【課題】カーボンナノチューブを成長させた場合に膜はがれが生じないカーボンナノチューブ成長用基板及びその製造方法を提供し、さらにまた、膜はがれが生じずにカーボンナノチューブを成長させることができるカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ成長用基板は、基板の対象面に、分散された状態で形成された触媒粒子１３と、この触媒粒子１３が形成された領域上に、触媒粒子１３がその側面に露出するように設けられた非触媒層パターンとを備える。このカーボンナノチューブ成長用基板を製造する。また、このカーボンナノチューブ成長用基板でカーボンナノチューブを製造する。 （もっと読む）

【課題】 基板が密着性よく保持され、当該基板との間で迅速な熱交換が行われるようにした真空処理装置用の搬送トレーを提供する。
【解決手段】 処理すべき基板Ｓに対し真空雰囲気にて所定の処理を実施する真空処理装置に搬送自在であって、当該基板の少なくとも１枚を保持できる搬送トレー１において、この搬送トレーの一面に基板の外形に対応した凹部２が形成され、当該凹部の底面２ａに熱伝導性シートが貼着され、当該凹部に落とし込むことで設置される基板の外周縁部を熱伝導性シートに対して押圧する押圧手段４を設けた。 （もっと読む）

【課題】ルテニウム含有膜を含む配線構造の低抵抗化を可能にさせた薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置は、ＲｕチャンバＦ１で形成するＲｕ膜を酸化チャンバＦ２に搬送し、酸化性ガスの雰囲気にＲｕ膜を曝して、Ｒｕ膜に対し酸化処理を施す（ステップＳ１４）。また、薄膜形成装置は、酸化処理の施されたＲｕ膜を還元チャンバＦ３に搬送し、還元性ガスの雰囲気にＲｕ膜を曝して、Ｒｕ膜に対し還元処理を施す（ステップＳ１５）。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを成長させた場合に膜はがれが生じないカーボンナノチューブ成長用基板及びその製造方法を提供し、さらにまた、膜はがれが生じずにカーボンナノチューブを成長させることができるカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ成長用基板１には、基板上に、触媒金属１４とカーボンナノチューブ成長時の成長条件により変化しない基材１５とからなる触媒含有層１６及び触媒金属を含有しない非触媒層１７をこの順で積層した積層構造パターン１３が形成されており、前記積層構造パターンの側面に前記触媒含有層の前記触媒金属が露出している。このカーボンナノチューブ成長基板を二元スパッタリング法により、触媒金属及び基材からなる触媒含有膜を形成して製造する。また、このカーボンナノチューブ成長基板でカーボンナノチューブ１９を製造する。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】ＳｉＣ半導体基板の表面荒れを起こさない熱処理技術を提供する。
【解決手段】
ＳｉＣ半導体基板１０を配置する加熱容器２１の蓋部４１の裏面にＳｉＣを露出させ、ＳｉＣ半導体基板１０の不純物層が形成された表面をＳｉＣと対面させた状態で加熱し、熱処理を行なう。高温のＳｉＣ半導体基板１０の表面からＳｉが脱離しても、対面する蓋部４１のＳｉＣから脱離したＳｉがＳｉＣ半導体基板１０の表面に取り込まれるので、表面あれを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】膜厚むらを低減させることのできるインクの塗布方法およびインクジェット塗布装置を提供する。
【解決手段】ヘッド１内には、インクが充填される液室内の圧力を変化させる圧力発生素子があり、液室には、基板３に向かってインクを吐出するノズル２が設けられている。基板３でインクが塗布される部分のピッチＰ１と、このインクが吐出されるノズル２のピッチとが一致するように、基板３の走査方向とヘッド２の長手方向とのなす角度θが調整される。制御装置４は、ノズル２の稼働率に応じて圧力発生素子の周波数を変化させる。 （もっと読む）

【課題】ノズルから吐出されるインクの量と吐出速度を制御可能なインクの吐出方法およびインクジェット塗布装置を提供する。
【解決手段】ヘッド１内には、インクが充填される液室内の圧力を変化させる圧力発生素子があり、液室には、インクを吐出するノズルが設けられている。ノズルから吐出されたインク滴は、吐出状態観測装置２において、異なるタイミングで２回撮像され、得られた画像からインクの吐出速度が取得される。制御装置６では、ノズルから吐出されるインクの吐出量と吐出速度がそれぞれ独立に制御される。 （もっと読む）

【課題】 装置の大型化を招くことがなく、被処理物の全面に亘って均一に垂直磁場が印加されるようにした簡単な構造のＲＩＥ装置を提供する。
【解決手段】 処理室２内で被処理物の保持を可能とするステージ８と、処理室内でステージに対向配置されたガス導入部３を有するガス導入手段とを備え、真空雰囲気にて処理室内にエッチングガスを導入してプラズマ化すると共に、ステージに高周波電位を印加し、プラズマ中のイオン種やラジカルを前記基板ステージで保持された被処理物Ｓに加速して衝突させ、被処理物をエッチングする反応性イオンエッチング装置であって、ステージで保持された被処理基板に対して垂直磁場を印加する磁場発生手段を設けたものにおいて、磁場発生手段は、処理室内で相互に向かい合う面の極性を変えて対向配置した一対の磁石９ａ、９ｂから構成される。 （もっと読む）

【課題】装置の簡素化及びメンテナンスの容易化を図った上で、パーティクルの発生を防ぐことができるスパッタ装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】キャリア５０には、キャリア５０の外周部分から基板Ｗの外周部分を覆うように防着板７０が着脱可能に設けられ、防着板７０はチャンバ２２内で着脱されるとともに、チャンバ２２内を循環するように構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板を高速処理可能な基板搬送処理装置を提供する。
【解決手段】基板７が載置される載置台４０は、板状本体４１と、板状本体４１の裏面に形成された凹部４５とを有している。載置台４０は、凹部４５が形成される前に比べて軽量になっているから、高速移動させる場合でも、モーターの負担が少なく、ランニングコストが安い。板状本体４１はグラナイトで構成されているから、研磨により載置面４６を平滑にすることができる。載置面４６は、支持軸２５で実際に支持された状態で研磨されるから平面になり、基板７の位置決め精度が高い。 （もっと読む）