説明

大日本スクリーン製造株式会社により出願された特許

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【課題】暖気を行うラインを別途設けることにより、プロセスの再現性が良好な基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部91は、純水などの液滴が付着した基板Wを処理槽9に載置した後、シャワーノズル17から乾燥媒体を供給させる。基板Wに付着している純水などの液摘は、乾燥媒体の液滴の物理力によって除去される。このとき基板Wは乾燥媒体によって完全に覆われた状態である。次に、空気をインラインヒータ59で加熱しつつシャワーノズル17に供給して基板Wを乾燥させる前に、インラインヒータ59を作動させた状態で気体をガス排気管77に排出させる。したがって、加熱された空気はチャンバ1内に供給されずガス排気管77を介して排出されるので、チャンバ1の温度が自然に上昇することがなく、プロセスの再現性を良好にすることができる。 (もっと読む)


【課題】基板の上面に処理液を供給し基板を鉛直軸回りに回転させて基板を処理する際に、基板を加熱することなく基板上の処理液を加熱して、処理液の温度を基板面内で均一に保ち、基板面内における処理品質の均一性を向上させることができる方法を提供する。
【解決手段】基板保持部12に水平姿勢に保持されて鉛直軸回りに回転するシリコン基板Wの上面へ給液ノズル16から水溶液の処理液を供給して基板を処理する際に、ハロゲンランプ18からシリコン基板Wの下面側へ波長が1.2μm〜5.0μmの範囲である赤外線を照射する。シリコン基板Wを透過した赤外線は、基板上面の処理液に吸収されて、処理液の温度が上昇する。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板の酸化を抑制または防止しつつ、シリコン基板に対し処理液を用いた処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】スピンチャック3は、ウエハWをほぼ水平な姿勢でその裏面(下面)を吸着して保持する保持電極板5を備えている。保持電極板5には、直流回路22の電源の負極が接続されている。保持電極板5の上方には、対向電極板10が設けられている。対向電極板10には、直流回路22の電源の正極が接続されている。対向電極板10と、ウエハWの表面とを隙間dを隔てて対向させ、対向電極板10と保持電極板5との間に電位差が与えられる。この状態で、処理液ノズルからSPMが供給される。 (もっと読む)


【課題】複数の図形要素のベクトルデータである入力データをランレングスデータである出力データに変換する際に、複数の図形要素間に不必要な隙間が生じることを防止しつつ収縮処理を迅速に行う。
【解決手段】データ変換装置では、ランレングス生成の単位となる単位領域800に垂直な方向に図形要素が収縮されて収縮図形要素82a,86aが生成され、収縮図形要素86aの左側、および、収縮図形要素82aの右側に、収縮幅の2倍の幅を有する第1仮図形要素861および第2仮図形要素822が生成される。そして、各単位領域800と重なる第1仮図形要素および第2仮図形要素のランレングスの論理積が求められ、当該論理積と注目単位領域に重なる収縮図形要素のランレングスとの論理和が単位ランレングスデータとされる。これにより、複数の図形要素間に不必要な隙間が生じることを防止しつつ収縮処理を迅速に行うことができる。 (もっと読む)


【課題】枚葉方式で基板を薬液処理した後にリンス処理し乾燥処理する場合に、スループットおよびメンテナンス性を向上させることができるシステムを提供する。
【解決手段】基板Wを1枚ずつ薬液およびリンス液で処理する薬液処理部38およびリンス処理部40を連接して処理ユニット14a〜14cを構成し、1つの装置ベース上に複数の処理ユニット、基板搬送部22および乾燥ユニット16を設ける。処理ユニット14a〜14cにおいて基板Wを薬液処理部38で薬液処理した後にリンス処理部40でリンス処理する一連の処理を処理単位とし、1枚の基板に対し一連の処理を複数回行うときは、1つの処理ユニットから別の処理ユニットへ基板を順次搬送して、処理ユニットの設置数に対応する回数以内で適宜必要とする回数だけ処理単位を繰り返してから、基板を乾燥ユニット16へ搬送して乾燥処理する (もっと読む)


【課題】処理液案内部材の内方に処理液雰囲気を保持することができ、処理液案内部材外への処理液雰囲気の流出を抑制または防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】内構成部材19は、スピンチャック1の周囲を取り囲むように設けられ、第1案内部25、廃棄溝26、内側回収溝27および外側回収溝52を一体的に有している。中構成部材20は、内構成部材19の外側においてスピンチャック1の周囲を取り囲むように設けられ、第2案内部48を有している。外構成部材21は、中構成部材20の第2案内部48の外側においてスピンチャック1の周囲を取り囲むように設けられている。外構成部材21には、スカート部80が備えられている。スカート部80の垂下部81の下端部は、液体貯留部70に貯留された液体中に浸漬されていて、液封構造を形成している。 (もっと読む)


【課題】ウエハの周縁部に付着している汚染物質を確実に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハWを保持して回転させるスピンチャックと、ウエハWの周縁部を洗浄するためのブラシ18と、このブラシ18を回転させるブラシ自転機構とを備えている。ブラシ18は、ブラシ自転機構により回転させられながらウエハWの周縁部に当接される。ウエハWは、回転中のブラシ18が当接された状態で、その回転方向が時計回りおよび反時計回りに交互に切り換えられる。これにより、ウエハWの周縁部に付着している汚染物質に互いに逆方向となる二方向の力が与えられるので、当該汚染物質を当該周縁部から確実に除去することができる。 (もっと読む)


【課題】照射機構と基板との相対位置に基づいて、高精度なパターン描画を実現する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】基板保持プレート21に保持された基板90に向けて照射ユニット33から光ビームを照射することで、基板90にパターン描画を行う。このとき、ベースプレート23の主走査方向の位置をレーザ測長器42によって測定するとともに、架橋構造体12に固設された照射ユニット33の主走査方向の位置をレーザ測長器41によって測定する。制御部8は、レーザ測長器41,42から出力される各検出結果に基づいて、照射ユニット33と基板90の相対位置を算出し、当該算出結果に基づいて、照射ユニット33による光ビームの照射制御を行う。 (もっと読む)


【課題】除去率が高く、ダメージが少ない洗浄処理を行うことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハWの表面(上面)に極性液体である純水を処理液ノズル3から供給し、ウエハWの表面を純水で覆う。さらに、処理液ノズル3から純水を吐出させた状態で、純水よりも表面張力が低い低表面張力液体であるHFEの液滴を、純水で覆われたウエハWの表面に衝突させる。その後、ウエハWを高速回転させて乾燥させる。 (もっと読む)


【課題】シート状の基材を貼付された基板の一方主面を下向きに保持したまま基材を剥離することのできる剥離装置を提供する。
【解決手段】表面にシートフィルムFが貼付されフェースダウン状態で搬入された基板Wを、吸着ステージブロック100によりフェースダウン状態のまま吸着保持する(図10(a))。巻き取りローラ220を有する巻き取りブロック200を基板Wの左下に移動させ(同図(b))、シートフィルムFの吸着を一部解除するとともに突き出しピン142により突き出すことで、端部を下方に垂れ下がらせる(同図(c))。こうして垂れ下がった端部をシートクランプ223、225によりクランプし(同図(d))、巻き取りローラ220を回転させながら右方向に移動させることにより、シートフィルムを剥離させ巻き取る。 (もっと読む)


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