【課題】逆回転ドメインの発生位置を正確に固定することができ、従来よりも画質・信頼性が優れた横電界方式の液晶表示装置の提供。
【解決手段】対向して配置される一対の基板と、該基板間に挟持される液晶層と、該基板の一方あるいは両方の対向する側に形成された一対の液晶駆動電極と、を少なくとも有する横電界方式の液晶表示装置において、該一対の液晶駆動電極のうちの少なくとも一方は、少なくとも１本の櫛歯形状部を有しており、該櫛歯形状部の先端部及び／又は基端部の手前において、絶縁膜を介して該櫛歯形状部と重畳する逆回転ドメイン安定化電極が配置され、該逆回転ドメイン安定化電極の一部は、該櫛歯形状部からはみ出した突起部を有し、該櫛歯形状部の先端部及び／又は基端部と該逆回転ドメイン安定化電極の突起部とを一体的にみなした場合の平面形状が、略Ｌ字型の分岐形状をなしている。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基板に含まれている不純物が半導体層に作用するのを防止して、半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】
提供される半導体装置は、絶縁性基板１上に下地絶縁層２を介して半導体層３を形成する半導体装置に係り、下地絶縁層２に不純物として含まれるボロン又はアルミニウムの濃度が、絶縁性基板表面で１×１０^２２原子／ｃｍ^３以下で、かつ、絶縁性基板表面から１００ｎｍ以上離れた領域で１×１０^１９原子／ｃｍ^３以下の条件を満たして、絶縁性基板表面から半導体層３に向かって漸次減少する態様で分布する。 （もっと読む）

【課題】マイクロクリスタルシリコン薄膜と金属薄膜との過剰なシリサイド化反応を抑制して、マイクロクリスタルシリコン薄膜の膜剥れを防止する。
【解決手段】半導体装置２０の配線として備えられ、マイクロクリスタルシリコン薄膜８と該薄膜上に形成された金属薄膜９とから成る積層配線であって、マイクロクリスタルシリコン薄膜８の結晶組織を構成している結晶粒には、半導体装置の製造時の熱処理で生じた金属薄膜９とのシリサイド化反応に起因して膜厚方向に成長した柱状の結晶粒が含まれ、マイクロクリスタルシリコン薄膜８の膜厚方向の長さがマイクロクリスタルシリコン薄膜８の膜厚の６０％以上である柱状の結晶粒が、マイクロクリスタルシリコン薄膜８の結晶粒の全数の６％以上１５％以下となるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 横クロストークが抑制された高画質の横電界方式の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲートバスライン５５とドレインバスライン５６で画定される画素領域Ｐの各々に、当該画素領域Ｐを画定するドレインバスライン５６に隣接し且つそれに沿って延在する遮光電極５３を設ける。遮光電極５３は、孤立していると共に、画素電極７１のドレインバスライン５６に隣接して延在する櫛歯状部７１ａと絶縁膜を挟んで重なっており、動作時には電気的にフローティング状態となる。フローティング状態にある遮光電極５３の電位は、画素電極７１のそれに近い値になるので、ドレインバスライン５６と共通電極７２（共通バスライン５２）との結合容量が減少し、横クロストークの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】表示品位に優れ、塗布ムラによる不良発生が少ないフラットパネルディスプレイ及びその製造方法並びに引き出し配線の設計方法の提供。
【解決手段】表示領域から複数の引き出し配線が引き回されるアクティブマトリクス基板を含むフラットパネルディスプレイにおいて、各々の前記引き出し配線は、直線と曲線とが滑らかに接続された形状、例えば、前記表示領域の所定の辺から第１の方向に延在する第１の直線と、前記第１の方向とは異なる第２の方向に延在する第２の直線と、が、双方の直線に内接する円弧、楕円弧又は特定の関数で規定される曲線によって滑らかに接続された形状である。 （もっと読む）

