【課題】 従来の金属−チタン酸化物の焼結体ターゲットを用いたＲＦスパッタリングよりも、高速、且つ、安定して金属とチタン酸化物の混合膜を形成する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 真空チャンバ内に、金属ターゲットをスパッタリングするための第１の成膜領域と、チタン酸化物をスパッタリングするための第２の成膜領域とを設け、各領域において、金属とチタン酸化物とをスパッタリングして金属とチタン酸化物の混合膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜装置内において異常放電が発生することなく、安定した成膜を行うことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置において、ヒータ１５とヒータベース３との間に、ヒータ１５の周縁部に沿うように環状の中心軸を有する隙間閉塞用コイル６０が介装されており、ヒータ１５およびヒータベース３が昇降可能に構成され、チャンバ２とヒータ１５およびヒータベース３とを同電位に保持するための可撓性および導電性を有するプレート部材３０が、チャンバ２とヒータベース３およびヒータ１５との間に接合され、プレート部材３０は、プレート部材３０と平行に配置された環状の中心軸を有するプレート付勢用コイル６０により、ヒータベース３およびヒータ１５に付勢されている。 （もっと読む）

【課題】ルテニウム膜の低抵抗化を図り信頼性を向上させた半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置に関するものである。
【解決手段】ＲｕチャンバＦ１は、基板Ｓを還元性ガス雰囲気の下で加熱するとともに、その還元性ガス雰囲気にビス（２−メトキシ−６−メチル−３，５−ヘプタンジオナト）（１，５−ヘキサジエン）ルテニウム錯体を含む原料を供給して基板Ｓにルテニウム膜を形成する。そして、熱処理チャンバＦ２は、ＲｕチャンバＦ１から搬送される基板Ｓをさらに加熱する。 （もっと読む）

【課題】反応室内の圧力が比較的高圧の場合でもプラズマ分布の調整を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ処理装置２０は、反応室２１ａを形成する真空槽２１と、この真空槽２１の上部を閉塞する天板２８と、反応室２１ａの周囲に配置され第１の高周波電源ＲＦ１に接続された第１のプラズマ源（高周波コイル）２３と、反応室２１ａに磁場ゼロの環状磁気中性線２５を形成する磁場形成手段（磁気コイル群）２４とを備え、天板２８には、第２の高周波電源ＲＦ２に接続されたプラズマ分布調整用の第２のプラズマ源（ＲＦアンテナ）３４が設置されている。これにより、反応室２１ａの圧力が比較的高圧の場合においても、第２のプラズマ源３４によってプラズマ分布を調整することが可能となるとともに、基板３０に対するプラズマ処理の面内均一化を図れるようになる。 （もっと読む）

【課題】 光学薄膜を成膜する際の真空排気に時間をかけることなく、基材から生じるガスを抑え、高品位な光学薄膜を成膜できる方法を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー内において、基材上に金属薄膜を成膜する工程と、前記金属薄膜を酸化源により酸化する工程とを繰り返し、酸化された前記金属薄膜を積層することにより光学薄膜を成膜する方法であって、前記基材は樹脂から形成されたものとし、前記金属薄膜を成膜する工程の前に、前記基材の融点以下の温度で前記基材をプラズマ又は高周波により加熱する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】膜厚分布が均一で、成膜速度が速い成膜装置を提供する。
【解決手段】接地電位の真空槽１１の底壁上に、真空槽１１から絶縁された走行軌道２１を敷設し、その上に基板保持パネル２２を立設させる。基板保持パネル２２の上部に接続部材２３を取り付け、基板保持パネル２２の両面に第一、第二の成膜対象物１４ａ、１４ｂを配置し、基板保持パネル２２を走行させながら接続部材２３を介して基板保持パネル２２に交流電圧を印加し、基板保持パネル２２の両側に位置するシャワーヘッド１６ａ、１６ｂから噴出される原料ガスをプラズマ化し、薄膜を形成する。基板保持パネル２２側に交流電圧を印加するので、プラズマは第一、第二の成膜対象物１４ａ、１４ｂ表面近傍に形成され、成膜速度が速い。印加する交流電圧を低周波にすると、電極間距離を広げることができるので、走行レールのガタツキによる電極間距離変動による影響が低下する。 （もっと読む）

【課題】フッ素系ガス、フッ素プラズマ、フッ素ラジカルや酸素ガス、プラズマ、ラジカルなどの腐食性ガスや反応性ガスに対する耐食蝕性に優れ、かつ、十分な機械的強度を有する複合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の複合体は、基体と、該基体上に形成されたアルミニウム薄膜と、該アルミニウム薄膜上に形成されたバリア型陽極酸化被膜とを備えてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化型メモリ素子の抵抗変化の安定性と抵抗変化比を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１を酸化物チャンバＦ３に搬入し、チタンを主成分とする第一ターゲットを酸素雰囲気の下でスパッタさせてチタン酸化物からなる酸化物層を形成し、酸化物層を有する基板１１を照射チャンバＦ４に搬入し、酸化物層の表面にさらに酸素ラジカルを照射して可変抵抗体を形成した。 （もっと読む）

【課題】粒径が小さく、分散成長したＣＮＦやＧＮＦを有する電子放出源及びその作製方法の提供。
【解決手段】トリガ電極３３と触媒金属で少なくとも先端部が構成されたカソード電極３２とが、絶縁碍子３４を挟んで隣接して配置され、カソード電極３２とトリガ電極３３との周りに同軸状にアノード電極３１が配置されている同軸型真空アーク蒸着源３を備えている同軸型真空アーク蒸着装置２を用い、トリガ電極３３とアノード電極３１との間にトリガ放電をパルス的に発生させて、カソード電極３２とアノード電極３１との間にアーク放電を断続的に誘起させることにより基板上に形成された触媒金属からなる触媒粒子を用いて成長させたＣＮＦ又はＧＮＦを有する電子放出源。 （もっと読む）

【課題】粉体全面に均一に金属微粒子を担持せしめるための同軸型真空アーク蒸着装置を用いた粉体攪拌機構、金属微粒子担持粉体の作製方法及び燃料電池用触媒を提供する。
【解決手段】粉体用容器１の上方近傍に設けられた突き当て部材３と、突き当て部材に容器を突き当てるために容器を揺動させるための揺動機構とを有する粉体攪拌機構及びこの攪拌機構と同軸型真空アーク蒸着源２とを備えた同軸型真空アーク蒸着装置を用いて金属微粒子担持粉体を作製する。この金属微粒子担持粉体からなる燃料電池用触媒を提案する。 （もっと読む）