【課題】位置精度に優れ、良好に被処理基板に処理を行う処理ステージを提供する。
【解決手段】本発明の処理ステージ１００は、被処理基板が載置される載置面を有する可動子２０と、被処理基板に所定の処理を行う処理装置が設置される処理部５０と、可動子２０と処理部５０との相対位置を変化させる位置制御手段と、載置面とこの載置面よりも高い位置との間において被処理基板を昇降可能な基板昇降機構３０と、を備えている。位置制御手段は、第１方向に延びる第１レール１０と、第１レール１０上において可動子２０を基板昇降機構３０と独立して移動させる第１方向制御手段と、を有している。 （もっと読む）

【課題】微小な付着量を正確に測定できる技術を提供する。
【解決手段】膜厚センサ１０に冷却媒体を流し、水晶振動子３２を０℃よりも低温に冷却して共振周波数を測定する。熱雑音が低減され、Ｓ／Ｎが向上する為蒸気放出量が少ない成膜材料の付着量も正確に測定することができる。メンテナンスの際には冷却媒体が流れた流路に加熱媒体を流し、膜厚センサ１０を昇温させてから真空槽１１の内部に大気を導入する。冷却された部材に結露が生じないので、メンテナンス作業終了後の真空排気時間が短く、また、形成される薄膜の膜質もよい。 （もっと読む）

【課題】
基板温度の上昇時と、基板温度の安定時との両場合で基板の温度均一性を維持することができる基板加熱装置を提供する。
【解決手段】
本発明による基板加熱装置は、板状基材と、板状基材の下面に沿って形成された通電により発熱する帯状抵抗発熱体とを備え、 板状基材の中心部に面する部位の帯状抵抗発熱体における断面Ｓ１が板状基材の周辺部に面する部位の帯状抵抗発熱体における断面Ｓ２より大きいことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの使用効率を向上させる通過成膜型のスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】複数の磁石走行軌道２１，２２の一部を長方形の第一、第二のターゲット１１、１２の真裏位置に配置し、各磁石走行軌道２１，２２に同径のマグネトロン磁石装置３１、３２を取り付けて、各マグネトロン磁石装置３１，３２を、磁石走行軌道２１，２２上を走行させる。各マグネトロン磁石装置３１，３２によって形成されるエロージョン領域が重ならないようにしておくと、ターゲット使用効率が向上する。磁石走行軌道２１，２２は環状に形成し、マグネトロン磁石装置３１，３２が周回移動するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】基板上に微細構造を形成する圧電マイクロデポジションを行う装置を提供する。
【解決手段】基板上に小液滴を放出する複数のノズルを有するヘッド１６と、基板を保持するステージ１２と、ヘッドとステージ上の基板の相対的な位置を変更する位置合わせ手段と、放出された小液滴を飛翔中に撮影し画像を形成するカメラ６８と、小液滴の画像から、滴下量、滴下速度、滴下ノズル位置、滴下偏角、分離液滴の有無の少なくともいずれかを分析する液滴分析手段を有する。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板Ｓに、Ｌｉ等を含有する高揮発性膜を形成する場合に、当該膜へのダメージを防止しつつ、高いスパッタレートが得られ、高い量産性が達成できるスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】 真空雰囲気にて所定のスパッタガスを導入し、高揮発性金属含有のターゲット４に所定の電力を投入してプラズマ雰囲気を形成し、当該ターゲットをスパッタリングすることで、被処理基板表面に高揮発性膜を形成するスパッタリング方法において、ターゲットに負の電位を印加してスパッタリングする間、前記被処理基板Ｓが正の電位となるようにし、被処理基板へのプラズマ中の二次電子の流入を防止または抑制する。 （もっと読む）

【課題】ＣＲＴからＦＰＤまで適用可能であり、緑色の色純度が高くかつ発光輝度の劣化が小さい発光特性を有する電子線励起用ナノ粒子緑色蛍光体を提供する。
【解決手段】ＺｎＡｌ_１２Ｏ_１９及び／又はＺｎＡｌ_２Ｏ_４からなる酸化物に付活剤としてＭｎを添加し、さらに、導電性物質としてＺｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｎｂ、Ｖ、Ｗ、Ｓｍ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｎｄ、Ｌａ及びＴｉの群から選択された少なくとも１種を含む化合物をこの粒子の全体重量の１重量％以上かつ４０重量％以下添加してナノ粒子の緑色蛍光体とした。 （もっと読む）

【課題】アッシングレートの経時変化を抑制することができるアッシング装置を提供すること。
【解決手段】酸素ラジカルの通過経路にあって、基板Ｗから飛散される金属原子が付着し得る面、すなわちチャンバ１１の上部内面１１ａ、シャワー板３１の下面や拡散防止壁３３の内周面３３ａ、底面３３ｂを、基板Ｗにおいて露出した金属と同一の金属が露出される態様で形成した。 （もっと読む）

【課題】基板主面の面方向と鉛直方向とを平行にする回動機構と、同鉛直方向に延びる触媒線を有し、基板主面と触媒線との間の距離の拡大を抑え、かつ、基板の回動領域の拡大を抑えた成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】搬送位置の基板Ｓを、９０°の中心角を有した仮想円弧ＣＡの弦にする。そして、回動軸Ａの高さ位置が仮想円弧ＣＡの中心、すなわち基準軸心Ａ０の高さ位置よりも低く、かつ、回動軸Ａの水平位置が基準軸心Ａ０の水平位置よりも触媒線に近くなるように、第一軸心Ａ１あるいは第二軸心Ａ２を回動軸Ａの軸心として選択する。 （もっと読む）

【課題】真空中で被熱処理物を所定温度に加熱して熱処理する際に、内熱式加熱方式を採用した場合に発生する加熱ヒータの碍子等への煤付着を、酸素プラズマを用いた場合の装置構成の複雑化を招くことなく、低コストで効率よく除去できる真空熱処理炉の再生方法を提供する。
【解決手段】内部に加熱ヒータ８を設けた真空熱処理炉１内で真空雰囲気にて酸素含有の気体を導入するガス導入工程（気体導入管９）と、前記加熱手段を作動させて真空熱処理炉内を所定温度に加熱する加熱工程とを含み、真空熱処理炉内及び当該熱処理炉内に配置した部品（碍子８２）に付着した煤を除去する。 （もっと読む）