【課題】磁気抵抗素子を用いることでＳｉ系ＭＭＩＣにもＧａＡｓ系ＭＭＩＣにも対応可能な周波数変換素子を提供する。
【解決手段】本素子は、磁化自由層、中間層、および磁化固定層を備えた磁気抵抗素子からなる周波数変換素子と前記周波数変換素子に磁場を印加するための磁場印加機構と前記周波数変換素子に局部発振信号を印加するための局部発振器と前記周波数変換素子と電気的に接続され、かつ外部入力信号を入力するための入力端子とを備えている。 （もっと読む）

【課題】電子放出素子を備えたマルチ電子源において、低抵抗の素子を検出し、修復する工程を、正確に且つ簡易に行う。
【解決手段】検出用電圧を印加し、素子のリーク電流を測定し、該リーク電流値にもとづいて素子の抵抗値を算出し、規定の抵抗値以下の素子について、修復用電圧を印加して素子の高抵抗化を図る工程を、素子毎に点順次で行う。 （もっと読む）

【課題】パレット保持の信頼性及び動作の信頼性を確保し、生産性を向上する。
【解決手段】基板支持装置が、基板１２を搭載するパレット８と、パレットを鉛直姿勢した状態で、パレットの径方向両端部を保持するパレット両端保持機構１５と、パレットの中心部を回転可能に保持するパレット中央保持機構１３と、装置本体を移動する移動機構１１と、を備え、パレット両端保持機構は、パレットの径方向両端部を板厚方向の両側から把持する機構で、移動中はパレット両端保持機構がパレットを保持し、パレット両端保持機構からパレット中央保持機構への受け渡し時は、双方の保持機構によってパレットが保持され、基板処理時はパレット中央保持機構によってパレットの中心部を回転可能に保持し、パレット両端保持機構による保持は解除される。 （もっと読む）

【課題】ターゲットが磁性体で厚かったり、ターゲットとして強磁性体を用いる場合であっても、ターゲットの表面に放電に必要な磁気トンネルを形成させるために十分な大きさの漏洩磁場を発生させることが可能なマグネトロンスパッタカソード、マグネトロンスパッタ装置及び磁性デバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタカソードは、ターゲット１０のスパッタ面１０ａに設けられた第２環状溝１４と、ターゲット１０の非スパッタ面１０ｂに設けられた第３環状凸部２３と、非スパッタ面１０ｂの、第３環状凸部２３の外側に設けられた第４環状溝２４と、非スパッタ面１０ｂの、第４環状溝２４の外側に設けられた第４環状凸部２５とを有するターゲットを備える。また、上記マグネトロンスパッタカソードは、非スパッタ面１０ｂ側に、第１磁石５、及び第１磁石５と極性の異なる第２磁石６を備える。 （もっと読む）

【課題】緩衝効果を更に向上させて、柔らかい基板を用いた場合でも基板の損傷や破損を防止することが可能な基板支持装置を提供する。
【解決手段】基板に設けられたセンター孔に基板保持部を挿入し、前記基板保持部で前記基板を鉛直姿勢で支持する基板支持装置は、前記基板保持部に連結された第１の連結板と、前記第１の連結板に対向して配置され、前記基板を基板ホルダーに搬送する搬送ロボットに連結された第２の連結板と、前記第１の連結板と第２の連結板とを接続する少なくとも３つの線状の支持部材と、前記第１の連結板と第２の連結板との間に配置された弾性を有する緩衝部材と備える。 （もっと読む）

【課題】 多数の基板を搭載できる大型のトレイを用いた場合にも、温度調整によるトレイの反りを低減して、トレイや基板の位置ズレを防ぐことができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】 基板を保持可能なトレイを真空容器内の所定位置に保持可能なチャックは、上下動可能なフレーム部と、フレーム部からトレイ側に向かって張り出したトレイを支持可能なアーム部と、を有して構成され、アーム部にはトレイと当接する支持部と支持部のフレーム部側に形成されたザグリ部を備えることで、トレイの反りを軽減することができる。 （もっと読む）

【課題】 二重回転シャッタ機構を有するスパッタリング装置でクロスコンタミネーションの防止を図ることができるスパッタリング装置及び二重回転シャッタユニット並びにスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 二重回転シャッタ機構を構成する２枚のシャッタ板，のうち、ターゲット側に配設された第１のシャッタ板に形成された第１の開口部の周囲かつ第２のシャッタ板との間に円筒状の第２の防着シールドを取り付け、スパッタリングカソードと第１のシャッタ板との間には、ターゲットの前面領域の周囲を囲むように円筒状の第１の防着シールドが配設されることで、スパッタ物質が第１のシャッタ板と第２のシャッタ板の間、及び、第１のシャッタ板とスパッタリングカソードの間の隙間を通ることができなくなり、クロスコンタミネーションの発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板を真空中で均一且つ急速に加熱すること、または、加熱した基板全体を速やかに冷却すること。
【解決手段】 基板熱処理装置は、輻射率の高いカーボン又はカーボン被覆材料で構成した基板ステージを備えた基板ホルダユニットを昇降可能に真空チャンバ内に設け、真空チャンバ内の基板ホルダユニットの上方に、基板ステージと対向する放熱面を備えた加熱ユニットを設け、基板ステージを放熱面に接近させて、基板ステージ上に載置された基板と非接触状態で、放熱面からの輻射熱で基板を加熱できるようにすると共に、基板ホルダユニットに輻射版、金属炭化物、金属窒化物、ニッケル合金のいずれかで構成される反射板を備える。 （もっと読む）

【課題】 均一な成膜が得られるようにしたプラズマスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 本発明はターゲットプレートの半径線に渡り均一のスパッタ速度を作り出すためにターゲットプレートの近傍で半径方向に均一なイオンとラジカルの密度を提供することを企図している。この処理装置は、上部電極１２と下部電極１３を含む反応容器１１と、上部電極に固定されたターゲットプレート１４とから構成される。基板１５は下部電極の上に搭載される。さらに上部電極に接続されかつＨＦまたはＶＨＦの領域で動作する高周波電源１６と、上部電極と下部電極の間で二次的プラズマがその内側表面の前で生成されるようにしたプラズマシールドリング２０とを備える。初期プラズマと二次的プラズマの合成プラズマに基づいてターゲットプレートの下側に半径方向に均一なイオン密度とラジカル密度が作り出され得る。 （もっと読む）

【課題】連続稼動中において、プラズマガンに投入するパワーを経時的に上昇させることなく、均一な膜厚で成膜することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１３と、真空チャンバの内部に備えられた成膜材料２２にプラズマを放出するプラズマガン９と、プラズマガンに放電ガスを供給する放電ガス供給部とを有する成膜装置は、放電ガスの流量を変更することができるマスフローコントローラ２５と、マスフローコントローラに接続された、マスフローコントローラによる流量の変更を予め決められた設定に基づいて制御する制御回路２６と、を有する。 （もっと読む）