【課題】粒子表面からコート層が剥がれ難く、粒子内部とコート層に損傷のない透過式の電子顕微鏡用薄片試料の作製方法と薄片試料の観察方法を提供する。
【解決手段】透過式の電子顕微鏡用薄片試料の作製方法は、コート層で被覆された複数の粒子をSiウェーハー上に載置し各コート層表面にカーボン蒸着膜を形成する第一工程と、集束イオンビーム（FIB）装置を用いて得られたSIM像から3つ連結した特定の連結粒子群を選択しかつFIB装置に装備されたデポジションシステムを用いて連結粒子群の周囲と粒子群間の隙間にタングステン保護膜を形成した後、FIB装置に装備されたマイクロプローブを用いてSiウェーハーから連結粒子群を抽出する第二工程と、抽出された連結粒子群を加工処理台に載置しかつFIB装置から弱いビーム電流条件でイオンビームを照射して連結粒子群の特定粒子に薄片加工処理を施す第三工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溝付きケースに入っているウェハを一括して効率的に取り出すことができる治具を提供する。
【解決手段】一部が開口する略Ｕ字形断面の半円筒形状の側面と、半円筒形状の軸方向に端面とを有し、ウェハの外周に対し、Ｕ字形断面の開口部の平行に対向する内側端縁部で接触する半導体ウェハの移し替え治具。この治具のＵ字形断面の開口部を下にして、ウェハを複数枚収納して水平に載置された溝付きケースに重ね、両者を上下反転して複数枚のウェハを溝付きケースから前記治具に移し替え、ウェハをＵ字形断面の開口部の平行に対向する内側端縁部で保持した後、前記治具を起こして前記治具内部に保持した複数枚のウェハを隙間無く積層させ、積層した状態のウェハからウェハを１枚ごとあるいは積層状態のままで任意の枚数ごと取り出す。 （もっと読む）

【課題】高純度銀の製造工程において発生する廃液の排水処理負荷の軽減を図ること。
【解決手段】本発明の高純度銀製造廃液の処理方法は、銀を含む製錬中間物から亜硫酸塩水溶液により銀を浸出させる銀浸出工程と、浸出した浸出液を中和して塩化銀を析出させる塩化銀析出工程と、析出した塩化銀を酸性水溶液中で酸化処理して精製する塩化銀精製工程と、を有する高純度銀の製造方法において、前記塩化銀析出工程及び／又は前記塩化銀精製工程において発生した廃液に硫酸及び／又は塩酸を添加して前記廃液からＳＯ_３^２−を除去する脱ＳＯ_３^２−工程と、前記脱ＳＯ_３^２−工程で発生したＳＯ_２ガスを水酸化アルカリ金属及び／又は炭酸アルカリ金属塩の水溶液に吸収させて亜硫酸塩水溶液を得る亜硫酸塩水溶液生成工程と、を備え、前記亜硫酸塩水溶液生成工程で得られた亜硫酸塩水溶液を前記銀浸出工程で使用される亜硫酸塩水溶液として利用することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ボンディング時のボールのアルミニウム電極への接触時の衝撃によりアルミニウム電極の下方の誘電体膜を損傷せず、更にボールが花弁状に潰れすぎることなくアルミニウム電極の開口部内で十分な初期接合を行うことができる銅ボンディングワイヤを提供することを目的とする。
【解決手段】主成分が銅であって、硫黄が０．１質量ｐｐｍ以上３質量ｐｐｍ以下、パラジウムが４００質量ｐｐｍ以上５０００質量ｐｐｍ以下添加されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止をした半導体パッケージの製作段階で用いられ、該パッケージの薄型化、小型化、多ピン化等に有利なリードフレームと、その製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１は、半導体パッケージ４個分の形状パターン形成領域２と、外縁部３と境界部４とを有する枠体部５とからなっている。そして、形状パターン形成領域２は、ハーフエッチング加工で枠体部５より薄く形成されていて、そこにはさらにエッチング加工をすることによって、インナーリード７、アウターリード８、ダイパッド９等の形状が形成されている。また、外縁部３には、インナーリード７等を形成すときのエッチング加工によって複数のパイロットホール６が形成されている。このリードフレーム１は、全体を撓み易くせずに、形状パターン形成領域２だけを薄くしているので、従来の製造装置によって、半導体素子を支障なく組み付けることが可能である。 （もっと読む）

