説明

株式会社半導体エネルギー研究所により出願された特許

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【課題】優れたキャリア輸送性を有し、発光素子の輸送層やホスト材料として好適に用いることができる新規カルバゾール誘導を提供することを課題とする。また、当該カルバゾール誘導体を用いた有機半導体材料及び発光素子用材料を提供する。
【解決手段】ジベンゾチオフェン骨格もしくはジベンゾフラン骨格の4位が、カルバゾール骨格の2位又は3位に、直接またはアリーレン基を介して置換しているカルバゾール化合物を合成することができた。そして当該カルバゾール化合物が適度なキャリア輸送性や良好な膜質を有し、発光素子の材料や有機半導体材料として好適に用いることが出来ることを見出した。なお、当該カルバゾール骨格の窒素にはフェニル基、ビフェニル基及びナフチル基のいずれかが置換している。 (もっと読む)


【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極との接触抵抗を下げることができる。 (もっと読む)


【課題】低消費電力化できる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】表示部に複数の画素を有し、複数のフレーム期間で表示を行う液晶表示装置であって、フレーム期間は、書き込み期間及び保持期間を有し、書き込み期間において、複数の画素のそれぞれに、画像信号を入力した後、保持期間において、複数の画素が有するトランジスタをオフ状態にして、少なくとも30秒間、画像信号を保持させる。画素は、酸化物半導体層でなる半導体層を具備し、酸化物半導体層は、キャリア濃度が1×1014/cm未満である。 (もっと読む)


【課題】新規な構成を有する半導体装置である。
【解決手段】第1の素子を有し、第2の素子を有し、トランジスタを有し、容量を有し、第1の素子の出力は、第2の素子の入力と電気的に接続され、第2の素子の出力は、第1の素子の入力と電気的に接続され、第1の素子の入力は、入力端子と電気的に接続され、第1の素子の出力は、出力端子と電気的に接続され、トランジスタのソース及びドレインの一方は、容量の一方の電極と電気的に接続され、トランジスタのソース及びドレインの他方は、入力端子と電気的に接続され、トランジスタのチャネル形成領域は、結晶を有する酸化物半導体を有する。結晶を有する酸化物半導体を有するトランジスタはリーク電流が非常に小さいため、データを保持することができる。 (もっと読む)


【課題】表面のP−V値が小さく、かつ、高い結晶性を有する半導体薄膜層を備えたSOI基板の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体薄膜層の結晶性を高く保つため、水素イオン添加処理中の半導体基板の温度を200℃以下に抑制した。加えて、水素イオン添加処理後の半導体基板を100℃以上400℃以下に保持した状態で半導体基板に対してプラズマ処理を行うことにより、水素イオン添加処理により生じる、半導体薄膜層の分離に対して寄与度の高いSi−H結合を残存させたまま、半導体薄膜層の分離に対して寄与度の低いSi−H結合を低減した。 (もっと読む)


【課題】本発明では、信頼性の高い表示装置を低いコストで歩留まり良く製造するこ
とができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、画素電極層上にスペーサを形成し、電界発光層形成時のマス
クから画素電極層を保護する。また、透水性を有する有機材料を含む層を表示装置の中に
シール材で封止し、かつシール材と有機材料を含む層が接しないため、発光素子の水等の
汚染物質による劣化を防ぐ事ができる。シール材は表示装置の駆動回路領域の一部に形成
されるため表示装置の狭額縁化も達成できる。 (もっと読む)


【課題】新たな半導体材料を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】水素濃度が1×1016cm−3以下の領域を有する酸化物半導体層又はキャリア密度が1×1014cm−3未満の領域を有する酸化物半導体層を有し、酸化物半導体層の膜厚は、酸化物半導体層のドナー密度に基づく空乏層の広がり得る最大幅よりも薄いトランジスタである。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたパワー絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(パワーMISFET)を提供する。
【解決手段】半導体層103を挟んでゲート電極105とドレイン電極102を形成し、ゲート電極105の側面に半導体層109を形成し、ゲート電極105の頂上部と重なる部分で、半導体層109とソース電極112が接する構造を有する。このようなパワーMISFETのドレイン電極とソース電極の間に500V以上の電源と負荷を直列に接続し、ゲート電極105に制御用の信号を入力して使用する。 (もっと読む)


【課題】発光素子において、発光層の発光物質を分散させるホスト材料として用いることのできる新規複素環化合物を提供することを目的とする。駆動電圧が低い発光素子を提供することを目的とする。また、電流効率が高い発光素子を提供することを目的とする。また、長寿命な発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】ジベンゾ[f,h]キノキサリン環と正孔輸送骨格とが、アリーレン基を介して結合した化合物を含む発光素子を提供する。この発光素子を用いた発光装置、電子機器及び照明装置を提供する。下記一般式(G1)で表される複素環化合物を提供する。
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【課題】曲率を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。特に、曲率を有するディスプレイ、具体的には曲率を有する基材に貼りつけられたOLEDを有する発光装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】元々曲率及び弾性を有する支持体に外力を加え、これを基板上に作成された被剥離層に接着する。この後基板を剥離すると、支持体が復元力によって最初の形状に戻るとともに被剥離層も支持体の形状に沿って湾曲する。最後に、元々曲率を有する転写体を被剥離層に接着すれば、所望の曲率を有した装置が完成する。 (もっと読む)


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