【課題】蒸着材料の殆どをアークプラズマ放電に有効に利用することのできる真空アーク蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着材料からなるカソード電極１と、該カソード電極１の外周を包囲する絶縁ガイシ４と、該絶縁ガイシ４の外周に設けられたトリガ電極２と、が一つのユニット体を形成し、該ユニット体がアノード電極６内に収容され、該アノード電極６が真空管８内に収容されたアーク蒸着源１０を具備する真空アーク蒸着装置１００であり、カソード電極１はその内部に溝孔１ａが形成され、その他端１ｃが閉塞された筒状を呈しており、該他端１ｃとホルダ部材５とが締結手段７を介して一体とされた姿勢で絶縁ガイシ４内に収容されており、カソード電極１を構成する蒸着材料の消耗に応じて該カソード電極１を絶縁ガイシ４に対して相対移動させ、カソード電極１を絶縁ガイシ４の端部４ａから突出させる移動調整手段９Ａを具備している。 （もっと読む）

【課題】基板の再酸化によるコンタクト抵抗の増大を抑制でき、更にパーティクルの数量を低減可能にする基板収容容器と、該基板収容容器を用いて再酸化によるコンタクト抵抗の増大を抑制でき、更にパーティクルの数量を低減可能な基板処理方法とを提供する。
【解決手段】ＦＯＵＰ１０は、複数のウェハＳの各々の処理面Ｓａを平行にして各ウェハＳを収容するシェル１１と、シェル１１の前方に設けられた開口を開閉する蓋体１２と、シェル１１の後方に搭載されてシェル１１の内部を目標圧力に減圧するパージ機構１３とを有する。ＦＯＵＰ１０のパージ機構１３は、複数のウェハＳの各々の面方向に沿って、不活性ガスを導入し、シェル１１の内部にある気体を排気する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による成膜時において、電子や酸素イオンが基板に入射することを防ぎ、基板や基板上の膜へのダメージを低減することで、膜特性を向上させることができるスパッタ装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜材料を備えたターゲット２２と、ターゲット２２の表面２２ａと基板Ｗの表面Ｗ１とを略平行に配置しつつ、基板Ｗをターゲット２２に対して相対移動させる搬送手段と、を有し、基板Ｗの表面Ｗ１の長辺方向の長さより、ターゲット２２の表面２２ａの短手方向における長さが短く形成されたスパッタ装置において、ターゲット２２と基板Ｗとの間において、ターゲット２２の短手方向に磁場を印加する永久磁石２６を有し、基板Ｗをターゲット２２の短手方向に沿って搬送させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れたカーボンナノチューブの簡便な作製方法及びカーボンナノチューブを密着性良く成長せしめてなる基板の提供。
【解決手段】カーボンナノチューブ作製用原料ガスとして、分解温度の異なる少なくとも二種類の炭化水素ガスを使用し、基板上にカーボンナノチューブを作製する。かくして作製された、接合箇所を含めた根本部分又は根本部分を含めた全表面がカーボン薄膜で覆われたＣＮＴを成長させてなる基板。 （もっと読む）

【課題】基板上に精確な量の流動材料を堆積するマイクロデポジションシステム及び方法を提供すること。
【解決手段】マイクロデポジションシステム２０及び方法は、基板の上に精密な量の流体材料を堆積させる。マイクロデポジションヘッド５０は、基板上に堆積した際の堆積幅をもつ液滴を発射する間隔を置いて配置された複数のノズルを含む。位置決め装置は基板に対してマイクロデポジションヘッド５０をヘッド速度で動かす。制御装置２２は、分解能を改善するため液滴の幅で割り算したヘッド速度より実質的に高い速度でオーバークロッキング信号を発生する。制御装置２２は、位置決め装置用の位置制御信号を発生する位置決めモジュールを有する。制御装置２２は、基板上の特徴を画定する液滴を形成するようにノズルを作動するためオーバークロッキングの速度に基いてノズル作動コマンドを発生するノズル作動モジュールを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜速度の向上および被膜ダメージの低減を図ることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１２内に配置され、基板１１を載置する基板ホルダ１６と、基板ホルダ１６に対向配置され、成膜材料ガスをチャンバ１２内に導入するシャワープレート３１と、を備え、シャワープレート３１に交流電圧を印加して、チャンバ１２内に導入された成膜材料ガスをプラズマ化し、基板１１に成膜処理を行う成膜装置１０において、シャワープレート３１における基板ホルダ１６側に、複数の金属メッシュ板３０が積層配置されている。 （もっと読む）

【課題】発光効率を高めるため高濃度のキセノンガスを含有する放電ガスを用いた場合であっても、放電電圧の低いプラズマディスプレイパネルを提供する。
【解決手段】本発明は、プラズマディスプレイパネルを構成する前面基板上の誘電体層を保護するためのＰＤＰ用の保護膜であって、キセノンガスに対する二次電子放出係数が０．０５以上で、かつ、放電ガス中のキセノン濃度を１５％以上としたものである。本発明では、保護膜を、酸化マグネシウムと希土類元素の混合材料から構成することもできる。希土類元素を、当該保護膜中に０．７ｍｏｌ％以上１．６ｍｏｌ％以下含有することもできる。希土類元素としては、セレンが好適である。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムのアノード酸化皮膜を緻密化し、ＣＶＤ装置やエッチング装置等の内壁部材に適した耐食性の高い保護膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】アノード酸化皮膜１２に７０℃以上９０℃以下（第一の温度）の温水４６を接触させ、表面に不連続な面を形成してから、第一の温度よりも高い第二の温度の熱水、又は第二の温度の水蒸気を接触させる。熱水又は水蒸気はアノード酸化皮膜１２の表面から内部に入り込むから、アノード酸化皮膜１２の表面部分の空隙は、熱水や水蒸気との接触で形成された水和物によって塞がれる。従って、アノード酸化皮膜１２の表面に、緻密層からなる保護膜を確実に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】常温空気中での取扱いが容易であり、水または食塩水と反応させるだけで多量の水素ガスを発生させることができる水素ガス生成材を提供する。
【解決手段】本発明の水素ガス生成材は、薄片状に形成され、Ｓｎ及びＢｉの少なくとも一方を０．５〜２０重量％の範囲で含有し、残部がアルミニウム及び不回避的な不純物とであるアルミニウム合金からなる。 （もっと読む）

【課題】 処理箱内に、Ｄｙ及びＴｂの少なくとも一方を含む金属蒸発材料と焼結磁石とを収納し、この処理箱を真空チャンバ内に設置した後、真空雰囲気にて当該処理箱を所定温度に加熱して金属蒸発材料を蒸発させて焼結磁石に付着させ、この付着したＤｙ、Ｔｂの金属原子を当該焼結磁石の結晶粒界及び／または結晶粒界相に拡散させて高性能磁石を得る場合に、１個の処理箱内に多数の焼結磁石が作業性よく収納でき、その上、高性能磁石が得られる量産性の高い永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】 処理箱７内に、前記金属蒸発材料ｖと前記焼結磁石Ｓとが相互に接触しないように上下方向で交互に積み重ねて収納する。 （もっと読む）