【課題】微細孔底面下の犠牲層を除去できる低コストの技術を提供する。
【解決手段】反応室６にバッファータンク３５を接続し、固体ＸｅＦ₂が配置されたガス供給装置３１を加熱して発生させたエッチングガスでバッファータンク３５を充填し、反応室６とバッファータンク３５を接続し、エッチングガスを導入し、処理対象物に紫外線を照射しながらエッチングガスと接触させる。プラズマを発生させずにエッチングするので、微細孔底面下の犠牲層をエッチングすることができる。 （もっと読む）

【課題】ターゲット表面が均一にスパッタリングされる磁石装置を提供する。
【解決手段】外側磁石３１をターゲットに対して静止させておき、内側磁石３５を外側磁石３１の内側で移動させる。ターゲット表面の磁界が変化し、ターゲット表面が均一にスパッタされる。特に、内側磁石３５の直径ｄを外側磁石３１の内周半径Ｒよりも小さくし、外側磁石３１の中心軸線３７を中心として回転させると、強くスパッタリングされる領域がターゲットの全表面上を通過する。 （もっと読む）

【課題】基板の配向性に関わらず、磁性層の（００１）面方位への配向性を強くした磁気デバイスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】第１ターゲットＴ１をスパッタする前に、Ａｒを用いたプラズマを基板Ｓの表面に照射し、基板Ｓの表面を洗浄した。そして、基板Ｓと第１ターゲットＴ１との間の距離が第１ターゲットＴ１から放出されるスパッタ粒子の平均自由工程よりも短くなるように成膜圧力を設定して、室温に保持される基板Ｓに、膜厚が５ｎｍ〜２０ｎｍのＭｇＯ層を形成した。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの使用効率を向上させる。
【解決手段】第一、第二のマグネトロン磁石装置２０₁、２０₂、８１、８２のうち、一方又は両方のマグネトロン磁石装置は、中心磁石４５と第一のリング磁石４６に加え、第二のリング磁石４７を有している。中心磁石４５は第一のリング磁石４６のリング内側に位置し、第一のリング磁石４６は第二のリング磁石４７のリング内側に位置する。一つのマグネトロン磁石装置２０₁、２０₂、８１、８２がターゲット表面に形成するエロージョン領域の数が多く、また、第一、第二のマグネトロン磁石装置２０₁、２０₂、８１、８２が形成するエロージョン領域は重なり合わないから、ターゲットの使用効率が高い。 （もっと読む）

【課題】真空槽内における残留ガスや基板からの脱ガスによる過剰エッチングを回避するため脱ガスを最小限にすることが可能な薄膜製造技術を提供する。
【解決手段】本発明方法は、成膜対象物上に設けられた有機層に対して真空中でプラズマ雰囲気に曝すプラズマ（エッチング）処理工程Ｓ３と、この成膜対象物の有機層上に真空中でＳiＯ₂膜層を形成するＳiＯ₂膜形成工程Ｓ４を有する薄膜形成方法である。本発明では、プラズマ暴露工程であるプラズマ処理（エッチング）工程Ｓ３の前に、真空中で成膜対象物上の有機層を加熱する加熱工程Ｓ２を有する。本発明では、加熱工程Ｓ２における雰囲気温度が、プラズマ処理工程Ｓ３及びＳiＯ₂膜形成工程Ｓ４における雰囲気温度より高くする。 （もっと読む）

【課題】基板を垂直に立てた状態で搬送するキャリヤの軽量化を図ることができる基板搬送装置、基板搬送方法及び真空処理装置を提供すること。
【解決手段】基板搬送装置は、矩形状の枠体を有し、水平方向に沿って伸び枠体と平行な回動軸Ｌに回動可能に支持されたフレーム３７と、フレーム３７に配設され基板Ｗを吸着する複数の吸着パッド４６と、フレーム３７を水平状態と垂直状態との間で回動させる駆動部３５とを有する移載機構２２と、移載機構２２を制御する制御装置とを備えた。そして移載機構２２は、水平状態のフレーム３７にて基板Ｗを吸着させ、フレーム３７を回動させて垂直に立った状態のキャリヤ２３に基板Ｗを収容するようにした。 （もっと読む）

