【課題】 分割端面の平滑性に優れ歩留まりの優れた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板上に窒化物半導体が形成された半導体ウエハーを窒化物半導体素子に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、前記窒化物半導体の一部を除去して、前記半導体ウエハーの厚みが部分的に薄い分離部を形成する工程と、前記分離部内にレーザーを照射して、前記基板の内部にブレイク・ラインを形成する工程と、前記ブレイク・ラインに沿って前記半導体ウエハーを分離する工程と、を有する窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 従来の発光装置は、構成が複雑であり、簡単な構成で十分な配光特性と防水機能を両立させることが難しいという問題があった。
【解決手段】 一実施形態に係る発光装置は、ベース部材と、ベース部材の上に配置された基板と、基板の上に第１方向に順に配置された第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子と、第１発光素子、第２発光素子及び第３発光素子の上に配置された透光部材と、を有する。発光面側から見て、基板の上には、第１発光素子と第２発光素子との間に配置され第１方向と垂直をなす第２方向における一方の側で配線と接続可能な第１配線接続部と、第２発光素子と第３発光素子との間に配置され当該一方の側で配線と接続可能な第２配線接続部と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】
本発明では、共振器面の劣化を抑制し、素子の寿命特性を向上させることを目的とする。
【解決手段】
導波路領域の端部に共振器面を有する窒化物半導体層と、前記共振器面に略垂直な窒化物半導体層の上面に、共振器面側の端部が共振器面から離間して設けられた絶縁膜とを有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記共振器面から窒化物半導体層の上面及び絶縁膜の表面にかけて形成された第１膜を有し、該第１膜は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）で、前記絶縁膜と異なる材料で形成され、窒化物半導体層と接触する第１領域と絶縁膜と接触する第２領域とを有する窒化物半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を実装する際に用いられる接合部材が、密着層に拡散されるのを軽減することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体素子は、半導体層と、前記半導体層上に設けられ、第１上面と、前記第１上面よりも突出する第２上面と、を有する電極と、前記電極の第１上面に設けられ、上面が前記電極の第２上面よりも前記半導体層側にある密着層と、密着層の上面から半導体層まで被覆する絶縁層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光の利用効率が高く、広範な照射面においても均斉度の高い照度分布を得ることが可能な照明装置を提供する。
【解決手段】本発明の照明装置(100)は、支持体(20)上に設けられたＬＥＤ(10)と、前記支持体(20)上に設けられ、前記ＬＥＤ(10)の後方から該ＬＥＤ(10)の直上を覆うように延在する反射鏡部(35)を有する光反射体(30)と、を備え、前記反射鏡部(35)は、前記ＬＥＤ(10)の後方から該ＬＥＤ(10)の直上に向かって並べられた複数の小片鏡(36)からなり、前記小片鏡(36)は、前記ＬＥＤ(10)の直上に接近して配置されるものほど、面積が大きく、焦点距離が長く、より前記支持体側に傾いた反射面(37)を有し、前記各小片鏡(36)の反射面(37)は、前記支持体(20)の上面に略平行な断面において湾曲していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤを実装する実装基板側の設計によってＬＥＤの発光強度分布を均一化し、ＬＥＤの発熱による諸特性（出力、Ｖｆ、ＷＰＥ等）の低下を抑制する。
【解決手段】支持基板と、外部電源と電気接続するための外部接続端子と、支持基板上に実装される半導体発光素子の第１導電型側電極及び第２導電型側電極の各々と接合するための第１導電型側ランド電極及び第２導電型側ランド電極と、を備えた半導体発光素子用実装基板において、第１導電型側ランド電極を複数設け、複数の第１導電型側ランド電極の各々に接続される第１導電型側電極から外部接続端子までの電流経路のうち、少なくとも１つ電流経路に他の電流経路にない付加的な抵抗を挿入する。 （もっと読む）

【課題】 オリビン型リチウム遷移金属複合酸化物からなり、良好な充放電特性を有する正極活物質を提供する。
【解決手段】 本発明にかかるオリビン型リチウム遷移金属複合酸化物は、組成がＬｉ_ｘ（Ｆｅ_１−ｙＭ１_ｙ）_１−ｚＭ２_ｚＰＯ_４（式中ｘ、ｙ、ｚは、０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜１、０＜ｚ＜０．３であり、Ｍ１は、Ｍｎ、ＣｏおよびＮｉからなる群より選択された少なくとも１種の金属元素であり、Ｍ２は、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、ＣｏおよびＮｉからなる群より選択された少なくとも１種の金属元素である。）であるオリビン型リチウム遷移金属複合酸化物において、上記オリビン型リチウム遷移金属複合酸化物の結晶子径が８０ｎｍ以下であり、平均二次粒子径が２μｍ以上６μｍ以下であり、上記金属元素Ｍ２が酸化物、リン酸化物または水酸化物を原料として上記組成に含まれること特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光反射材の位置ずれの可否判定を高精度で瞬時に行い得る発光装置およびその検査方法を提供する。
【解決手段】発光素子２と、発光素子２の実装領域３の周囲に形成された金属層４を有した基板５と、金属層４としての正極側配線層４Ａ、負極側配線層４Ｂを覆い発光素子２からの光を反射する光反射材６と、を備えた発光装置１であって、正極側配線層４Ａ、負極側配線層４Ｂの内周縁に突設部１５を設けた。光反射材６が正常な範囲に形成されたときには全ての突設部１５は光反射材６に覆われ、光反射材６が正常な範囲からずれて形成されたときには少なくとも１つの突設部１５が光反射材６から露出する。 （もっと読む）

【課題】ガルバニック腐食に起因するパッド電極の剥離を低減することができ、かつ外部接続部材を接合する際のパッド電極の剥離をより低減することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体層（ｎ型窒化物半導体層）２と、半導体層２上に設けられたパッド電極７と、を備える半導体素子（窒化物半導体素子）１０であって、パッド電極７は、半導体層２側から順に、Ｗ層、金属層、Ａｕ層が少なくとも積層されており、金属層は、Ｗよりも大きく、かつＡｕよりも小さい標準電極電位を有する金属から構成されており、金属層の膜厚は、５０ｎｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高輝度及び良好な集光性を実現することができる光半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基体１１と、基体１１上に離間して配置された複数の接合部材と、前記接合部材上に載置された複数の光半導体素子１２とを備える光半導体装置１０であって、少なくとも１つの接合部材において、光半導体素子１２の一端側の高さｈ_１と、該一端と対向する他方端側の高さｈ_２とで異なり、かつ少なくとも２つの光半導体素子１２から発光される光の光軸の方向が互いに異なる光半導体装置。 （もっと読む）