【課題】凹凸形状や複雑な形状を表面に有する物体、特に複雑な凹凸形状により表面に三次元構造を有する物体、又は曲面を有する物体にグラフェンを実用的に均一な厚さで形成する方法を提供する。
【解決手段】酸化グラフェン溶液中に、物体と電極を浸漬し、前記物体と前記電極間に電圧を加える。この際、物体が陽極となるようにする。酸化グラフェンは負に帯電するので、陽極に引き寄せられ、物体の表面に実用的に均一な厚さで付着する。酸化グラフェンが付着した部分は他の酸化グラフェンが付着しにくくなる。このため付着した酸化グラフェンをグラフェンに還元することで、複雑な凹凸形状を有する物体の表面にも実用的に均一な厚さのグラフェンを形成できる。 （もっと読む）

【課題】電気特性の制御された酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５上にシラン（ＳｉＨ_４）及びアンモニア（ＮＨ_３）などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン層９１０が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６には、バリア層として機能する酸化シリコン層９０９を介して、窒化シリコン層９１０が設けられる。そのため、酸化物半導体層９０５には、酸化物半導体層９０６よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子３５４に適用される酸化物半導体層９０５の抵抗値が、薄膜トランジスタ３５５に適用される酸化物半導体層９０６の抵抗値よりも低くなる。 （もっと読む）

【課題】駆動用トランジスタの特性のばらつきに起因する、画素間における表示素子の輝
度ムラを抑えることができる表示装置の提案を課題とする。
【解決手段】駆動トランジスタと、スイッチと、表示素子と、を有し、前記駆動トランジ
スタは、ソース又はドレインが第１の配線に電気的に接続され、ゲートが第２の配線に電
気的に接続されている表示装置である。そして、前記トランジスタのソース又はドレイン
から前記表示素子への電流の供給を前記スイッチによって制御する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのリーク電流を低減し、論理回路の誤動作を抑制する。
【解決手段】チャネル形成層としての機能を有する酸化物半導体層を含み、チャネル幅１
μｍあたりのオフ電流が１×１０^−１３Ａ以下であるトランジスタを有し、入力信号とし
て、第１の信号、第２の信号、及びクロック信号である第３の信号が入力され、入力され
た第１の信号乃至第３の信号に応じて電圧状態が設定された第４の信号及び第５の信号を
出力信号として出力する構成とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、より優れたゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。また、現在実用化されている量産技術からの膜構成、プロセス条件、または生産装置等の変更が少なく、半導体装置に安定した電気特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。また、当該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、を有し、ゲート絶縁膜は、窒化酸化シリコン膜と、窒化酸化シリコン膜上に形成された酸化窒化シリコン膜と、酸化窒化シリコン膜上に形成された金属酸化膜と、を含み、金属酸化膜上に酸化物半導体膜が接して形成される。 （もっと読む）

【課題】画素部に形成される画素電極やゲート配線及びソース配線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁表面上のゲート電極及びソース配線と、前記ゲート電極及びソース配線上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁膜上の半導体層と、前記半導体膜上の第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上の前記ゲート電極と接続するゲート配線と、前記ソース電極と前記半導体層とを接続する接続電極と、前記半導体層と接続する画素電極とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】異なる特性の半導体素子を一体に有しつつ、高集積化が実現可能な、新たな構成の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の半導体材料が用いられた第１のチャネル形成領域と、第１のゲート電極と、を含む第１のトランジスタと、第１のゲート電極と一体に設けられた第２のソース電極および第２のドレイン電極の一方と、第２の半導体材料が用いられ、第２のソース電極および第２のドレイン電極と電気的に接続された第２のチャネル形成領域と、を含む第２のトランジスタと、を備えた半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ＥＬ素子の色のバランスが良く、なおかつ発光輝度のバランスが良い、色鮮やか
な画像を表示することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】ＥＬ素子に流す電流を大きくしたい画素ほど、該画素のＥＬ素子に電圧また
は電流を供給する引き回し配線の幅を大きくした。これによって、ＥＬ素子に流す電流を
大きくしたい画素ほど、該画素のＥＬ素子に電圧または電流を供給する引き回し配線の配
線抵抗が小さくなる。配線抵抗が小さくなると、引き回し配線における電位降下が小さく
なり、ＥＬ素子に流す電流を大きくすることが可能になる。なお実際のパネルでは、引き
回し配線を配置するスペースは限られているので、各色における引き回し配線の幅の比を
変えることで、各色のＥＬ素子に流れる電流の大きさのバランスを取ることが可能である
。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップ半導体においても、ＣＰＭ測定による欠陥密度の精度の高い評価を可能とする。
【解決手段】ワイドギャップ半導体のバンドギャップの波長（λ_Ｅｇ）以下、所定の波長範囲以上におけるＣＰＭ測定で得られた照射光量から導出した吸収係数と、別途測定したワイドギャップ半導体のλ_Ｅｇ以下の所定の波長範囲以上における吸収係数とのフィッティング値Ｆ（ｘ）を０．０００１以上１以下、好ましくは０．０００１以上０．１以下とする。 （もっと読む）

【課題】グラフェンの原料である酸化グラフェン塩、及びグラフェンを、生産性を高く作製する。
【解決手段】グラファイト及びアルカリ金属塩を含む酸化剤を溶液中で混合して、第１の沈殿物を生成する。次に、酸性溶液を用いて、第１の沈殿物に含まれるアルカリ金属塩を含む酸化剤を電離させ、第１の沈殿物からアルカリ金属塩を含む酸化剤を除去して、第２の沈殿物を生成する。次に、第２の沈殿物と水を混合して混合液を形成した後、混合液に超音波を印加して、または混合液を機械的に攪拌して、第２の沈殿物に含まれる、グラファイトが酸化された酸化グラファイトから酸化グラフェンを分離し、酸化グラフェンが分散する分散液を調製する。次に、分散液と、塩基性溶液及び有機溶媒とを混合し、分散液に含まれる酸化グラフェン及び塩基性溶液に含まれる塩基を反応させ、酸化グラフェン塩を生成する。 （もっと読む）