【課題】色むらと発光出力の両方を同時に改善可能な新たな発光装置を提供すること。
【解決手段】 上面が開口した凹部を有する収納器と、凹部の内側に配置され、半導体から成る発光層を備えた発光素子と、凹部の内側において、発光素子と凹部の上面との間に配置され、発光素子の発光の一部を吸収して異なる波長の光を発光する波長変換部材と、を備え、発光素子の発光と波長変換部材の発光とを混合して凹部の上面から出射する発光装置であって、凹部は、その側面の少なくとも一部に発光素子の発光と波長変換部材の発光とを散乱可能な散乱面を有し、発光素子と波長変換部材とは、凹部の側面から離間しており、発光素子の側面が、波長変換部材から露出しており、波長変換部材が、少なくとも、発光素子から離間して、発光素子から凹部の上面へ向かう経路の途中に配置された。 （もっと読む）

【課題】色むらと光取り出し効率の両方を同時に改善可能な新たな発光装置を提供する。
【解決手段】収納器の底面上に、透光性の支持部材３２を介して、第１の波長変換部材２４と、発光素子２０と、第２の波長変換部材２６とが、順次凹部１６ａの開口に向かって、凹部１６ａの側面から離間するように形成され、第１の波長変換部材２４は、無機材料から成る無機バインダーと蛍光体とが複合された板状部材であり、凹部１６ａの側面には、少なくとも第１の波長変換部材２４の側面から第１の波長変換部材２４の主面に対して平行に出射した光が照射される部分に散乱面１８が形成される。 （もっと読む）

【課題】導電性酸化物を用いた半導体レーザ素子において、電気特性を改善することにより、電力効率を向上させ、信頼性の高い半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、前記基板上に、第１導電型半導体層１２と、活性層１４と、第２導電型半導体層１６とが順に積層された半導体層と、前記第２導電型半導体層の上面に形成されたストライプ状のリッジ１８と、前記リッジの上面に形成された導電性酸化物層２０と、前記リッジの側面に形成された、前記半導体層よりも屈折率が低い誘電体層２４と、前記導電性酸化物層及び前記誘電体層を覆うように形成された金属層２２とを備え、前記導電性酸化物層の表面は前記誘電体層から露出し、かつその側面は、前記リッジの上面に対する法線方向から傾斜しており、前記導電性酸化物層の側面の傾斜角度は、前記リッジ側面の、前記法線方向からの傾斜角度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】より光の取り出し効率を向上させるとともに、高寿命を実現することができる発光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子１１、発光素子１１が載置された素子載置部１２ａと素子載置部１２ａの周囲に配置された平坦部１２ｄとを有する金属部材１２、及び発光素子１１と金属部材１２の一部とを封止する透光性の封止部材１４を備え、封止部材１４は、発光素子１１と金属部材１２とを封止する本体部１４ｃと、本体部１４ｃ上に配置された凸部１４ａと、本体部１４ｃの周囲に配置された鍔部１４ｂとを有し、鍔部１４ｂは、発光素子１１から出射される光の照射範囲外に配置され、金属部材１２の平坦部１２ｄは、少なくとも前記鍔部１４ｂ内で、発光装置１０の底面側に屈曲している発光装置。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は原料コストが安く、電池抵抗が低減され、高温保存特性が向上した非水電解質二次電池用正極活物質及び非水電解質二次電池を提供することである。
【解決手段】スピネル構造のマンガン酸リチウムからなる非水電解質二次電池用正極活物質において、前記マンガン酸リチウムはリチウムホウ素複合酸化物及びリチウムタングステン複合酸化物を有することを特徴とする非水電解質二次電池用正極活物質、及びそれを用いた非水電解質二次電池。 （もっと読む）

【課題】比較的小さい膜厚で結晶性の良いIII族窒化物半導体の結晶を成長させることができるIII族窒化物半導体の成長方法を提供する。
【解決手段】本発明のIII族窒化物半導体の成長方法は、基板(10)上に、III族窒化物半導体の結晶核(40)を島状に形成する第１の工程と、窒素源ガスを供給しながら珪素源ガスとIII族源ガスを交互に供給することにより、前記結晶核(40)を島状に成長させる第２の工程と、該第２の工程後、窒素源ガスとIII族源ガスを供給し、前記島状の結晶核(40)からIII族窒化物半導体を各々成長させ、層状のIII族窒化物半導体(45)を形成する第３の工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】貫通ピットの無い窒化ガリウム系半導体基板を安価に得ることができる窒化ガリウム系半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体基板の製造方法であって、気相成長装置内に、表面にピット２５を生じた窒化ガリウム系半導体層２０を有する基板を準備する第１の工程と、前記気相成長装置内で、前記窒化ガリウム系半導体層２０上に、非晶質又は多結晶のIII族窒化物のピット埋込層３０を形成して前記ピット２５を埋める第２の工程と、前記ピット埋込層３０を研磨により除去して前記窒化ガリウム系半導体層２０の表面を露出させる第３の工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 着磁による磁極のズレを防ぎ、簡単に作製できる着磁コイルを提供する。
【解決手段】 本発明は、軸方向にＮ極とＳ極が交互に多極磁化された円柱状ボンド磁石を着磁するための着磁コイルにおいて、上記着磁コイルは、周縁部から中心部にかけて切り欠き部を有する複数の金属板と、絶縁性の板材とが、着磁すべき円柱状ボンド磁石の磁極距離により決定される幅に合うように交互に重ねられた積層体からなり、上記金属板の切り欠き部の上端が、それぞれ上記絶縁性の板材を介して隣り合う別の金属板の切り欠き部の上端に電気的に接続されており、上記金属板および絶縁性の板材は、それぞれの中心部に、上記円柱状ボンド磁石が挿入できる大きさの貫通孔を有し、その貫通孔の一部が上記切り欠き部に接続されている着磁コイルである。上記金属板は、上記貫通孔の内壁面が上記円柱状ボンド磁石の側面と接することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】表示コントラストの低下を大幅に軽減することができる発光装置を得る。
【解決手段】 発光装置は、凹部を有するパッケージ本体１と、凹部の底面に実装された半導体発光素子３と、凹部内に充填された透光性の封止樹脂４と、を備える。封止樹脂４は、凹部からパッケージ本体の上面１ａにかけて形成されており、パッケージ本体の上面１ａに、封止樹脂４を介して、暗色系の層５が形成された。 （もっと読む）

【課題】 半導体レーザからのレーザ光を効率よく合成集光させて高出力のレーザ光を出射可能な光源装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の光源装置は、レーザ光の出射部を複数有する光源部と、光源部からの光が入射される入射部と、その光が導波される光導波部と、外部に出射させる出射部とを有する光学素子と、光学素子の出射部から出射される光を集光させる集光部材と、を有する光源装置であって、光導波部は、光導波部の光軸と垂直な断面形状が円形、楕円形、円又は楕円に近い多角形のいずれかであり、光導波部の内面は、入射部側から出射部側に向けて徐々に広がる傾斜面を有することを特徴とする。 （もっと読む）