【課題】画像を記録する際に、１画素に相当する距離を超えて遷移位置をシフトさせる。
【解決手段】画像記録装置では、各光変調素子に対応する画素列の画素値が変化する各変化点に関して、描画ずれを補正するために光変調素子からの出力光量の遷移位置をシフトするシフト量が求められる。シフト量が１つの画素７１に対応する基板上の領域の走査方向の幅を超える場合に、当該シフト量を当該幅にて除した値の整数部分の画素数だけ変化点が列方向に移動するように、対象画像の画素７１ａの画素値が変更されるとともに、当該変化点に対応するシフト量が小数部に相当する値に修正される。そして、変更後の対象画像および修正後のシフト量に基づいて空間光変調器を制御することにより、画像を記録する際に、１画素に相当する距離を超えて光変調素子からの出力光量の遷移位置をシフトさせつつ画像を精度よく記録することが実現される。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部から汚染物質を良好に除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製のスポンジブラシ１６を備えている。スポンジブラシ１６の外表面を含む範囲には、多数の砥粒が保持されている。基板処理装置１は、スピンチャック３により回転されるウエハＷの周縁部にスポンジブラシ１６を当接させることにより当該周縁部を洗浄することができる。スポンジブラシ１６は、ウエハＷの周縁部に強固に付着した汚染物資を砥粒によって剥離させることにより、ウエハＷの周縁部から当該汚染物質を良好に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】上下ノズルの流量比を処理に応じて最適なものとすることにより、液中のパーティクル排出性能を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】、制御部４７は、上ノズル１３と下ノズル１１の流量比を調整するので、内槽３内におけるリフタ９の保持部７付近に適度な大きさの渦を発生させることができる。したがって、渦の大きさを調整して、内槽３内を下方から上方へと向かう処理液の流れを適切に形成させることができるので、特に、洗浄処理において液中のパーティクルの排出能力を向上できる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成された金属薄膜を腐食させることなく、基板表面を良好に洗浄することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに銅配線８１が形成された基板Ｗに対してポリマー除去成分を含む処理液による洗浄処理に続けてＤＩＷによるリンス処理が行われる。このリンス処理中においては、ヴィアホール８３ａ内に入り込んだ処理液を短時間でリンス液に置換することは難しく、ヴィアホール８３ａ内に処理液とリンス液が並存し、このことが銅配線８１のうちヴィアホール８３ａの底部に位置する部分に腐食を発生させる主要因のひとつと考えられるが、処理液の酸化還元電位とリンス液の酸化還元電位の差を２０ｍＶ以下とすることで処理液とリンス液の相互作用を抑えて腐食発生を効果的に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の図形要素のベクトルデータである入力データからランレングスデータである出力データへの変換に要する時間を短縮して出力データの生成を高速化する。
【解決手段】データ変換装置７では、図形要素比較部７２により入力データに含まれる複数の図形要素がそれぞれ同じ形状を有する代表図形要素に関連付けられ、部分ランレングスデータ生成部７４により各代表図形要素を表す部分ランレングスデータが生成される。そして、入力データと各代表図形要素の部分ランレングスデータとに基づいて出力データが生成されることにより、入力データおよび各代表図形要素の部分ランレングスデータをメモリ上に保持した状態でデータ変換処理が行われる場合、および、入力データおよび代表図形要素群のデータを中間ファイルとして保持した状態でデータ変換処理が行われる場合の双方において、出力データの生成を高速化することができる。 （もっと読む）

【課題】安全処理部におけるメンテナンスを考慮してスケジューリングすることにより、ロットに対する過剰処理を防止することができる。
【解決手段】乾燥処理部ＬＰＤにてメンテナンスＭ１が行われる場合には、仮想リソースＶＩＬの使用を一連の処理工程Ｐ２〜Ｐ５に対して排他することができるので、乾燥処理部ＬＰＤのメンテナンスＭ１に並行して薬液処理部ＣＨＢ１のリソースが使用されることを防止できる。その結果、乾燥処理部ＬＰＤにおけるメンテナンスＭ１が時間的に後ろに延びた場合であっても、ロットに対する過剰処理を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】熱の再利用ができ、配管の破損が生じても問題が生じることがなく、その上、装置のコストアップを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】二重容器２７における熱交換により、排出される燐酸と供給される燐酸との間で熱の再利用ができる。また、熱交換が燐酸同士であるので、二重容器２７の内容器２９が破損したとしても問題が生じない。その上、別体の予備温調ユニットを設けることなく、供給する燐酸に加温することができるので、装置のコストアップを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ノイズ成分の影響を受けにくく、かつ画素データがなだらかに変化する箇所の輪郭を抽出できる輪郭抽出装置を提供する。
【解決手段】本輪郭抽出装置の制御部１００は、対象画像から１行分の画素データを順に抽出し（Ｓ２１）、得られた画素データ群により表されるデータ折れ線の凹部を検出するための２つの検出折れ線を表す２つの検出データ群を算出し（Ｓ２２）、得られた検出データ群のそれぞれと、画素データ群との差分値がともに閾値を超えないｘ座標を求めることにより、データ折れ線の凹部に対応する画素からなる輪郭位置を判定し（Ｓ２３）、以上の処理を全行に渡って繰り返す（Ｓ２４）。よって画素データを累積的に加算する場合のようにノイズ成分の影響を受けることがなく、かつ上記検出折れ線により画素データがなだらかに変化する箇所の輪郭を正確に抽出できる。 （もっと読む）

【課題】暖気を行うラインを別途設けることにより、プロセスの再現性が良好な基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部９１は、純水などの液滴が付着した基板Ｗを処理槽９に載置した後、シャワーノズル１７から乾燥媒体を供給させる。基板Ｗに付着している純水などの液摘は、乾燥媒体の液滴の物理力によって除去される。このとき基板Ｗは乾燥媒体によって完全に覆われた状態である。次に、空気をインラインヒータ５９で加熱しつつシャワーノズル１７に供給して基板Ｗを乾燥させる前に、インラインヒータ５９を作動させた状態で気体をガス排気管７７に排出させる。したがって、加熱された空気はチャンバ１内に供給されずガス排気管７７を介して排出されるので、チャンバ１の温度が自然に上昇することがなく、プロセスの再現性を良好にすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の上面に処理液を供給し基板を鉛直軸回りに回転させて基板を処理する際に、基板を加熱することなく基板上の処理液を加熱して、処理液の温度を基板面内で均一に保ち、基板面内における処理品質の均一性を向上させることができる方法を提供する。
【解決手段】基板保持部１２に水平姿勢に保持されて鉛直軸回りに回転するシリコン基板Ｗの上面へ給液ノズル１６から水溶液の処理液を供給して基板を処理する際に、ハロゲンランプ１８からシリコン基板Ｗの下面側へ波長が１．２μｍ〜５．０μｍの範囲である赤外線を照射する。シリコン基板Ｗを透過した赤外線は、基板上面の処理液に吸収されて、処理液の温度が上昇する。 （もっと読む）