説明

日亜化学工業株式会社により出願された特許

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【課題】熱分布の均一化と、回路のスリム化を図る。
【課題手段】整流回路2と接続される少なくとも一のLED素子を有する第一LED部11と、第一LED部11と接続される少なくとも一のLED素子を有する第二LED部12と、第二LED部12と接続される少なくとも一のLED素子を有する第三LED部13と、第二LED部12と並列に接続され、第一LED部11への通電量を制御するための第一手段21と、第三LED部13と並列に接続され、第一LED部11及び第二LED部12への通電量を制御するための第二手段22と、第一手段21による第一LED部11への通電制限量を制御するための第一電流制御手段31と、第二手段22による第一LED部11及び第二LED部12への通電制限量を制御するための第二電流制御手段32とを備え、第一電流制御手段31と第二電流制御手段32とが、直列に接続される。 (もっと読む)


【課題】組成式TiO(1.4≦x≦1.8)で表されるチタン酸化物と同等の性能を持ち、安価で、取り扱い時に微粉が発生しないチタン酸化物系の焼結蒸着材料を提供する。
【解決手段】前記蒸着材料は、組成式TiO(1.4≦x≦1.8)で表されるチタン酸化物からなる主成分と、ガーネット構造をとる化合物と、を含む焼結体とする。あるいは、組成式TiO(1.4≦x≦1.8)で表されるチタン酸化物からなる主成分と、酸化イットリウムと、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム及び酸化イッテルビウムから選択される少なくとも一種と、を含む焼結体とする。前記ガーネット構造をとる化合物は、希土類アルミニウムガーネットが好ましい。前記酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム及び酸化イッテルビウムから選択される少なくとも一種は、酸化アルミニウムであることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】順電圧(Vf)が低減された半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、半導体層と、前記半導体層上に設けられた電極と、を有する半導体素子であって、前記電極は、最表面に第1金属層、前記第1金属層よりも前記半導体層側に第2金属層が少なくとも積層されて構成されており、前記第2金属層は、前記第1金属層に含まれる金属材料よりも電気導電率の高い金属材料であるCuが含まれていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】その表面に導電パターンが形成された基材と、その基材を部分的に被覆する樹脂との密着性の低下を抑制可能であり、且つ、電気抵抗を低減可能な新たな発光装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光装置10は、絶縁性の基材1上に、一対の導電パターン2a、2bと、該一対の導電パターン2a、2bに電気的に接続された発光素子3と、該発光素子の周囲に設けられ、前記一対の導電パターン2a、2bの一部を被覆する樹脂5と、を備え、前記一対の導電パターン2a、2bは、それぞれ、前記樹脂5に被覆された樹脂被覆部から前記基材1の外縁に向かって延出されており、前記一対の導電パターン2a、2bの少なくとも前記樹脂被覆部に、前記導電パターン2a、2bの延出方向に沿って長い形状であって前記基材1の表面が露出された貫通孔6a、6bを有する。 (もっと読む)


【課題】照射領域の形状にかかわらず輝度の面内均一性を向上させたCOB構造の面状発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置10は、基板1と、基板1上の実装領域11に配列された複数の発光素子4,4,…と、基板1上の実装領域11の周囲に形成された一対のリード電極であるインナーリード部と、基板1上にインナーリード部を被覆して形成された枠体6と、枠体6の内側に充填されて前記複数の発光素子4,4,…を封止して当該複数の発光素子4,4,…が発光した光を透過させる封止部材7と、を備え、それぞれの発光素子4の一対の電極がインナーリード部に電気的に接続され、前記複数の発光素子4,4,…が発光した光を上方へ照射するように枠体6の内壁面を反射面とする。そして発光装置10は、枠体6が、実装領域11の周縁部11eに配置された発光素子4のそれぞれの一部を埋設して形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】信頼性の向上した発光装置を安価に製造可能な製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 発光装置10の製造方法は、発光素子3が載置された基材1上に、前記発光素子3を囲む枠状の第1の光反射性樹脂5aを形成する第1の光反射性樹脂形成工程と、前記第1の光反射性樹脂5aと前記発光素子3との間に、前記第1の光反射性樹脂5aより粘度の低い第2の光反射性樹脂5bを充填し、前記第2の光反射性樹脂5bによって前記発光素子3の側面を被覆する第2の光反射性樹脂充填工程と、を有し、前記第2の光反射性樹脂充填工程の後、さらに、前記第1の光反射性樹脂5aと前記第2の光反射性樹脂5bとを硬化する樹脂硬化工程を備える。 (もっと読む)


【課題】推力の方向に直交する磁場を形成可能な円柱状ボンド磁石の構造を提供する。
【解決手段】長手方向に沿ってN極とS極が交互に1組以上出現するように形成された円柱状ボンド磁石と、その円柱状ボンド磁石を囲むように、長手方向に沿って内周にN極とS極が交互に1組以上出現するように形成された円筒状ボンド磁石を配置する。その円柱状ボンド磁石の磁極と円筒状ボンド磁石の内周の磁極とは、推力の方向である円柱状ボンド磁石の軸に直交する方向に位置し、互いに異極となるように組合せることにより、推力の方向に直交する磁場を形成する。表面磁束密度プロファイルバランスの平滑化は、円柱状ボンド磁石と円筒状ボンド磁石の表面磁束密度プロファイル間の長短の組合せによる。 (もっと読む)


【課題】透光性樹脂内におけるボンディングワイヤの断線を防止することができる発光装置を提供する。
【解決手段】リード電極が設けられた配線基板と、その配線基板上に設けられたベース基材と、そのベース基材の上面に設けられた半導体発光素子と、半導体発光素子の電極とリード電極間を接続する導電性ワイヤと、半導体発光素子及び導電性ワイヤとをベース基材上で封止する透光性樹脂とを有してなる発光装置において、ベース基材は、リード電極上に設けられた貫通孔を有し、貫通孔はベース基材の上面に直交する軸から等距離にある円周面を有してなり、導電性ワイヤは軸に一致するように配置されかつ貫通孔に透光性樹脂が充填されている。 (もっと読む)


【課題】
本願では、位置ずれやビームの傾きのない所望のレーザ光を取り出すことのできる半導体レーザ装置と、効率よくレンズを実装することのできる半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
基板と、基板上に設けられた半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を出射方向と異なる方向に反射するミラーと、該ミラーで反射されたレーザ光を制御するレンズとを備える半導体レーザ装置において、前記ミラーは前記基板上に設けられ、前記レンズは前記ミラー上に設けられる半導体レーザ装置。 (もっと読む)


【課題】歩留まり良く、正確に切断する窒化物系化合物半導体チップの製造方法を提供する。
【解決手段】GaN基板上に窒化物系化合物半導体が積層されたウエハーをチップ状に分離する方法であって、前記GaN基板を厚み100μm以上210μm以下になるように研磨する工程と、前記ウエハーの窒化物系化合物半導体が積層された側に、前記ウエハーに対してカッターの中心軸の角度が60°より大きく75°より小さく、カッター押し込み深さが前記GaN基板の厚みの5%以下でカッターにより割り溝を形成する工程と、前記ウエハーを、窒化物系化合物半導体が積層された側から、またはGaN基板側から、前記割り溝の位置に沿って、ブレード押し込み深さが前記GaN基板の厚みの25%以上60%以下でブレードにより荷重衝撃を与えて割断する工程と、を具備することを特徴とする。 (もっと読む)


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