【課題】 二次電子増倍素子の測定系を再校正することなく正確な測定を維持できる方法を提供すること及び二次電子増倍素子の測定精度の変化に伴う再校正のために運転が停止されることがない真空処理装置を提供すること。
【解決手段】 真空中に設置した二次電子増倍素子４の設置初期に軟Ｘ線の強度を測定した初期強度値Ａと、該素子の測定使用中に測定した該軟Ｘ線の強度値Ｂとの比Ａ／Ｂを、該素子で測定される荷電粒子等の粒子の測定強度値に補正係数として乗ずる。 （もっと読む）

【課題】磁界形成手段を最適場所に配置し、液滴を混入させずに成膜する。
【解決手段】本発明の真空蒸着装置１は、磁界形成手段４０と、第一、第二の同軸型真空アーク蒸着源１１、１２とを有している。磁界形成手段４０は、Ｎ極平面４３とＳ極平面４４の間に、第一、第二の同軸型真空アーク蒸着源１１、１２の放出口３６が位置するように、第一、第二の同軸型真空アーク蒸着源１１、１２に近づけられているので、真空槽１０内部の他の部材と設置場所が競合せず、成膜に最適な磁界が形成されるように設置することができる。 （もっと読む）

【課題】死点脱出が可能な離間二軸（フロッグレッグタイプ）の基板搬送装置を提供する。
【解決手段】離間二軸（フロッグレッグタイプ）の基板搬送装置１０では、回動軸１，２に設けられた第１アーム１１，１２の長さと、第１アームと基板支持体の間に設けられた第２アーム２１，２２の長さが異なる場合があるが、本発明の基板搬送装置１０では、死点脱出機構１５の回転力の伝達は、死点位置では解除されるため、長さが異なる場合であっても動作不能になることはない。 （もっと読む）

【課題】銅積層膜をエッチングする際のアンダーカットを防止するトランジスタの配線膜エッチング技術を提供する。
【解決手段】エッチング液は、硝酸と、塩酸と、燐酸とを含有する水溶液で構成されており、銅酸化物の含有量の異なる膜をエッチングする際の、エッチング速度の差が小さい。従って、銅酸化物を含有する第一の銅薄膜５１と、第一の銅薄膜５１よりも銅酸化物の含有量の少ない第二の銅薄膜５２をエッチングする際に、オーバーエッチングが起こらず、アンダーカットと呼ばれる現象が起こらない。 （もっと読む）

【課題】合金ナノ粒子及び合金薄膜の効率よい作製方法、この方法を実施するための同軸型真空アーク蒸着装置の提供。
【解決手段】少なくとも２つの蒸着源の各トリガ電極と各アノード電極との間にトリガ放電をパルス的に発生させて、異なる金属材料で構成された各カソード電極と各アノード電極との間にアーク放電を発生させる際に、各アーク放電を同時発生させ、各カソード電極の金属材料から生成するナノ粒子を真空チャンバ内へ同時放出せしめ、合金ナノ粒子を作製する。トリガ電極とカソード電極とが、絶縁碍子を挟んで同軸状に隣接して固定され、カソード電極の周りに同軸状にアノード電極が離間して配置されている蒸着源を少なくとも２つ備え、蒸着金属が基板に対して斜入射できるように蒸着源を配置してなり、各トリガ電源にトリガ放電の発生のタイミングをずらすための遅延ユニットが接続されている。 （もっと読む）

【課題】表面の放熱性が高く、かつ表面からガスの放出が少ない真空用冷却部材の製造方法、および真空用冷却部材，真空用機器を提供する。
【解決手段】基体１２に対して火花放電を伴うアノード酸化処理、即ちマイクロアーク酸化処理を行い、基体１２の一主面１２ａに酸化被膜１３を形成する。マイクロアーク酸化処理を用いることによって、基材１２に例えばＳｉが含まれたアルミニウム合金を用いた場合に、Ｓｉが晶出状態となっていても、このＳｉによってこの酸化皮膜１３の結晶欠陥が増加するのを抑制可能な、５μｍ以上２０μｍ以下の厚みの緻密な酸化被膜１３を形成することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】基板を容易に出し入れすることができ、また、生産効率を向上することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜材料ガスを導入可能なチャンバ１１と、チャンバ１１内に設けられた、基板１３を配置可能な基板配置電極１４と基板配置電極１４に略平行に対向配置された対向電極２１とからなる一対の放電電極と、を備えた成膜装置１０において、チャンバ１１内に、基板配置電極１４と対向電極２１とが交互に複数配置され、対向電極２１が接地電極として構成されるとともに、基板配置電極１４に対して１００ｋＨｚ以上２ＭＨｚ以下の低周波交流電圧を印加可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】電子移動性に優れたチャネル層をゲート絶縁層に重ねて成膜可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】シャワープレートから原料ガスであるモノシラン（ＳｉＨ_４ ）ガスを真空槽内に導入する。そして、電極板に１００ｋＨｚ以上２ＭＨｚ以下の周波数の交流電圧、例えば８００ｋＨｚの交流電圧を印加する。交流電圧の出力密度が０．０１〜０．１Ｗ／ｃｍ^２の範囲になるようにして、低出力でゲート絶縁膜５２の上にアモルファスシリコンからなるチャネル層５３の下層膜５３ａを成膜する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置に設けられた遮蔽部材に付着した付着物の簡易なクリーニング方法の提供。
【解決手段】 真空チャンバー１１内にプラズマを発生せしめるプラズマ発生手段３、真空チャンバーの底部に設けられた基板ステージ４、及び前記基板ステージに対向して配置され、発生したプラズマに基板が曝されないようにプラズマを遮蔽する遮蔽部材５を備えたプラズマＣＶＤ装置１のクリーニング方法において、酸素含有雰囲気で、プラズマ発生手段によりプラズマを発生せしめて遮蔽部材のクリーニングを行う。 （もっと読む）

【課題】光学特性に優れ、表面抵抗の低い透明導電膜の形成方法及び透明電極の提供。
【解決手段】金属酸化物の微粒子を含む塗布液を基材上に塗布して乾燥し、酸化性雰囲気ガス中で焼成し、得られた塗膜を還元性ガス雰囲気中で焼成し、次いで酸化性ガス雰囲気中で焼成して、透明導電膜を形成する。この透明導電膜から透明電極を得る。 （もっと読む）