【課題】容易に位置決めができ、位置決め精度が良いマスキング装置用母板位置決め装置およびマスキング装置を提供する。
【解決手段】マスキング台２２に固定された一対の第１位置決め治具３と、第２位置決め治具４とを備え、第１位置決め治具３はビーム１２が載せられる凹部３１が形成されており、第２位置決め治具４はビームの先端面が当接される板部材である。第１位置決め治具３にビーム１２を載せるだけでビーム軸に対して垂直な方向の位置決めができ、ビーム１２の先端面を第２位置決め治具４に当接するだけでビーム軸方向の位置決めができるので、容易に位置決めができる。歪みが生じ難いビーム１２で位置決めを行うので、位置決め精度が良い。 （もっと読む）

【課題】高速な表面処理を行う場合であっても、大型化することなく、十分な処理時間を確保することができる、経済的な表面処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の表面処理装置は、処理槽５の両側に配置され、線材２の許容曲率半径以上の半径を有し、かつ、軸方向に１列以上の案内軌道３０ａ〜３６ａ、３０ｂ〜３６ｂを外周面に備え、導電性の回転体と、該回転体の中心で軸方向に伸長する導電性の給電軸と、前記回転体を該給電軸に対してこの給電軸と共に回転可能に支持する樹脂製の支持体と、前記回転体と前記給電軸とを電気的に接続する手段と、前記回転体を回転させる駆動機構とを備える、第１および第２の回転給電装置と、該第１および第２の回転給電装置のそれぞれと前記処理槽との間に配置され、相互に軸方向および高さ方向に位置がずれている２個以上のプーリが、１列以上配されている第１および第２のライン変更プーリ装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】相純度が９０ｗｔ％以上である白色ＬＥＤ用ストロンチウムシリケート系蛍光体の製造方法を提供。
【解決手段】組成式１「（Ｓｒ_１-ｘ-ｙＭ_ｙＥｕ_ｘ）_３ＳｉＯ_５（式中、０．００１≦ｘ≦０．１、０≦ｙ≦０．２、Ｍは２価の金属）」の蛍光体の製造方法において、少なくとも下記の３つの工程を経る。工程１：蛍光体原料を溶媒により湿式混合した後、その溶媒を乾燥除去して得られた凝集混合物を解砕後、大気雰囲気下、１１５０〜１２５０℃の温度での第１段の熱処理、続けて大気雰囲気下での１４５０〜１５５０℃の温度での第２段の熱処理によって仮焼物を作製する工程、工程２：次いで、前記仮焼物を乾式粉砕した後、粒径３２〜１００μｍの粒子のみを取り出す分級工程、工程３：取り出した粒子からなる粉末を、弱還元性雰囲気のＨ_２を２〜１２ｖｏｌ％含む不活性ガスフロー中で温度１４５０〜１５５０℃、１〜１０時間の熱処理工程である。 （もっと読む）

【課題】均一な組成のＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを得る。
【解決手段】Ｃｕ粉末を、水素ガスを含む混合ガス雰囲気中で１５０℃〜３００℃の温度で撹拌し、撹拌したＣｕ粉末に、Ｇａを１０質量％〜４５質量％の割合で配合した混合粉末を、真空又は不活性雰囲気中で３０℃〜３００℃の温度で攪拌することにより、直接、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を形成する。Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度で熱処理し、熱処理したＣｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度と、５ＭＰａ〜３０ＭＰａのプレス圧力とでホットプレス法により焼結する。 （もっと読む）

【課題】ブロード化され、太陽光が有するプロファイルにほぼ一致した発光スペクトルプロファイルを有する演色性にきわめて優れた白色ＬＥＤを提供すること。
【解決手段】粒子径の異なるＩＩ−ＶＩ族半導体ナノ結晶粒子を含む複数の層からなる白色ＬＥＤ用積層体であって、上記白色ＬＥＤ用積層体は、ＬＥＤの光出力方向に向かって、上記ＩＩ−ＶＩ族半導体ナノ結晶粒子の粒子径が大きいものを含む層から小さいものを含む層となるように順次積層されており、上記白色ＬＥＤ用積層体の隣接する各層間において、上記ＩＩ−ＶＩ族半導体ナノ結晶粒子に起因する発光スペクトルのピーク波長の差が、上記各層に含まれる半導体ナノ結晶粒子の発光スペクトルのピーク波長の半値幅以下であることを特徴とする白色ＬＥＤ用積層体を備える。 （もっと読む）