【課題】極性が異なる複数の磁石を有する磁石機構の個々の高さを容易に調整可能とし、薄膜形成における膜厚不均一性を改善することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空排気可能な処理室１００、処理室内に配置された第１の電極（高周波電極）１０を具備する。また、第１の電極１０上に配置され、隣り合う磁石間で極性を逆にして配置された複数の磁石１４、第１の電極１０と対向して設けられた第２の電極（基板載置電極）２０を具備する。そして、それぞれ磁石１４と第１の電極１０との距離を調整する距離調整機構を設け、個別に複数の磁石１４の第１の電極１０に対する距離を調整可能とする。 （もっと読む）

【課題】高誘電率を有する誘電体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】薄いシリコン酸化膜を形成したＳｉ基板上に、ＨｆＮ／Ｈｆ積層膜を形成し、アニール処理によりＨｆ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎの混合物からなる金属酸窒化物とする誘電体膜の製造する。（１）ＥＯＴの低減が可能であり、（２）リーク電流がＪｇ＝１．０Ｅ−１Ａ／ｃｍ^２以下に低減され、（３）固定電荷の発生によるヒステリシスが抑制され、（４）７００℃以上の熱処理を行ってもＥＯＴの増加が無く耐熱性に優れる。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチング処理中に精度よくエッチング速度を算出可能であると共に、処理の正常・異常の判定が可能で、処理の歩留まりを向上させる。
【解決手段】ドライエッチング方法が、複数のサンプル被処理体のエッチング処理量と処理時間との関係からエッチング速度を算出する手順と、算出したエッチング速度とプラズマの発光強度とを関数で表す発光依存性グラフ２２を作成する手順と、発光依存性グラフ２２に、ドライエッチング処理中の被処理体６の発光強度をプロットしてエッチング速度を求める手順と、を有する。 （もっと読む）

【課題】量産時、ＴＭＲ素子を用いたＭＲＡＭの完成品間で、ＭＲＡＭのメモリー特性にバラツキあり、不良品発生頻度が高かった。このバラツキは、量産時のＴＭＲ素子のＭＲ比がウエハー製品間で一定値に維持されず、変動していたことが原因していたので、バラツキを抑制する製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】低周波成分カットフィルターにより低周波成分をカットした高周波電力印加の下で、酸化マグネシウムを有するターゲットをスパッタリングすることによって酸化マグネシウムの薄膜結晶膜１２２を成膜し、そして磁性金属（好ましくは強磁性体）のターゲットをスパッタリングすることによって磁性金属薄膜１２３を成膜する工程及び該工程を実行する制御プログラムを備えた成膜スパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】 基板表面で均一・高濃度のイオンフラックスを形成し、またターゲットへの再堆積を生じる事のない、スパッタ成膜用の容量結合型プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 容量結合型の機構を備えた上部電極１、上部電極に取り付けられた非磁性物質で作られたターゲット部材２、ターゲット部材の上部表面の上に配列された複数のマグネットで、そのうち２つの間に等しい距離を持ちかつ交互に替わる磁極極性持つ複数のマグネット６、上部電極に平行に配置された下部電極３、下部電極の上に搭載されたウェハ１７、１０〜３００ＭＨｚの範囲の周波数で動作し、整合回路１５を介して上部電極に接続された高周波電源１６、を備えるプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】磁性膜又は反磁性膜をエッチングする際に発生するパーティクルの混入を抑制し、高性能なTMR素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】炭化水素類、アルコール類、エーテル類、アルデヒド類、カルボン酸類、エステル類及びジオン類からなるガス化化合物群から選択された少なくとも一種のガス化化合物を０．５×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上、好ましくは２×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上の分子流速の条件下において形成したプラズマ雰囲気下で、磁性膜又は反磁性膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 異常が発生した位置を特定し、短時間で異常の発生原因への対応を可能にすること。
【解決手段】 装置内で発生した異常の発生を表示装置に表示して報知することが可能な電子部品製造装置は、装置内で発生した異常を検出し、異常の発生を報知するアラーム情報を出力し、アラーム情報に基づいて、異常が発生した位置を特定するための識別情報を取得し、識別情報により関連付けられている、異常が発生した位置を含む全体画像と位置の詳細を示す詳細画像とを表示装置の一つの画面に同時または連続的に表示する。 （もっと読む）

【課題】エッチング損傷を減少させるべくドライエッチングを用いて磁気素子を製造する。
【解決手段】磁気素子の製造方法と装置を提供する。素子の磁性及び／又は非磁性層はＴａのような非有機材マスクを用いＮ_２のような不活性ガスと水素ガスの混合ガスによりエッチングされる。結果として、研究例ではＭＴＪテーパ角はほぼ垂直である。 （もっと読む）

【課題】磁性体層又は反磁性体層をエッチングする際のパーティクルの混入を抑制し、高性能なTMR素子を提供する。
【解決手段】炭化水素類ガス、アルコール類ガス、エーテル類ガス、アルデヒド類ガス、カルボン酸類ガス、エステル類ガス及びジオン類ガスからなる化合物ガス群から選択された少なくとも一種の化合物ガス、及び酸素ガスを有する混合ガス中の全炭素原子数Ｃｎと全酸素原子数ＯｎとがＯｎ／Ｃｎ＞１の関係を満たし、該混合ガスを用いて形成したプラズマ雰囲気下で、磁性体層又は反磁性体層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】電界放出型電子放出素子の製造において、短絡による素子の欠陥を検出し、欠陥のない素子へ影響を及ぼすことなく、該短絡を修復し、歩留まりを向上する。
【解決手段】放出電流−電圧特性に閾値を有する電子放出素子において、該閾値よりも低い第１の電位差を素子に印加して該素子に流れる電流値を測定し、該電流値によって該素子における短絡の有無を判断し、短絡を有する素子に対してのみ、前記第１の電位差よりも大きい第２の電位差を印加する工程を、第２の電位差を徐々に増加させながら、短絡が修復されるまで繰り返す。 （もっと読む）