説明

DOWAホールディングス株式会社により出願された特許

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【課題】ヘガネス法により海綿鉄や鉄粉を製造するにあたり,上下方向の品質差がない還元鉄を得ることができる還元鉄原料の充填方法を提供する。
【解決手段】内筒36と外筒41を用いて酸化鉄aと還元剤bを耐熱容器1内に自重で落下させ,その後,内筒36と外筒41を耐熱容器1内から上方に引き抜く充填方法であって,内筒36と外筒41を耐熱容器1内から引き抜くに際し,内筒36と外筒41を耐熱容器1内から半分以上引き抜いた後において,内筒36と外筒41を耐熱容器1内に向けて押し下げる操作を行う。 (もっと読む)


【課題】半導体基板をはんだ接合により搭載するための銅または銅合金製の放熱板において、Pbフリーはんだ使用時のCu拡散に起因したボイドの形成や、はんだ濡れ性不良が安定して防止でき、パワーモジュールケースとの接合性の良いものを提供する。
【解決手段】半導体基板7をはんだ接合2により搭載するための銅または銅合金製の放熱板1において、半導体基板を搭載する面(基板搭載面)およびその反対側の面(裏面)にNiめっきが施されており、基板搭載面あるいはさらに裏面において、端面近傍と板面中央部を含めた5点のNiめっき厚さの変動幅が2.0μm以下である放熱板。特にNiめっきが施されていない端面を有するものが好適な対象となる。 (もっと読む)


【課題】砒素、セレン、鉄の不純物元素を含有する金属アンチモン原料からこれらの不純物元素含有量の低い金属アンチモンを効率的に得る。
【解決手段】砒素、セレン、鉄の少なくとも一種の元素を含有する金属アンチモンを原料として該各元素を除去する金属アンチモンの精製方法において、該原料に炭酸ナトリウムと水酸化ナトリウムの少なくとも一種と硝酸ナトリウムを添加して加熱溶融し、好ましくはさらに硝酸ナトリウムを添加する。さらに好ましくは、溶融体表層部のフラックスドロスを除去した溶融アンチモンを固化し溶融処理アンチモンを得る工程、該溶融処理アンチモン表面に付着した固化フラックスドロスを除去し表面処理アンチモンを得る工程、該表面処理アンチモンを王水溶液でエッチングする工程を行なう。 (もっと読む)


【課題】透明度が高く、ヘイズの値が小さく、抵抗値が小さい透明導電膜を成膜することの出来るITO塗料に用いるITO粒子、当該ITO粒子を含むITO塗料、並びに当該ITO粒子を含む透明導電膜を提供する。
【解決手段】スズを含有するインジウム水酸化物を、有機溶媒中で、240℃以上350℃以下の温度で加熱処理し、本発明に係るITO粒子を生成させる。そして当該ITO粒子を溶媒に分散させて、本発明に係るITO塗料を得、当該ITO塗料を所定の基板上に塗布することで透明導電膜を得る。 (もっと読む)


【課題】優れた磁気特性を有しながら感光体を傷つけることの少ない電子写真現像剤に用いられるキャリア粉および当該キャリア粉を含む電子写真現像剤を提供することを目的とする。
【解決手段】真円度が0.8以上、1.0以下、且つ、粒子を球状と仮定した場合の比表面積CS値が0.17m/cc以上、0.185m/cc以下、且つ、表面粗さ係数が2.0以上、2.5以下である電子写真現像剤用キャリア粉を調製することで、現像スリーブ上に形成される磁気ブラシの硬化を抑制した。 (もっと読む)


【課題】コネクタ、リレー、スイッチ、ソケット、リードフレーム等の電気・電子部品に適する強度、導電性、曲げ加工性、はんだ濡れ性を具備し、製造性が良好で、かつ曲げ加工性のバラツキが少ない、信頼性およびコストメリットの高い銅合金材料を提供する。
【解決手段】質量%で、質量%で、Ni:0.4〜4.5%、Si:0.15〜0.9%、Zn:5〜15%を含有し、さらに必要に応じてSn:2.0%以下、あるいはさらにFe:1.0%以下、Mg:0.5%以下、P:0.2%以下、Co:4.0%以下、Cr:4.0%以下、B:0.1%以下の1種以上を含有し、かつH:0.0003%以下、S:0.002%以下であり、残部が実質的にCuである組成を有し、径が3μm以上のボイドおよび径が3μm以上のNi−Si系析出物の合計存在密度が20個/mm2未満である断面組織を有する銅合金。 (もっと読む)


【課題】導電性が高く、大気中であっても導電性の経時変化が少ないITO粒子とすること。
【解決手段】水溶性のSn塩と水溶性のIn塩とを所定の比率で水に溶解し、中和剤を添加してITO前駆水酸化物を得、このITO前駆水酸化物を不活性ガスもしくは還元性ガス雰囲気下、250℃以上1000℃以下で焼成してITO粒子を得た後、200℃以下の温度で、酸素濃度3.0vol%以下の酸素雰囲気下で処理して、ITO粉体を製造するものである。 (もっと読む)


【課題】産業廃棄物焼却炉の排ガス冷却設備において,冷却用水の噴霧によって冷却された冷却済み排ガスをより高精度で安定して設定温度に制御することを目的とする。
【解決手段】急冷減温塔2の出口部13に,冷却済み排ガスPBの温度測定のために,応答速度の異なった低感度熱電対式温度計4と高感度熱電対式温度計5が設けられている。低感度熱電対式温度計4は相対的に応答速度が遅く,高感度熱電対式温度計5は相対的に応答速度が速い。この両方の冷却済み排ガスPBの温度測定値がPID制御部6へ出力され,所定の演算がなされることにより,噴霧量制御弁7の開度が調整され,冷却用水噴霧ノズル3からの噴霧量が制御される。その結果,急冷減温塔2からの冷却済みガス22の温度が実際に近い温度に補正される。 (もっと読む)


【課題】系外(亜鉛製錬工程など)へインジウムを極力排出することのなく自工程でのインジウム実収率が高く且つ低コストのインジウム回収方法を提供する。
【解決手段】In、Cu、Cd等を含有する原料を浸出して酸浸出液を得る工程と、この液にS0を添加してCuの一部を硫化銅としたスラリーを得る1段目工程と、このスラリーに硫化剤を添加してCuの残部を硫化物として脱銅液と銅残渣を得る2段目工程と、脱銅液に硫化剤を添加して硫化物を得る硫化工程と、硫化物に酸溶液中でSO2ガスを吹き込みSO2浸出液とS0含有残渣を得るSO2浸出工程と、S0含有残渣をS0として1段目工程に繰り返す工程を有し、好ましくはさらに、SO2浸出液に亜鉛末を添加してスポンジを析出させる工程と、スポンジを浸出する工程と、浸出液に硫化剤を添加してCdを硫化物とし精製In溶液を得る工程と、精製In溶液を電解採取し高純度Inを得る工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】噴霧用コロや取付板等の摩耗を抑制しながら,造粒される微粒子の粒径の均一化を実現できる噴霧盤及び噴霧乾燥装置を提供する。
【解決手段】回転することにより原液を回転中心軸Po側から周縁部外側に噴霧させる噴霧盤42において,回転中心軸Poの周囲に,複数の噴霧用コロ73を備えた。回転中心軸Po及び噴霧用コロ73の中心軸Prは,上下方向に向け,噴霧用コロ73は,下縁部から上方に向かうに従い外径が小さくなるように形成された絞り部101を有するとした。さらに,隣り合う噴霧用コロ73の下縁部同士を密着させた。 (もっと読む)


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