【課題】カソード電極を構成する蒸着材料が溶融した際に生じる金属物によってカソード電極とトリガ電極間が短絡し、使用不可に至るという課題を解消し、もってメンテナンスのない状態での使用期間をより長期間とすることのできる、真空アーク蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着材料からなるカソード電極１と、該カソード電極１の外周を包囲する絶縁ガイシ４と、該絶縁ガイシ４の外周に設けられたトリガ電極２と、が一つのユニット体を形成し、該ユニット体が筒状のアノード電極６内に収容され、該アノード電極６が真空管８内に収容されてできるアーク蒸着源１０を具備する真空アーク蒸着装置１００であり、絶縁ガイシ４の端部４’で、カソード電極１との当接箇所に凹部４４を形成することで該端部４’は平坦部４１と凹部４４とから構成され、さらに、端部４’表面には導電性の金属コーティング層４３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】カソード電極を構成する蒸着材料が溶融した際に生じる金属物によってカソード電極とトリガ電極間が短絡し、使用不可に至るという課題を解消し、もってメンテナンスのない状態での使用期間をより長期間とすることのできる、真空アーク蒸着装置を提供する。
【解決手段】蒸着材料からなるカソード電極１と、該カソード電極１の外周を包囲する絶縁ガイシ４と、該絶縁ガイシ４の外周に設けられたトリガ電極２と、が一つのユニット体を形成し、該ユニット体が筒状のアノード電極６内に収容され、該アノード電極６が真空管８内に収容されてできるアーク蒸着源１０を具備する真空アーク蒸着装置１００であり、カソード電極１の一端１’は絶縁ガイシ４の端部４’から突出しており、該突出したカソード電極１の側面１”とトリガ電極２の一端２’との間で沿面放電がなされるものであり、トリガ電極２の一端２’に絶縁部材３が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 サファイアＣ面基板上に成長するＧａＮ系III族窒化物薄膜の極性を（０００１）に制御することにより、従来よりも光学的、電気的特性に優れた薄膜を提供すること。
【解決手段】 サファイアＣ面基板上に、窒素源として窒素プラズマを、またIII族源としてＧａを主成分とする金属を用いて分子線エピタキシーによりＧａＮ系III族窒化物薄膜をエピタキシャル成長させるに際し、金属Ｇａとして、その強度（フラックス）が１×１０¹³コ／ｃｍ²ｓ〜１×１０¹⁵コ／ｃｍ²ｓであるものを用い、該ＧａＮ系III族窒化物薄膜の成長初期に金属Ｉｎを、照射する金属Ｇａの強度より１〜２桁低い強度で、照射することにより、成長する膜の極性を（０００１）に制御する。 （もっと読む）

【課題】マグネトロンスパッタリング法による成膜時において、ノジュールの発生を抑制することができる成膜方法及びスパッタ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ターゲット２２の表面２２ａ側であって、リング状磁石３３ａ，３３ｂと中心磁石３４ａ，３４ｂとの間には、磁気回路３２ａ，３２ｂから発生する磁場のうち垂直成分が０となる磁場ｐがリング状に形成され、各磁気回路３２ａ，３２ｂから発生するリング状の磁場ｐの短手方向における径をＡ、隣接する磁気回路３２ａ，３２ｂから発生する磁場ｐ間のＸ方向における距離をＢ、磁場ｐにより生成されるプラズマのエロージョンエリアをγとすると、磁場印加手段２６の片道移動距離Ｌを、Ｌ＝Ａ＋Ｂ±γ／２に設定することを特徴とする。 （もっと読む）