【課題】マッフルの耐久性の低下を好適に抑制することができる連続加熱式マッフル炉を提供する。
【解決手段】本発明の連続加熱式マッフル炉は、マッフル８の外部に配置され、被処理物Ｗを加熱する複数のガスバーナ４ａ，５ａ，６ａと、マッフル８の外部に配置され、当該マッフル８を保温する電気ヒータ４ｂ，５ｂ，６ｂと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】真空浸炭炉内に供給される浸炭ガスの量の変動を抑制し、ワークにおける浸炭むらや、スーティングの発生を抑制する真空浸炭装置を提供する。
【解決手段】真空浸炭装置１は、液体炭化水素を計量搬送する液体炭化水素流路部１０と、所定量の液体炭化水素を気化して浸炭ガスを生成するとともに、生成した浸炭ガスを搬送する浸炭ガス流路部２０と、浸炭ガスを含む浸炭ガス雰囲気中でワークに浸炭処理を施す真空浸炭炉３０とを備えており、浸炭ガス流路部２０が、液体炭化水素を気化する気化室２１と、気化室２１内の圧力および温度の少なくとも一方をモニタリングすることにより浸炭ガスの生成を検知して浸炭ガスの搬送を制御するセンサ部２２とを有している。 （もっと読む）

【課題】平板状の被処理物を均一に加熱することができるとともに、昇温時間を短縮することができる枚葉式熱処理装置を提供する。
【解決手段】枚葉式熱処理装置１の処理室２に配置された単一の半導体ウエハＷを上方から加熱する上加熱体３を、複数の第１〜第３の上加熱ゾーン３１ａ〜３１ｃに領域分割し、第１〜第３の上加熱ゾーン３１ａ〜３１ｃには個別に温度制御される第１〜第３の上ヒータ５ａ〜５ｃを配置する。処理室２に配置された半導体ウエハＷを下方から加熱する下加熱体４には、当該加熱体４を領域分割することなく単一の下加熱ゾーン４１を形成し、下加熱ゾーン４１に下ヒータ６を配置する。 （もっと読む）

【課題】炉口に溜まった水を短時間で除去し、製品の生産速度をあげるとともに、デバイス特性不良を少なくすることができる基板の熱処理装置を提供する。
【解決手段】基板の熱処理装置は、底部に設けられた炉口２３を通してプロセスチューブ２２内に搬入された基板をウェット処理する熱処理炉２と、前記炉口２３を開放可能に閉塞する開閉扉と、前記熱処理炉２の下方に設けられたロード空間３と、前記基板をボート４で保持して前記炉口２３を通してロード空間３側からプロセスチューブ２２内に搬入するとともに、当該プロセスチューブ２２からロード空間３に搬出する昇降リフト５と、前記プロセスチューブ２２内にパージ用のガスを供給するパージガス供給手段３２と、前記プロセスチューブ２２内を真空状態にしてウェット処理で生じた液分の沸点を下げる真空手段３０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】扉側のシャッタの構成の簡素化を図りつつ、炉口と扉との間の機密性を保つためのシールにおいて発塵が生じることを効果的に防止し、かつ、炉口と扉との間の機密性を長期間に亘って維持することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 ＩＲ炉１０は、炉体１２および扉２０を備えている。炉体１２は、ワーク１５の搬入および搬出を行うための炉口を有する。炉体１２には、炉口を囲むように第１のシール部４０が設けられている。扉２０は、第１のシール部４０に対応する位置に配置された第２のシール部３０を備え、第１のシール部４０および第２のシール部３０を介して炉口を気密的に閉塞可能に構成される。第１のシール部４０は、断熱性および弾力性を有する第１の樹脂部材４２と、第１の樹脂部材４２を被覆するように構成された耐熱性を有する樹脂シート４４とを備える。第２のシール部３０は、耐熱性を有する板状の第２の樹脂部材３２を備える。 （もっと読む）

