【課題】フラックス法によるＧａＮ製造で、ＧａＮ自立基板の窒素面への雑晶の付着と原料の浪費を抑制する。
【解決手段】坩堝２６−１〜４とＧａＮ自立基板の配置方法を４例示す。図１．Ａ：坩堝２６−１の斜め上を向いた平面状の内壁に自立基板１０の窒素面を密着させる。図１．Ｂ：坩堝２６−２の水平方向を向いた平面状の内壁に自立基板１０の窒素面を密着させ治具ＳＴ−２で固定。図１．Ｃ：坩堝２６−３の平らな底部に治具ＳＴ−３を配置し、自立基板１０−１、１０−２を互いの窒素面を密着させて固定。図１．Ｄ：坩堝２６−４の平らな底部に治具ＳＴ−４を配置し、ＧａＮ自立基板１０を固定。自立基板１０は、窒素面が治具ＳＴ−４により覆われる。ガリウムとナトリウムとが溶融した混合フラックスを満たし、加圧窒素下に置いて、ガリウム面Ｆ_GaにＧａＮ単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】取り付け後に外力が加わっても安定した取付状態を維持できる強度の高いサイドバイザーの取付構造を提供する。
【解決手段】サイドバイザー１０は、窓枠上縁に密着される鍔部１４と、該鍔部から膨出して垂下する庇部１２とを備え、位置決めリブ１６とボス１８とを有し、ブラケットは、ボスと係止する長孔を有する係止部２２と、窓枠に係着する連結部２４とを備えてなり、ブラケットにおける前記係止部の幅ｗは位置決めリブの離間距離Ｌよりも小さくされており、ブラケットは、長孔の上端側へボスが挿通され、ボスの先端に抜け止め部材３０が嵌入されて位置決めリブの間に位置するように庇部に係止され、鍔部は両面テープを介して窓枠上縁に接着固定され、ブラケットが位置決めリブに沿って移動されて連結部が窓枠の内縁に係着されることにより、サイドバイザーがブラケットを介して窓枠に固定されている。 （もっと読む）

【課題】燃料タンクの開閉装置１０は、開閉部材２１を回転可能に支持する軸受機構の成形精度を高める必要がなく、安定した姿勢で開閉動作をさせることができる。
【解決手段】燃料タンクの開閉装置は、タンク開口形成部材１１内に配置され、給油ノズルＦＺの先端で押されることで注入口１８Ｐａを開閉する開閉部材２１と、開閉部材２１の端部に設けられた軸体２８と、タンク開口形成部材１１に設けられ軸体２８を回転可能に支持する軸受機構と、を有するフラップバルブ機構２０を備える。軸受機構は、軸体２８が挿入される軸支孔１９ｄと、軸支孔１９ｄの壁面から突設された複数の軸受突部１９ｅとを有し、軸受突部１９ｅは、軸体２８の外周面の一部に接触するように断面円弧状の軸支持面を有する。 （もっと読む）

【課題】自動車の軽量化に貢献して、成形が容易で、コーナー部においてシール性を確保できるドアウエザストリップを提供する。
【解決手段】ドアウエザストリップ１０は、少なくとも上辺部１３と縦辺部１４、１５とコーナー部１２からなる。それぞれ取付基部２０と車外側シール部４０と中空シール部３０から構成される。取付基部２０は、取付基部底部２１と、中空シール部３０を保持する取付基部上壁部２２と、取付基部車外側壁２５ａと、取付基部車内側壁２５ｂと、取付基部延出部２５ｃとによって取付基部中空部２３が形成される。コーナー部１２では車内側シール部３０の中空部３４と取付基部中空部２３が連続して一体に形成され、取付基部中空部２３内の車外側部分に取付基部延出部２５ｃと取付基部底部を連結する補強リブ５０が形成される。取付基部底部の外面には取付基部突条２８が形成される。 （もっと読む）

