリコン層を用いるために、チャネル領域を含む半導体層を形成する基板とは別にシリコン基板を用意し、シリコン基板上に熱酸化シリコン層を形成する。そして熱酸化シリコン層を、チャネル領域を含む半導体層に貼り合わる。このようにして、半導体層の上に熱酸化シリコン層を形成し、熱酸化シリコン層をゲート絶縁層として用いたトランジスタを形成する。 （もっと読む）