【課題】大径薄肉の被処理基板であっても搬送ロボットと基板ステージとの間で被処理基板を確実に受け渡すことができるようにした基板リフト装置を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｓの下面外周部を支持する支持部材７が基板ステージ１に対し昇降自在に設けられる。支持部材７の上昇端位置では、支持部材７の下に搬送ロボット４のフィンガー部６が通過可能な空間が確保されるようにする。また、フィンガー部６が基板ステージ１の直上位置に存する状態でロボットアーム５に合致する支持部材７の周方向部分に切欠き７ｂが形成される。この切欠き７ｂに合致する被処理基板Ｓの部分を支持するサブ支持部材１０が支持部材７から分離独立して昇降するように設けられる。また、基板ステージ１に、被処理基板Ｓの外周部以外の部分を支持する昇降自在な複数のリフトピン１３が設けられる。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を一台のハンドに乗せて正確な位置に搬送する。
【解決手段】ハンドに設けられた第一、第二の載置部１５ａ，１５ｂと、第一、第二の台座９ａ，９ｂとの間の距離が異なるように高さを違えておき、搬送室内から処理室内に基板１６ａ，１６ｂを第一、第二の台座９ａ，９ｂ上に配置する際に、先ず、距離が近い方の第一の載置部１５ａと第一の台座９ａとを位置合わせし、第一、第二の載置部１５ａ，１５ｂを降下させ、近い方の第一の台座９ａ上に基板１６ａを載置し、第一の載置部１５ａを基板１６ａの裏面から離間させた状態で、他方の第二の載置部１５ｂと第二の台座９ｂを位置合わせし、基板１６ｂを配置する。基板１６ａ，１６ｂを一枚ずつ位置合わせして配置することができる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットを均等にスパッタし、その使用効率を向上することにより、ターゲットの寿命を長くしたマグネトロンスパッタカソードを提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタカソードは、底部ヨーク１と、ターゲット７を表面に取り付けるバッキングプレート６と、底部ヨーク１の中央部に立設された中央部磁石２と、中央部磁石２を周囲を取り囲むように底部ヨーク１に立設された周縁部磁石３と、中央部磁石２と周縁部磁石３との間で、これらの磁石に沿って底部ヨーク１上に立設され、バッキングプレートに平行な面における垂直磁場成分が三度ゼロレベルを通る分布となる磁場を形成する補助磁石４、５とを有している。ゼロレベルを三度通る垂直磁場成分Ｖの領域の幅Ｌ１とバッキングプレート６の中心軸線から周縁部までの距離Ｌ２との比がＬ１：Ｌ２＝１７：７５となるように構成される。 （もっと読む）

【課題】炭素を含むシリコン系酸化物を用いた絶縁膜の形成方法において、クラックの発生を抑制する。
【解決手段】基板２の上に導電層３を形成した後、インクジェット法により、炭素を含むシリコン系酸化物を含むインクを塗布する。次いで、真空中でインクに対して第１の熱処理を行い、インクに含まれる炭素成分を除去する。その後、第２の熱処理を行って隔壁５を形成する。第１の熱処理は、８０℃〜１００℃の温度で行うことができる。また、第２の熱処理は、３００℃〜４００℃の温度で行うことができる。炭素を含むシリコン系酸化物は、アルキルシルセスキオキサン、アルキルシロキサンまたはオルガノポリシロキサンとすることができる。 （もっと読む）

【課題】
封着工程において焼成を必要とせず、かつ水分透過率の少ない表示パネル及びそのの製造法を提供する。
【解決手段】
本発明の表示パネルは、対向する２枚の基板によって構成される基板間周縁部をシール部によって封着し、その内部空間が減圧または不活性ガス雰囲気に維持され、シール部の外側にバリア層を設けたことを特徴としている。また本発明の表示パネルの製造法は、基板問周縁部をシール部によって封着した後に、該シール部の外側をバリア層にて被覆することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】インクのはみ出しを最小限に抑えて形成された配線パターンを備える電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂フィルム３の表面に設けられた凸部５の側面は、凹部４の底に向かって傾斜した形状を有する。凸部５の側面は、水平方向に対して５度以上の傾斜角度θを有することが好ましい。配線は、インクジェット法を用いて金属超微粒子を含むインクを基板１の上に塗布した後、インクを加熱することによって形成される。インクは、基板１に撥液処理を行った後に塗布されることが好ましい。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】防着板がスパッタリングされない成膜装置を提供する。
【解決手段】
ターゲット３２と静電吸着装置３１の間のスパッタリング空間を取り囲む防着板３５の内周側面の面積がターゲット３２の表面積よりも小さい成膜装置１の電源装置４０に、直流電圧源４１を設け、負の直流電圧であるバイアス電圧に高周波交流電圧が重畳されたスパッタ電圧をターゲット３２に印加する。ターゲット３２の電位が負電位になるので、接地電位の防着板３５はスパッタされなくなり、薄膜中の汚染物質が減少する。 （もっと読む）

【課題】基板の選択範囲を広げることのできる導電膜の形成方法と、描画面積が大きくなった場合の生産性の低下を抑制可能な導電膜の形成方法とを提供する。また、これらの方法によって形成された導電膜からなる電極を提供する。
【解決手段】金属超微粒子を含むインクを基板の上に塗布した後、荷電粒子ビームを照射しながら２００℃以下の温度でインクを焼成して導電膜を得る。荷電粒子ビームは電子ビームとすることができる。また、金属超微粒子を含むインクを基板の上に塗布した後、紫外線ランプで紫外線を照射しながら２００℃以下の温度でインクを焼成して導電膜を得る。いずれの場合においても、塗布はインクジェット法によって行われることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ナノサイズの酸化物微粒子からなる膜あるいは層を高精度に形成することができる微粒子膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る微粒子膜の形成方法は、筒状のアノード電極２１と、アノード電極２１内に配置された蒸着材料２２Ａを有するカソード電極２２と、カソード電極２２から離間してアノード電極２１内に配置されたトリガ電極２３とを備えた同軸型真空アーク蒸着源１３を用い、真空槽１０内に、反応性ガス（酸素）を導入した雰囲気下で、蒸着材料２２Ａの微粒子を被着体１５の表面へ蒸着させる。真空アーク蒸着源１３で形成されたナノサイズの微粒子は、酸素と反応して酸化物を形成する。これを被着体１５へ蒸着させることにより、ナノサイズの酸化物微粒子膜を高精度に形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】非エロージョン部の発生を防止する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、磁界形成手段２０を横方向ｄａに往復移動しながら、縦方向ｄｂに往復移動し、ターゲット１５をスパッタリングしている。横方向ｄａの往復移動の速度は、基板７の移動速度の１／１０以下、かつ、１５０ｍｍ／分以上にされ、縦方向ｄｂの往復移動の速度は、基板７がターゲット１５の表面と対向しながら１００ｍｍ移動する間に、０．３往復以上する大きさにされており、このような移動速度では、非エロージョン部の発生が少なく、基板７に形成される薄膜の面内分布も向上する。 （もっと読む）