【課題】燃料遮断弁１０は、部品点数を減らし、スプリングの荷重の設定などが容易な構成とする。
【解決手段】燃料遮断弁１０は、弁室３０Ｓを形成するケーシング２０と、フロート５１と、スプリング７０とを備えている。スプリング７０は、金属製の薄板で形成され、スプリング７０の一端部に設けられケーシング２０に係合する本体側取付部７６と、他端部に設けられフロート５１にスプリング力を伝達するフロート側付勢部７５とを有し、本体側取付部７６とフロート側付勢部７５との距離が変動したときに、スプリング力を生じるように薄板を切り割りすることで構成されている。 （もっと読む）

【課題】保持部材の長さ方向の寸法を大きくしなくても同保持部材をスムーズにスライドさせることのできる飲料容器ホルダを提供する。
【解決手段】ボックス１０の幅方向に相対向する側壁部１１の各上端部１１Ｕに、長さ方向に延びるラック１５を設ける。互いに同期した状態で各ラック１５上を転動する一対のピニオンギヤ３２を、保持部材３０Ａに支持された回転軸３１に一体回転可能に設ける。保持部材３０Ａが、起立状態の飲料容器Ｄから荷重を受けたときには、同飲料容器Ｄから遠ざかる方向への同保持部材３０Ａのスライドを阻止し、保持部材３０Ａが操作されたときには、同保持部材３０Ａのスライドを許容する係止機構ＬＭを設ける。 （もっと読む）

【課題】膨張途中のアウタバッグにおける収納部位の周縁側の部位が収納部位の周縁から浮き上がることを抑制して、アウタバッグを膨張させることができるエアバッグ装置を提供すること。
【解決手段】エアバッグ装置Ｍ１のエアバッグ１０が、エアバッグ１０の外周壁を構成するアウタバッグ１５と、アウタバッグ内に配置されるインナバッグ２０と、を備える。インナバッグ２０は、アウタバッグ１５に膨張用ガスを供給する流出口２７を備えて、先細りの袋状に膨らむ腕部２３を備える。腕部２３は、エアバッグ装置Ｍ１の作動時におけるインナバッグ２０が膨張完了形状を維持している間、アウタバッグ１５における収納部位４５から離脱した周縁離脱部位１６ａをリング部Ｒの上面ＰＲ側に押さえ、かつ、押さえ状態を維持可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】建物における大梁の振動を十分に低減する。
【解決手段】２階の床大梁２０に振動の腹となる部分にダイナミックダンパ３２を設置することで、床大梁２０の振動を効果的に抑制することができる。ダイナミックダンパ３２は振動の腹のピーク位置に優先的に設置し、床小梁２９が振動の腹のピーク位置と重複する場合には、床小梁２９に近接して設置する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ濃度が高く、結晶性のよいｎ型III 族窒化物半導体を製造すること。
【解決手段】サファイア基板１０上に、ＡｌＮからなるバッファ層をＭＯＣＶＤ法によって形成し、さらにバッファ層上にノンドープのＧａＮからなる第１層１１をＭＯＣＶＤ法によって１１４０℃で２μｍ形成した（図１（ａ））。次に、第１層１１上に、ＳｉＯ₂ からなる第２層１２を、プラズマＣＶＤ法によって２００ｎｍ形成した（図１（ｂ））。次に、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）によって第２層１２を除去した（図１（ｃ））。次に、第２層１２が除去された第１層１１上に、ｎ型ドーパントガスを供給せずにＧａＮをＭＯＣＶＤ法によって１１４０℃で５０ｎｍ成長させた。これにより、第１層１１上には、Ｓｉが高濃度にドープされ、結晶性が良好なｎ型ＧａＮからなる第３層１３が形成された（図１（ｄ））。 （もっと読む）

【課題】ゴム弾性の低下、及び圧縮永久歪みの発生を抑制することのできる発泡ゴム成形体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】自動車ドアの周縁に取着される発泡ゴム成形体としてのドアウエザストリップは、ＥＰＤＭを主成分とし、発泡剤としてマイクロカプセルを使用した発泡形態のスポンジゴムにより形成されている。スポンジゴムの内部にはマイクロカプセルの膨張により気泡空間５０が多数形成される。また、各気泡空間５０の内部には、発泡剤として用いられたマイクロカプセルの殻５２が球体形状を維持しないで残存している。殻５２はその全体が気泡空間５０の内面５０ａとは完全に密着せずに、気泡空間５０の剛性を低下させている。 （もっと読む）