説明

東京応化工業株式会社により出願された特許

1,051 - 1,060 / 1,407


【課題】顔料分散型組成物が付着した基材・装置等を洗浄するための、少量で高い洗浄効果を発揮する洗浄剤を提供する。
【解決手段】顔料分散型組成物を洗浄し除去するための洗浄剤組成物であって、芳香族炭化水素を含む溶剤と、Si系界面活性剤とを含むことを特徴とする、洗浄剤組成物。 (もっと読む)


【課題】種々の用途に適用可能なエレクトロニクス用洗浄液の提供。
【解決手段】下記一般式(s−1)で表される化合物(s−1)を含むエレクトロニクス用洗浄液と、これを用いたパターン形成方法。
[化1]


[式中、R21〜R23はそれぞれ独立に水素原子、または直鎖状もしくは分岐状のアルキル基であって、R21〜R23のうち少なくとも2つはアルキル基であり、該アルキル基は、シクロヘキサン環における当該アルキル基が結合した炭素原子以外の炭素原子と結合して環を形成していてもよい。] (もっと読む)


【課題】不純物拡散後の保護膜の剥離が容易であり、より高い保護効果を有するSiO系の膜形成組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の膜形成組成物は、シリコンウエハへの不純物拡散を行う際に、この不純物拡散を部分的に防止するための保護膜を構成する膜形成組成物であって、高分子ケイ素化合物と、前記不純物拡散の拡散源となる元素と共有結合して価電子が8個となる保護元素を含む化合物とを含有する膜形成組成物である。保護元素は、拡散源としてリンを用いた場合、ガリウム又はアルミニウムが好ましく、ホウ素を用いた場合は、タンタル、ニオブ、ヒ素又はアンチモンであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】基板上に形成されたパターンをマスクとしてエッチングを行うパターン形成方法において、パターン表面に、低温で、耐エッチング性が高い金属酸化物膜を、パターン表面に選択的に形成するために好適に用いられる下層膜形成用材料、積層体およびパターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板と、加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物(W)が溶剤(S)に溶解してなる膜形成用材料を用いて形成される金属酸化物膜との間に下層膜を形成するための下層膜形成用材料であって、多環式の炭化水素環を有し、該炭化水素環の環上の少なくとも1つの炭素原子が主鎖を構成する構成単位(a)を有し、前記金属化合物(W)と反応する官能基を有さず、かつ前記溶剤(S)に溶解可能な樹脂(A1)を含有することを特徴とする下層膜形成用材料。 (もっと読む)


【課題】顔料分散型組成物が付着した基材・装置等を洗浄するための、少量で高い洗浄効果を発揮する洗浄剤を提供する。
【解決手段】界面活性剤と、有機溶剤とを含み、Hansen 溶解性パラメータの水素結合成分 δH の範囲が 4〜10 であることを特徴とする、顔料分散型組成物を洗浄し除去するための洗浄剤組成物。 (もっと読む)


【課題】pH=7未満の純水液又は、沸点が100℃以上200℃以下の水溶性有機溶剤の少なくともどちらか一方で現像が可能であり、かつ、塗布性が高く、良好なパターン形状を保つことが可能であるパターン形成材料を提供する。また、金属を化学吸着させる性能が高く、かつ、良好なパターン形状を保つことが可能である金属パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】金属パターン形成材料のマトリックスポリマーとして、アクリル酸とイタコン酸の共重合体を含有した。 (もっと読む)


【課題】優れた液浸媒体耐性およびリソグラフィー特性を両立できる液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ溶解性が変化する樹脂成分(A)および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含む液浸露光用レジスト組成物であって、前記樹脂成分(A)が、フッ素原子を含有する樹脂(A1)と、アクリル酸から誘導される構成単位(a’)を有し、かつフッ素原子を含有しない樹脂(A2)とを含有し、前記樹脂成分(A)中の前記樹脂(A1)の含有量が0.1〜50質量%の範囲内であることを特徴とする液浸露光用レジスト組成物。 (もっと読む)


【課題】基板の周辺部、縁辺部および裏面部のいずれかに付着したホトレジスト膜の不要部を短時間で洗浄除去でき、洗浄除去後のホトレジスト膜の必要部の断面形状が垂直であり、除去されてはならないホトレジスト膜の必要部にホトリソグラフィ用洗浄液が浸透しせず、洗浄除去後に残渣物が残らず、洗浄除去後の乾燥性が良好であるホトリソグラフィ用洗浄液。および該洗浄液を用いた基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】(a)ラクトン系有機溶剤を10〜60質量%、および(b)アルコキシベンゼン、芳香族アルコール、アルキレングリコール、およびアルキレングリコールアルキルエーテルの中から選ばれる少なくとも1種の水溶性有機溶剤を40〜90質量%を含有してなるホトリソグラフィ用洗浄液、および該洗浄液を用いた基板の洗浄方法。 (もっと読む)


【課題】優れたエッチング選択性を有し、かつ、短波長に対する反射防止能が良好なレジスト下層膜用組成物、及びこれを用いたレジスト下層膜及び基板のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記の一般式(1a),(1b),(1c)で示される構造単位を有する共重合体を含有するレジスト下層膜用組成物であって、


[式中、Rは架橋性を有する1価の有機基であり、Rは光吸収性を有する1価の有機基であり、Rは炭素数1から3の低級アルキル基である。]
前記共重合体における一般式(1a)で示される構造単位の含有量は10モル%から75モル%であり、一般式(1b)で示される構造単位の含有量は5モル%から20モル%であり、一般式(1c)で示される構造単位の含有量は5モル%から70モル%であるレジスト下層膜用組成物とした。 (もっと読む)


【課題】i線仕様、KrF仕様、ArF仕様等の多種多様のホトレジストに対して幅広く適用可能で、優れた洗浄性を示す洗浄液であって、かつ、使用済みの該洗浄液を高収率で回収・再生してリサイクル洗浄液として循環使用することができるホトリソグラフィ用洗浄液、およびその循環使用方法を提供する。
【解決手段】(a)酢酸またはプロピオン酸の低級アルキルエステルの中から選ばれる少なくとも1種と、(b)炭素数5〜7の環状若しくは非環状ケトンの中から選ばれる少なくとも1種とを、(a)/(b)=4/6〜7/3(質量比)の割合で含有し、かつ、(c)ホトレジストに用いられる有機溶剤を0.01質量%以上1質量%未満の割合で含有するホトリソグラフィ用洗浄液、およびその循環使用方法。 (もっと読む)


1,051 - 1,060 / 1,407