【課題】導入したガスが領域間で混ざることを防止することが可能となる熱処理装置を提供する。
【解決手段】ワークＷの周囲の雰囲気が領域毎で異なるように炉内が複数の領域に区画され、区画された各領域を順にワークＷが進行し当該ワークＷを熱処理する熱処理装置である。区画された複数の前記領域それぞれに処理ガスを供給するガス導入部２と、区画された複数の前記領域それぞれの雰囲気ガスを排気する排気部３と、パージガス供給部７とを備えている。パージガス供給部７は、隣り合う領域間に設けられワークＷの上方から下方に向けてパージガスを噴出する噴出口１７ａ，１７ｂを有している。 （もっと読む）

【課題】エネルギーの無駄を可能なかぎり削減しつつ、シール部材の保護および反応生成物の付着防止の両方を確実に実現することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】縦型炉１０は、反応管１１、ヒータ２０、マニホールド１６、冷却ガス供給手段３１０を備える。マニホールド１６は、反応管１１のフランジ部１２２を支持するフランジ支持部１６６を少なくとも有し、反応管１１のフランジ部１２２にＯリング１７４を介して接合されるように構成される。フランジ支持部１６６には、冷却ガス供給手段３１０が噴出した冷却ガスを反応管１１のフランジ部１２２に導くための貫通孔３３が設けられる。冷却ガス供給手段３１０は、マニホールド１６におけるフランジ支持部１６６に対して冷却ガスを選択的に噴出する。 （もっと読む）

【課題】処理室内の水素ガスの濃度を検出するためのセンサを設けることなくワークの浸炭状態を把握することが可能であり、かつ、ガスの廃棄量を最小限に抑えることが可能なガス浸炭処理装置を提供する。
【解決手段】ガス浸炭処理装置１０は、処理室２０、高周波誘導加熱用コイル１８、ガス導入部１２、ガス排出部１４、水素分離ユニット１４２、およびガス帰還部１６を備える。処理室２０は、浸炭処理されるワーク２２を収容するように構成される。ガス排出部１４は、処理室２０内のガスを排出するように構成される。水素分離ユニット１４２は、ガス排出部１４に設けられ、処理室２０から排出されるガスから水素ガスのみを捕集して分離可能に構成される。ガス帰還部１６は、水素分離ユニット１４２に案内されたガスのうち水素ガス以外のガスを処理室２０に帰還させるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 センサレス制御のブラシレスモータを使用することで、堅牢性および信頼性を確保し、高コストのＣＰＵを使用しなくても、高効率の駆動が可能である追尾式太陽光発電装置を提供する。
【解決手段】 ブラシレスモータのセンサレス制御装置は、ロータの位置を推定し(S1)、次いで、追尾モードかどうかを判定し(S2)、ＹＥＳの場合には、ロータを推定位置より所要回転角分を同期駆動し(S3)、その後、数１０ｍｓの間モータ電流を保持し(S4)、ＮＯの場合には、ロータを推定位置より同期駆動によって駆動し(S6)、その後、センサレス制御モードで、所定位置まで駆動する(S7)。 （もっと読む）

【課題】低処理コストで、かつより短時間でワークの浸炭を行なうことができるガス浸炭方法およびそれに用いるガス浸炭処理装置を提供する。
【解決手段】金属製のワークに浸炭処理および拡散処理を施すガス浸炭処理装置に、誘導加熱装置１２と、ガス制御部としてのマスフローコントローラ１３とを設ける。そして、浸炭処理時に、炭化水素ガスおよび不活性ガスそれぞれの供給量の総量を一定量とし、かつ処理室本体１０内の炭化水素ガスの濃度を一定濃度に維持しながら、処理室本体１０内に両ガスを供給するとともに、ワークＷを誘導加熱する。これにより、低処理コストで、かつより短時間でワークの浸炭を行なうことができる。 （もっと読む）