【課題】触針式段差計を用いて表面形状を測定する際に、表面形状における段差部での応答性の良さと雑音の小ささを両立させることができる測定方法及び装置を提供する。
【解決手段】カットオフ周波数７０Ｈｚの低域通過フィルタを備え、探針を試料に対して予定のｘ方向に一定の速度で掃引する際に変位センサで得られた測定電圧に基づき横軸ｘ方向の距離と縦軸ｚ方向の変位量とから成る応答性の良いデータを出力する検出回路と、ｄｚ／ｄｘ又はｄｚ／ｄｔの値に基づき、段差でのデータを立上り領域データ部分と、平坦部領域データ部分と、立下り領域データ部分とに分け、平坦部領域データ部分をさらに１３Ｈｚ程度のソフトの低域通過フィルタで処理し、そして処理した平坦部領域データ部分を立上り領域データ部分及び立下り領域データ部分とに結合して段差形状データを得るコンピュータ装置とを有して成る。 （もっと読む）

【課題】 処理箱内に、Ｄｙ及びＴｂの少なくとも一方を含む金属蒸発材料と焼結磁石とを収納し、この処理箱を真空チャンバ内に設置した後、真空雰囲気にて当該処理箱を所定温度に加熱して金属蒸発材料を蒸発させて焼結磁石に付着させ、この付着したＤｙ、Ｔｂの金属原子を当該焼結磁石の結晶粒界及び／または結晶粒界相に拡散させて高性能磁石を得る場合に、１個の処理箱内に多数の焼結磁石が作業性よく収納でき、その上、高性能磁石が得られる量産性の高い永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】 処理箱７内に、前記金属蒸発材料ｖと前記焼結磁石Ｓとが相互に接触しないように上下方向で交互に積み重ねて収納する。 （もっと読む）

【課題】触媒線を利用した成膜処理において成膜ガスの供給状態を安定させた成膜装置を提供する。
【解決手段】一対の基板Ｓを立てた状態で保持して各基板Ｓを対向させる第一ステージと、各基板Ｓの間隙（反応空間）に配設された複数の触媒線１５と、反応空間へ成膜ガスを供給するガス供給部２０とを有し、ガス供給部２０が、反応空間の外側に配設されて基板Ｓの面方向に沿って延びる複数の噴射孔Ｎ１と、各噴射孔Ｎ１の開口を囲う遮蔽片２２ａとを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面における反射率のより低減が可能な小型の表面処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の表面処理装置１は、処理ガスＧを導入可能な真空処理槽２と、真空処理槽２内に設けられ、シート基材９ａ上に処理対象物層９ｂが設けられたシート状処理対象物９を搬送する搬送手段１０と、真空処理槽２内に設けられ、高周波電力及び低周波電力が重畳印加可能で面状放電部１７ａを有する処理用電極１７とを有する。真空処理槽２内において、シート基材９ａ上の処理対象物（多結晶シリコン）層９ｂの表面が、処理用電極１７の面状放電部１７ａと対向して搬送されるように構成されている。処理用電極１７に重畳印加される低周波電力の周波数は、２００ｋＨｚ以上２ＭＨｚ以下とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】処理箱７内に、Ｄｙ及びＴｂの少なくとも一方を含む金属蒸発材料Ｖと焼結磁石Ｓとを収納し、この処理箱を真空チャンバ３内に設置した後、真空雰囲気にて当該処理箱を所定温度に加熱して金属蒸発材料を蒸発させて焼結磁石に付着させ、この付着したＤｙ、Ｔｂの金属原子を当該焼結磁石の結晶粒界及び／または結晶粒界相に拡散させて高性能磁石を得る場合に、処理箱内でスペーサー８に焼結磁石を載置して当該焼結磁石を所定温度に加熱しても、スペーサーへの焼結磁石の溶着が防止できるようにする。
【解決手段】前記処理に先立って、液相焼結により得た焼結磁石の表面を酸によりエッチング処理する工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】ダメージの無い真空処理を行なえる技術を提供する。
【解決手段】アンテナ２２が内側容器２４と外側容器２６で覆われたラジカル生成装置２０を真空槽１２の壁面から真空槽１２の内部に突き出させ、内側容器２４と外側容器２６の間のガス導入空間３０に処理ガスを導入し、アンテナ２２に高周波電圧を印加してマイクロ波を放出させると、ガス導入空間３０でプラズマが形成され、処理ガスのラジカルが生成される。外側容器２６には放出孔２８が複数設けられており、ラジカルは放出孔２８から真空槽１２の内部に放出され、基板８の表面に到達すると、基板８が真空処理される。基板８はプラズマに曝されないのでダメージが生じない。 （もっと読む）

【課題】細胞を高精細かつ高密度に接着して配置でき、細胞の機能を高精度に解析できる細胞接着又は培養用基板を提供する。
【解決手段】基材１１上の所定領域が細胞接着層１２で被覆され、該細胞接着層１２被覆領域以外の領域が、光透過性を有する非細胞接着層１３で被覆されており、前記細胞接着層１２の露出面１２１が細胞接着面とされ、前記非細胞接着層１３の露出面１３１が非細胞接着面とされていることを特徴とする細胞接着又は培養用基板１。 （もっと読む）

【課題】誘電体薄膜の組成比を容易に調整でき、その生産性を向上させた薄膜形成方法、薄膜形成装置、及び半導体装置の製造装置を提供するものである。
【解決手段】複合酸化物誘電体を主成分とするターゲット１７をスパッタするとき、基板Ｓの表面をターゲット１７に向けて配置し、接地電位に接続されて基板Ｓの周囲に位置する対向電極１５の電極面１５ａを基板Ｓの法線方向に沿って昇降させる。そして、基板Ｓの法線方向における電極面１５ａの位置を、「目標組成比Ｒｐ」に対応する「目標電極位置」に変位させてターゲット１７をスパッタする。 （もっと読む）

【課題】 バリアメタル膜に本来求められるバリア性を維持しつつ、微細化が進む配線用のホールやトレンチに対し優れたステップカバレッジでバリアメタル膜を形成でき、その上、バリアメタル膜表面にボイドを生じることなくＣｕ膜を形成できると共に、両者間で高い密着性が得られるようにした薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 バリアメタル膜を、ＡＬＤ法によりＴｉＮ膜を形成し、当該ＴｉＮ膜表面に、Ｔｉ、Ｒｕ及びＣｏの中から選択される膜またはこれらのうち少なくとも二種を含む合金膜をＣＶＤ法またはＰＶＤ法により積層して構成する。 （もっと読む）

【課題】触媒線の温度を高い信頼性の下で計測することによって、触媒線を利用した成膜処理の安定性を向上させた成膜装置を提供する。
【解決手段】触媒線１５を加熱することによって触媒線１５に可視光を放射させる電源と、成膜室に形成されて成膜室内からの可視光を外部へ透過する透過窓２２と、成膜室の外部に配置されて透過窓２２を介した光度を検出する光度検出部２０と、予め前記触媒線が所定温度にあるときの光度に関する目標光度データを記憶する記憶部２５Ｂと、光度検出部２０の検出結果と目標光度データとを比較して触媒線１５の温度が所定温度であるか否かを判断する制御部２５と、制御部２５における判断結果を出力する出力部２６とを有する。 （もっと読む）