【課題】平面視が被加熱物を含む矩形の加熱範囲においても被加熱物の全体が均一に加熱されるようにし、被加熱物の全体に均一な熱処理を施すことができるようにする。
【解決手段】均熱部材１を、加熱範囲１０において領域１２〜１５によって構成される矩形の平面形状に近似した矩形の外縁形状とし、内部に半導体ウエハ２１の平面形状に近似した円形の開口部２を外縁形状と中心位置を一致させて形成した。開口部２の開口径は、半導体ウエハ２１の外径よりも僅かに大きくした。均熱部材１は、平面視において開口部２の中心位置が半導体ウエハ２１の中心位置に一致するように配置した。領域１２及び領域１５において均熱部材１が占める面積は、領域１３及び領域１４において均熱部材１が占める面積よりも大きい。このため、均熱部材１と半導体ウエハ２１とが占める面積は、領域１２〜１５のそれぞれにおいて互いに略一致する。 （もっと読む）

【課題】冷却室に収納されたワークから冷却体によって外部に放出される熱を有効に活用することができ、冷却室におけるワークの冷却効率を低下させることなく、冷却室から放出される熱によって十分な電力を得ることができるようにする。
【解決手段】光吸収体１１によって構成された中空の冷却室１２と、冷却室１２の外表面を覆う冷却ジャケット１３と、光吸収体１１及び冷却ジャケット１３の間に配置される熱電変換モジュール１４と、を備えた。熱電変換モジュール１４は、互いに平行にして所定の間隙を設けて配置された熱良導体からなる平板状の絶縁層３１，３２を備え、これらの間に、熱電変換素子３３及び熱電変換素子３４を交互に繰り返して平面状に配列した。絶縁層３１は光吸収体１１の外側面に密着し、絶縁層３２は冷却ジャケット１３の内側面に密着する。 （もっと読む）

【課題】 型および加工対象物を、高温かつ高速に加熱し、さらに、高速に冷却する。
【解決手段】型100によって超微細パターンを加工対象物200にナノインプリンティングする熱加熱装置は、前記型100を保持すると共に、熱を前記型100に伝熱可能な型保持部２と、前記型保持部２を加熱する型加熱用ＩＨヒータ３と、前記加工対象物200を保持すると共に、熱を前記加工対象物200に伝熱可能な加工対象物保持部７と、前記加工対象物保持部７を加熱する加工対象物加熱用ＩＨヒータ８と、前記型200と前記加工対象物100とを押圧する押圧手段50とを具備している。前記型保持部２の少なくとも一部および前記加工対象物保持部７の少なくとも一部は、比透磁率が０．９９以上でありかつ電気抵抗率が１μΩ・ｃｍ以上の材料により形成されている。 （もっと読む）

【課題】 加工対象物を、高温かつ高速に加熱し、さらに、高速に冷却する。
【解決手段】型100によって超微細パターンがナノプリンティングされる加工対象物200を加熱するための加工対象物加熱装置は、前記加工対象物200を保持すると共に、熱を前記加工対象物200に伝熱可能な加工対象物保持部７と、前記加工対象物保持部７を加熱するＩＨヒータ８とを具備している。前記加工対象物保持部７の少なくとも一部は、比透磁率が０．９９以上でありかつ電気抵抗率が１μΩ・ｃｍ以上の材料により形成されている。 （もっと読む）

【課題】 炉組立部品を、誰にでも安全に効率良く搬送する。
【解決手段】 炉組立部品搬送装置を有する連続焼成炉は、炉11、12または炉を形成するためのスペースの上方レベルにおいて炉長さ方向にのびた水平状レール42、43、45、46と、レール42、43、45、46にそって走行しうるように配置されているキャリヤ44、47、48と、キャリヤ44、47、48に装備されている巻上機61、91とを備えている。 （もっと読む）

ガス浸炭方法における第１の工程においては、浸炭ガスを含む浸炭雰囲気において、δ鉄と液相からγ鉄に変態する包晶点以下であって、液相からγ鉄とセメンタイトに変態する共晶点以上の初期設定温度に到達するまで、鋼製処理対象物をその表面炭素濃度が固容限を超えることがないように加熱する。第１の工程の後の第２の工程においては、浸炭温度を前記初期設定温度から漸減させることで、前記処理対象物の表面炭素濃度を固容限を超えない範囲で増加させると共に、前記処理対象物の浸炭深さを増加させる。
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【課題】冷却ジャケットの内側面に熱電変換モジュールの低温側表面を密着させ、この熱電変換モジュールの高温側表面に放射熱反射膜を形成することにより、昇温・均熱時にはハウジング内の十分な保温を図り、降温時には効率良くエネルギーを回収することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】水冷式の冷却ジャケット１ｂを備えたハウジング１の内部に、主に放射熱の照射により加熱するハロゲンランプ２と、半導体ウエハＷを収納するプロセスチューブ３とが配置された熱処理装置において、冷却ジャケット１ｂの内側面に、熱電変換モジュール４の低温側表面を密着させると共に、この熱電変換モジュール４の高温側表面に放射熱反射膜５を形成した構成とする。 （もっと読む）

【課題】処理対象物の表層の一部分にのみ浸炭を行う場合に、工程を簡単化することで作業負担を軽減し、コストを低減し、有害ガスの発生や処理対象物の表面性状の急変を防止できるガス浸炭方法を提供する。
【解決手段】処理対象物Ｗの表層の一部分である環状部位Ｗ′にのみガス浸炭装置１により浸炭処理を行う。ガス浸炭装置１は、浸炭処理用容器２内に設けられる加熱用コイル３と、処理対象物Ｗを支持する支持部材４を移動させる駆動機構５を備え、容器２内に浸炭雰囲気用ガスが供給される。コイル３により囲まれる加熱領域の寸法は、環状部位Ｗ′のみを浸炭温度まで加熱できるように設定される。加熱領域外で支持部材４により処理対象物Ｗを支持し、次に、駆動機構５により支持部材４を移動させることで環状部位Ｗ′を加熱領域に位置するように位置決めし、しかる後に、浸炭雰囲気下の容器２内で環状部位Ｗ′をコイル３により加熱することで浸炭処理を行う。 （もっと読む）

【課題】プロセスチューブ１を介して内部のガラス状炭素からなる加熱筒２を電磁誘導加熱することにより、温度制御を高速で行い熱処理作業のスループットを向上させることができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】気密にしたプロセスチューブ１内を加熱して内部の被処理物Ｓを熱処理する熱処理装置において、プロセスチューブ１内にガラス状炭素からなる加熱筒２を配置すると共に、このプロセスチューブ１の外側に電磁誘導加熱コイル３を配置した構成とする。また、このプロセスチューブ１が石英ガラスからなり、電磁誘導加熱コイル３が水冷式による冷却装置を備えたものとする。 （もっと読む）

【課題】多孔質体の乾燥効率を向上させ、乾燥時間の短縮化を図りつつも、構成を簡素化させ、装置の設置面積を縮小でき、ランニングコストおよびイニシャルコストを低減させることのできる金属原料用のブリケットの製造方法を提供する。
【解決手段】金属粉末を含む再資源化用の材料を圧縮成形して多孔質体Ｃを得る。そして、圧縮成形した多孔質体Ｃを管状部材１２に投入し、管状部材１２に熱風を吹き込ませ多孔質体Ｃを乾燥させる。 （もっと読む）