説明

株式会社アルバックにより出願された特許

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【課題】センサの数量を増加させることなく、基板の搬送精度を向上させた基板搬送方法、及び基板搬送装置を提供するものである。
【解決手段】各センサが、それぞれ対応する経路RT上にレーザを投光してスポット20Pを形成し、スポット20Pから透過する透過レーザの量を検出する。そして、位置データを参照して、検出値が「第1閾値」になるごとに、第1検出位置RP1に基づく基板中心Saの座標を演算し、その時の基板中心Saに基づいて目標点の座標を補正する。また、検出値が「第2閾値」になるごとに、第2検出位置RP2に基づく基板中心Saの座標を演算し、その時の基板中心Saに基づいて目標点の座標を補正する。 (もっと読む)


【課題】2以上のガスを用いる成膜装置において、均一な膜を形成できるシャワーヘッドを提供する。
【解決手段】 シャワーヘッドは、原料ガス拡散室18及び反応ガス拡散室16を備え、前記原料ガス拡散室と原料ガス導入管とを接続するガス通路は、1段以上の多段に構成され、各段は、2n−1(nは段数)で表されるガス通路17を有し、1段目のガス通路は、前記原料ガス導入管111に接続され、2段目以降の各ガス通路は、前段のガス通路と連通し、最終段の各ガス通路は、原料ガス拡散室に接続されている。 (もっと読む)


【課題】同軸型アーク蒸着源のメンテナンスに要するコストを低減する。
【解決手段】本発明の蒸着源5は、円筒状のアノード電極23と、円柱状のカソード電極12と、円筒状のトリガ電極13と、カソード電極12に接続された蒸着材料11と、蒸着材料11とトリガ電極13との間に配置されたハット状の絶縁碍子14とを有し、ハット状の絶縁碍子14は、円筒状部分と円板状部分からなり、円板状部分の側周部に凹所または凸所がある。このため、蒸着材料11とトリガ電極13との間の耐電圧が低下しないように、沿面距離を確保しつつ絶縁碍子14の高さを低くできるので、交換部品である絶縁碍子14のコストを低減することができる。 (もっと読む)


【課題】突起を有する成膜対象物表面を薄膜で覆う。
【解決手段】吐出ヘッド14では、吐出室24の一室当たり、複数個の吐出孔18が設けられており、吐出室24内に配置された一個の圧電素子26によって、各吐出孔18から一斉に吐出液を吐出させる。複数の吐出孔18が配置された吐出孔領域19は、二列千鳥に配置し、成膜対象物表面に吐出液が高密度に着弾するようにする。成膜対象物の突起上にも吐出液が着弾し、突起表面が吐出液で覆われる。 (もっと読む)


【課題】 ターゲットの利用効率が高いと共に、ターゲットの寿命も長く、その上、所定面積の処理基板に対し、均一な膜厚で所定の薄膜を形成できるマグネトロンスパッタ電極を提供する。
【解決手段】 処理基板Sに対向して設けたターゲットの後方に、このターゲットの前方にトンネル状の磁束を形成すべく、線状に配置した中央磁石とこの中央磁石52の周囲を囲うように設けた周辺磁石53とから構成される磁石組立体5を設ける。そして、中央磁石の延長線上に位置させて中央磁石と周辺磁石との間に、中央磁石及び周辺磁石を含むターゲット側の極性を交互にかえて少なくとも一対の補助磁石54を設ける。 (もっと読む)


【課題】粒径の揃った微粒子膜を形成することができる微粒子膜の製造方法を提供する。
【解決手段】同軸型真空アーク蒸着源13を用いたナノサイズの粒径の微粒子膜を形成するに際して、アノード電極21とカソード電極22(蒸着材料22A)の間の放電電圧を50V以上100V未満に設定する。このように放電電圧を制限し、放電時に発生する電磁力の大きさを制限することで、アノード電極21の開口21Aから放出される荷電粒子中に一定以上の粒径の巨大粒子の混在が回避され、一定以下の微細な荷電粒子のみが放出される。このため、アノード電極21の開口と対向する位置に基板を配置しておけば、荷電粒子が基板Wに到達し、基板表面に緻密で膜質の良い薄膜が形成される。 (もっと読む)


【課題】液剤の滴下量の精度向上を図ることができる液剤滴下装置を提供すること。
【解決手段】シリンジ24を、プランジャ31が水平方向に沿って往復動するように配置するとともに、プランジャ31を水平方向に沿って往復動させることでシリンジ24内への液晶の供給及びノズル70からの液晶の吐出を行うようにした。そして、プランジャ31を、リニアモータ80によって往復動するようにした。 (もっと読む)


【課題】マスク交換後の作業時間を短縮させる。
【解決手段】マスクホルダ上のマスクを撮影し、撮影画像と、候補パターン群に登録されたパターン形状を比較し、登録されたパターン形状毎に一致確率を算出し、一致確率が基準値以上のパターン形状のうち、最大の一致確率のパターン形状を基準パターン形状とし、マスクと基板の位置合わせに用いる。基準値以上の一致確率のパターン形状が無かった場合、撮影画像からアラインメントマークのパターン形状を抽出し、候補パターン群に追加登録する。マスクを交換しても、候補パターン群に一致するパターンが無かった場合だけ、撮影画像からアラインメントマークのパターン形状を抽出すればよいから、マスク交換のための作業時間が短縮する。 (もっと読む)


【課題】凹部を隙間無く充填する。
【解決手段】本発明は基板11の表面の凹部12が形成された面に、金属膜15を形成する成膜工程と、金属膜にエッチングガスのイオンを入射させるエッチング工程とを交互に繰り返す。成膜工程で凹部12に突き出すように形成されるオーバーハング部19はエッチング工程で除去されるので、次の成膜工程の時に凹部12の開口は塞がれておらず、凹部12内部の金属膜15を成長させることができる。 (もっと読む)


【課題】シリコンからなる基板または基板上に形成されたシリコン層に対して、ドーパント元素が拡散されてなる領域を容易に形成する技術を提供する。
【解決手段】真空中において基板配置電極9上に前記シリコン層10を配置するとともに、対向電極4を前記基板配置電極9とほぼ平行に離間して配置し、ドーパント元素を含むガスを前記基板配置電極9と前記対向電極間4において前記シリコン層10に向けて導き、前記基板配置電極9に対して100kHz以上2000kHz以下の低周波交流電圧を印加し、前記基板配置電極9と前記対向電極4の間に生成されるグロー放電によって前記シリコン層10に前記ドーパント元素を導入する工程を有することを特徴とするシリコン層10へのドーパント元素の導入方法を採用する。 (もっと読む)


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