説明

株式会社アルバックにより出願された特許

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【課題】ナノサイズの酸化物微粒子からなる膜あるいは層を高精度に形成することができる微粒子膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る微粒子膜の形成方法は、筒状のアノード電極21と、アノード電極21内に配置された蒸着材料22Aを有するカソード電極22と、カソード電極22から離間してアノード電極21内に配置されたトリガ電極23とを備えた同軸型真空アーク蒸着源13を用い、真空槽10内に、反応性ガス(酸素)を導入した雰囲気下で、蒸着材料22Aの微粒子を被着体15の表面へ蒸着させる。真空アーク蒸着源13で形成されたナノサイズの微粒子は、酸素と反応して酸化物を形成する。これを被着体15へ蒸着させることにより、ナノサイズの酸化物微粒子膜を高精度に形成することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】非エロージョン部の発生を防止する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、磁界形成手段20を横方向daに往復移動しながら、縦方向dbに往復移動し、ターゲット15をスパッタリングしている。横方向daの往復移動の速度は、基板7の移動速度の1/10以下、かつ、150mm/分以上にされ、縦方向dbの往復移動の速度は、基板7がターゲット15の表面と対向しながら100mm移動する間に、0.3往復以上する大きさにされており、このような移動速度では、非エロージョン部の発生が少なく、基板7に形成される薄膜の面内分布も向上する。 (もっと読む)


【課題】GSTに電流を流すための電極を露光限界以下に微細化する技術の提供。
【解決手段】相変化層と、この相変化層に一端が接触する電極と、この電極の他端に接続するコンタクトプラグと、このコンタクトプラグにソースまたはドレインが電気的に接続された電界効果型トランジスタとを備えた相変化メモリ装置であって、前記電極がジルコニウムボロンナイトライドにより形成されている。 (もっと読む)


【課題】粉粒物の攪拌において攪拌されない粒子が発生しないようにする。
【解決手段】真空槽2と、蒸着源5を有する蒸着装置1内に配置され、
粉粒物7を収納する容器73と、粉粒物7の粒子を攪拌するスクレイパ75と、容器73に対しスクレイパ75を相対的に駆動させる駆動機構72とから成る粒子の攪拌装置3であって、
容器73の少なくとも内壁に粉粒物7と同種の材質をコーティングし、
スクレイパ75の少なくとも容器73の内壁と接する部分に蒸着源5で蒸発される蒸着材料11と同種の材質または粉粒物7と同種の材質をコーティングした粒子の攪拌装置3。容器73のコーティングおよびスクレイパ75のコーティングが削られて発生する屑は、粉粒物7または蒸着材料11と同種の材質であるから不純物とはならない。 (もっと読む)


【課題】工程を複雑化することなくバリア層の内部応力に起因する弊害を防止して、接合部の信頼性を高めることができるはんだバンプの形成方法を提供する。
【解決手段】基板21上の導体層22にレジストパターン23を形成する工程と、レジストパターンをマスクとして基板上にバリア層24を形成する工程と、レジストパターンをマスクとして基板上にはんだ層26を形成する工程と、レジストパターンを基板の上から除去する工程とを備えたはんだバンプの形成方法であって、バリア層24の形成を、不活性ガス雰囲気中における真空蒸着法によって行う。これにより、基板上に形成されるバリア層の密度は低下するため、不活性ガスを導入せずにバリア層を形成する場合に比べてバリア層の内部応力を低減させ、工程数を増加させることなく内部応力に起因するバリア層の剥離やレジストパターンの収縮作用を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】遮光マスクの着脱に要する時間を短縮することができる光照射装置を提供する。
【解決手段】ワークステージ本体40に設けられた押圧部としての可動シール44によって、遮光マスク20における吸着溝21よりも縁側の周縁部20aがマスク保持部材12に押し付けられる。 (もっと読む)


【課題】成膜レートの安定化、面内均一性の向上およびターゲットの長寿命化を図る。
【解決手段】プラズマ形成空間21aを形成する真空槽21と、この真空槽の上部を閉塞する天板29と、プラズマ形成空間にプラズマを発生させる高周波コイル23と、磁気コイル群24と、プラズマ形成空間に設置された基板支持用のステージ26と、プラズマ形成空間へプロセスガスを導入するガス導入部33と、天板に固定されたスパッタリング用のターゲット40とを備え、エッチング処理とスパッタ処理を交互に行って基板の表面に高アスペクト比の孔又は溝を形成するプラズマ処理装置20であって、ターゲット40の外周部をプラズマ形成空間に向かって突出形成することによって、ターゲットの外周部の集中的な摩耗による成膜レートのバラツキ、面内均一性の低下およびターゲットの寿命の低下を抑制する。 (もっと読む)


【課題】結晶性の高い膜を成膜することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】ターゲット22の第1面側に配置された磁気回路30を備え、ターゲット22の第2面側に成膜対象物5を配置して、マグネトロンスパッタ法により成膜を行う成膜装置10において、磁気回路30は、中心磁石31と、中心磁石32の外周を囲むように配置された外周磁石32とを備え、磁気回路30は、成膜対象物5の表面における垂直磁場の絶対値が磁気回路30の幅内で10ガウス以上となる磁場を発生させる。 (もっと読む)


【課題】 反応性スパッタリングにより酸化物膜を形成する際に、次工程においてCVD法による薄膜形成が行われるような場合でも、基板との界面付近の酸素濃度の低下を防止して基板と酸化物膜との密着強度の低下を招くことのない薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 真空雰囲気中のスパッタ室11a内にスパッタガス及び反応ガスを導入しつつ、スパッタ室内で処理すべき基板Sに対向させて配置したターゲット41a乃至41hに電力投入し、プラズマ雰囲気中のイオンでターゲットをスパッタリングし、反応性スパッタリングにより基板表面に所定の薄膜を形成する場合に、薄膜が所定の膜厚に達するまでの間で反応ガス成分の含有濃度が高い領域を形成する。 (もっと読む)


【課題】 熱間で塑性加工を施すことによって結晶粒を特定の方向に配向させた従来の異方性リング磁石では、モータ等の用途に使用するには保磁力が足りない。
【解決手段】 熱間塑性加工を施して磁気的に異方性を付与した鉄−ホウ素−希土類系の磁石Sを処理室20に配置して加熱すると共に、同一または他の処理室に配置したDy、Tbの少なくとも一方を含有する蒸発材料Vを加熱して蒸発させ、この蒸発したDy、Tbの金属原子を、磁石表面への供給量を調節して付着させ、この付着した金属原子を、磁石表面に蒸発材料からなる薄膜が形成される前に磁石の結晶粒界相に拡散させる。 (もっと読む)


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