【課題】電気特性の制御された酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５上にシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン層９１０が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６には、バリア層として機能する酸化シリコン層９０９を介して、窒化シリコン層９１０が設けられる。そのため、酸化物半導体層９０５には、酸化物半導体層９０６よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５の抵抗値が、薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６の抵抗値よりも低くなる。 （もっと読む）

【課題】駆動用トランジスタの特性のばらつきに起因する、画素間における表示素子の輝
度ムラを抑えることができる表示装置の提案を課題とする。
【解決手段】駆動トランジスタと、スイッチと、表示素子と、を有し、前記駆動トランジ
スタは、ソース又はドレインが第１の配線に電気的に接続され、ゲートが第２の配線に電
気的に接続されている表示装置である。そして、前記トランジスタのソース又はドレイン
から前記表示素子への電流の供給を前記スイッチによって制御する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのリーク電流を低減し、論理回路の誤動作を抑制する。
【解決手段】チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層を含み、チャネル幅１
μｍあたりのオフ電流が１×１０^−１３Ａ以下であるトランジスタを有し、入力信号とし
て、第１の信号、第２の信号、及びクロック信号である第３の信号が入力され、入力され
た第１の信号乃至第３の信号に応じて電圧状態が設定された第４の信号及び第５の信号を
出力信号として出力する構成とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。また、現在実用化されている量産技術からの膜構成、プロセス条件、または生産装置等の変更が少なく、半導体装置に安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有し、ゲート絶縁膜は、窒化酸化シリコン膜と、窒化酸化シリコン膜上に形成された酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成された金属酸化膜と、を含み、金属酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 （もっと読む）

【課題】液晶等の電気光学素子若しくは発光素子等を表示媒体として用いる表示装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極に、オンしたトランジスタを介して信号を入力することで、劣化しやすいトランジスタのしきい値電圧のシフト及びオンしたトランジスタのしきい値電圧のシフトを抑制する。すなわち、高電位（ＶＤＤ）がゲート電極に印加されているトランジスタを介して（若しくは抵抗成分を持つ素子を介して）、交流パルスを劣化しやすいトランジスタのゲート電極に加える構成を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】燐光発光できる有機金属錯体のバリエーションを豊富にする。また、発光スペクトルがシャープで、発光効率の高い有機金属錯体を提供する。さらに、それらの有機金属錯体を用いて発光素子を作製することで、発光色のバリエーションに富んだ発光素子を提供する。また、色純度が高く、発光効率の高い発光素子を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｇ１）で表される構造を有する有機金属錯体を合成し、発光素子に適用する。


（式中、Ｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数１〜４のアルコキシ基、または炭素数１〜５のアルコキシカルボニル基のいずれかを表す。また、Ｒ^２およびＲ^３は水素、または炭素数１〜４のアルキル基のいずれかを表す。また、Ａｒは炭素数６〜２５のアリーレン基を表す。また、Ｍは中心金属であり、第９族元素、または第１０族元素のいずれかを表す。） （もっと読む）

【課題】サイクル特性及び充放電容量が良好である蓄電装置用の電極を提供する。また、当該電極を搭載した蓄電装置を提供する。
【解決手段】導電層と、当該導電層上に設けられた活物質層を備え、活物質層は、グラフェンと複数のウィスカー状の活物質を有し、グラフェンは、複数のウィスカー状の活物質の表面部に着接され、活物質層の一部に空隙を有するように設けられている蓄電装置用の電極を作製する。また、当該グラフェンが、複数のウィスカー状の活物質の表面部に着接され、複数のウィスカー状の活物質を被覆するように設けられている蓄電装置用の電極を作製する。そして、当該電極を搭載した蓄電装置を作製する。 （もっと読む）

【課題】発光素子において、発光層の発光物質を分散させるホスト材料として用いることのできる新規複素環化合物を提供する。
【解決手段】一般式（Ｇ１）で表される複素環化合物を提供する。式中、Ａは、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基、又は置換もしくは無置換のカルバゾリル基を表し、Ｒ^１１〜Ｒ^１９は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表し、Ａｒは、炭素数６〜１３の置換又は無置換のアリーレン基を表す。
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【課題】酸化物半導体を用いた整流特性の良い非線形素子（例えば、ダイオード）を提供
する。
【解決手段】水素濃度が５×１０^１９／ｃｍ^３以下である酸化物半導体を有するトランジ
スタにおいて、酸化物半導体に接するソース電極の仕事関数φｍｓと、酸化物半導体に接
するドレイン電極の仕事関数φｍｄと、酸化物半導体の電子親和力χが、χはφｍｓ以上
かつφｍｄ未満の関係になるように構成し、酸化物半導体とソース電極の接触面積よりも
酸化物半導体とドレイン電極の接触面積を大きくし、トランジスタのゲート電極とドレイ
ン電極を電気的に接続することで、整流特性の良い非線形素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】電流駆動能力がより小さなクロック信号生成回路を適用することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎチャネル型トランジスタで構成されるスイッチ及び論理回路を有し、スイッチは導通状態又は非導通状態がクロック信号によって選択され、論理回路は、ブートストラップ回路と、入力信号が入力される入力端子と、反転入力端子と、出力端子とを有し、高電源線と出力端子との接続を反転入力端子に入力される信号によって制御し、低電源線と出力端子との接続を入力端子に入力される信号によって制御することによって、入力信号がローレベル電位の場合には、ブートストラップ回路を用いて出力端子の電位を上昇させることにより出力端子から高電源電位を出力し、トランジスタは、チャネルが形成される半導体層と、半導体層を挟んで上下に設けられた一対のゲート電極とを有し、一対のゲート電極の他方はソースと接続される。 （もっと読む）