【課題】必要量の有機材料を正確に加熱して膜厚制御をする。
【解決手段】回転軸３５は中心軸３７と、中心軸３７の周囲に螺旋状に設けられた突条３６とを有しており、突条３６はＳｉ₃Ｎ₄を主成分とするセラミック材料で構成されている。突条３６は機械的に研磨され、平滑になっているから、有機材料３９は堰き止められずに、突条３６間の溝を通過して、タンク３１から蒸発室２１に移動する。回転軸３５の先端はセラミック材料で構成され、誘導加熱されないから、回転軸３５に接触する有機材料３９は蒸発しない。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノ材料自体にダメージを与えることなく電子放出特性を向上させることができるグラファイトナノファイバーの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、グラファイトナノファイバーの成長用触媒を基板上に成膜する触媒成膜工程（Ｐ１）と、原料ガスを供給して当該グラファイトナノファイバーを成長させる成長工程（Ｐ２）と、成長させた当該グラファイトナノファイバーを、水素を含有する処理ガスを用いて加熱処理を行う加熱処理工程（Ｐ３）とを有するグラファイトナノファイバーの製造方法である。成長用触媒としては、鉄、ニッケル、銅、コバルト、クロム、若しくはこれらのいずれか一つ以上の金属を含む合金を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】膜質の良い有機薄膜を成膜可能な装置と成膜方法を提供する。
【解決手段】載置部材２２の載置面２５は水平面から傾斜しており、加熱した載置面２５に蒸着材料３９を載置すると、蒸着材料３９は載置面２５上で広がるから、蒸着材料３９が短時間で蒸発し、蒸発室２１内部に蒸着材料３９の蒸気が発生する。蒸着材料３９は短時間で蒸発するから、蒸発速度が蒸着材料３９が熱分解されない。また、従来に比べて蒸気発生速度の安定するから、有機薄膜の膜厚が均一になる。 （もっと読む）

【課題】蒸着法で緻密かつバリア性に優れたＴｉＮｘ膜を形成する。
【解決手段】本発明においては、アルゴン又はアルゴン及び窒素の混合ガスのプラズマ中で、負のバイアス電位が印加された基板Ｗ上に、蒸発源３にて蒸発させたチタンの蒸発粒子を蒸着させる。蒸発源３において形成されたチタンの蒸発粒子は、アルゴン又はアルゴン及び窒素の混合ガスのプラズマによってイオン化され、負のバイアス電位が印加された基板の表面に蒸着される。これは、イオンプレーティング法に準ずる成膜手法であり、通常の蒸着法に比べて、基板上に形成される膜密度の向上が図られる。このようにして形成されたＴｉＮｘ膜は、Ａｌ膜とＡｕ膜の間の反応を防止するバリア膜として十分なバリア性能を発揮するため、低コンタクト抵抗の電極膜に好適に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】金属、合金、半導体などの材料を電子ビームの照射により溶融することにより、その材料に含まれる不純物元素を除去し、不純物元素の対流攪拌や拡散を抑制し、十分に精製された高純度の材料を得ることができる材料の精製方法を提供する。
【解決手段】減圧下にて、耐熱容器１１に材料１３を連続的に供給し、材料１３に電子ビーム１６，１７を照射して、溶融するとともに不純物元素を蒸発させて精製し、耐熱容器１１から精製済みの材料１３をオーバーフローさせて精製品を得る方法であって、材料１３への電子ビーム１６，１７の照射を制御して、耐熱容器１１の長手方向に沿って未溶融部分を１箇所以上形成し、かつ未溶融部分の幅を超える範囲で、未溶融部分を往復移動させることにより、互いに仕切られた溶融部分間の対流、拡散による均一化を抑制し精錬効果を高めたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ルテニウム含有膜と銅含有膜とを含む銅配線の低抵抗化を図り、その信頼性を向上させた半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示される有機ルテニウム錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるＣＶＤ法によって、凹部が形成された基板の上にＲｕ膜を形成する（ステップＳ１２）。そして、一般式（２）で示される有機銅錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるＣＶＤ法によって、Ｒｕ膜の上にＣｕ膜を形成し、凹部に銅配線を形成する（ステップＳ１４）。 （もっと読む）

【課題】 粉末状担体の全体に金属ナノ粒子を均等に担持させることができる金属蒸着装置および粉末状担体の撹拌方法を提供すること。
【解決手段】 真空チャンバ１１内で容器４１を水平な状態とし内部の粉体状アルミナＡへ施す例えば１００回の真空アーク放電による白金の蒸着と間欠的な次の同様な蒸着との間において、容器４１を揺動軸４５の回りに第１の方向（例えば右方向）へ揺動させ、傾斜する容器４１の底面４２上で粉体状アルミナＡを容器４１の端部の方へ滑落させて撹拌し、容器４１の右側の端部が下方の衝突部材を兼ねる衝突検知センサ４７によって所定の傾斜角度に達したことが検知されると、直ちに揺動の方向を逆にして容器４１を水平にすると同時に、端部の方へ滑落している粉体状アルミナＡを容器４１の中央側へ跳ね戻し粉体状アルミナＡを裏返しにするように撹拌する。 （もっと読む）

【課題】ルテニウム含有膜と銅含有膜とを含む銅配線の低抵抗化を図り、その信頼性を向上させた半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示される有機ルテニウム錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるＣＶＤ法によって、凹部が形成された基板の上にＲｕ膜を形成する（ステップＳ１２）。そして、一般式（２）で示される有機銅錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるＣＶＤ法によって、Ｒｕ膜の上にＣｕ膜を形成し、凹部に銅配線を形成する（ステップＳ１４）。 （もっと読む）

【課題】電極板上で一括処理される複数の基板の面内分布を均一にエッチングできるエッチング装置を提供する。
【解決手段】板状の電極本体２１表面に縦横に伸びる絶縁部材２２を設け、絶縁部材２２間に露出する電極本体２１上に中央部分が位置し、外周の縁部分が絶縁部材２２上に位置するように基板７を配置する。電極本体２１の絶縁部材２２で取り囲まれた部分に磁石２５を埋設しておき、磁石２５の磁力線が、基板７の中央部分を貫通するようにする。基板７上にエッチングガスプラズマを形成し、各基板７をエッチング処理する際に、各基板７の外周部分と中央部分のエッチング速度の差が小さくなる。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の製造工程におけるパーティクルの発生や組成比の変動を抑制させて、半導体装置の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造装置に関するものである。
【解決手段】成膜チャンバ３３は、第１カソード４０ａと第２カソード４０ｂを備え、各カソード４０ａ，４０ｂに、それぞれＺｒを含む第１ターゲット４２ａと、ＢＮを主成分とする第２ターゲット４２ｂを搭載する。そして、成膜チャンバ３３は、各外部電源を駆動して第１ターゲット４２ａと第２ターゲット４２ｂとを同時にスパッタし、第１絶縁層の表面と第１配線の表面、又は、第２絶縁層の表面と第２配線の表面に、ＺｒＢＮを主成分とするメタルキャップ層を成膜させる。 （もっと読む）