【課題】視野角度範囲を切替可能な表示装置において、散乱を制御するための透明・散乱切替素子の駆動電源を小型化、低コスト化可能な表示装置、この表示装置を搭載した端末装置、及び前記端末装置に組み込まれる表示パネルを提供する。
【解決手段】表示装置２は光源装置１と透過型液晶表示パネル７とから構成され、光源装置１には、入射した光を透過する状態と散乱する状態とに切替可能の透明・散乱切替素子１２２が設けられている。透過型液晶表示パネル２には表示のための画素がマトリクス状に配置されており、この画素を駆動するための電源と信号とを用いて、透明・散乱切替素子１２２を駆動させることで、透明・散乱切替素子用の信号及び電源を新たに設ける必要がない。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能で、回路面積が小さく、低消費電力で、メモリ部の動作の信頼度が高く、低コストである表示装置を提供する。
【解決手段】容量を有するデータ保持回路３と、複数の画素を有する表示部４とが第１の支持基板１上に形成された表示装置において、画素には、それぞれ画素電極が設けられ、第１の支持基板１と対向する第２の支持基板２が設けられており、第２の支持基板２における第１の支持基板１側の面には、データ保持回路３に対向する領域に、導電体膜８が存在せず、第２の支持基板２における第１の支持基板１と反対側の面には、データ保持回路３に対向する領域に、導電体膜８が存在する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたＴＦＴでは、ソース・ドレイン電極のプラズマエッチング後に酸化物半導体膜の表面領域に酸素欠損が生成されオフ電流が高くなってしまうという課題があった。
【解決手段】ＴＦＴ１０１は、絶縁性基板１０上のゲート電極１１、ゲート電極１１上のゲート絶縁膜１２、ゲート絶縁膜１２上のインジウムを含む酸化物半導体膜１３、及び、酸化物半導体膜１３上のソース・ドレイン電極１４を有する。そして、酸化物半導体膜１３のソース・ドレイン電極１４が重ならない部分の表面層１５におけるＸＰＳスペクトルのインジウム３ｄ軌道起因のピーク位置が、表面層１５の下部に存在する酸化物半導体領域におけるＸＰＳスペクトルのインジウム３ｄ軌道起因のピーク位置よりも、高エネルギ側にシフトしている。 （もっと読む）

【課題】 酸化物半導体膜を用いたＴＦＴでは、ソース・ドレイン電極のプラズマエッチング後に酸化物半導体膜の表面領域に酸素欠損が生成されオフ電流が高くなってしまうという課題があった。
【解決手段】ＴＦＴ１０１は、基板としての絶縁性基板１０上のゲート電極１１、ゲート電極１１上のゲート絶縁膜１２、ゲート絶縁膜１２上の酸化物半導体膜１３、及び、酸化物半導体膜１３上のソース・ドレイン電極１４を有する。そして、ＴＦＴ１０１の特徴は、酸化物半導体膜１３のソース・ドレイン電極１４が重ならない部分に、フッ素及び塩素の少なくとも一方を含む表面層１５が存在することである。 （もっと読む）

【課題】動画の尾引きを低減し、表示画面のコントラストの向上を図る。
【解決手段】ＬＥＤブロック１６ａ，１６ｂの発光領域に対応した液晶の応答に対応して同ＬＥＤブロックが所定の期間点灯し、かつ、同ＬＥＤブロックに対応して、入力映像信号ＶＤのＲ，Ｇ，Ｂ毎の当該フレームにおける最も明るい階調レベルが検出され、同入力映像信号ＶＤは、階調レベルの上限値を積算し、かつ最も明るい階調レベルで除算した値に変換され、この値に対応した階調電圧が各データ電極に印加されると共に、ＬＥＤブロックの点灯期間では、入力映像信号ＶＤの階調レベルの上限値に対する最も明るい階調レベルの割合に比例したデューティでＬＥＤブロックが点滅する。バックライトの点灯期間は、当該フレームの液晶の応答がほぼ７０％以上に達した第１の時点から、当該フレームの次フレームの液晶の応答がほぼ３０％以下である範囲内に設定されている。 （もっと読む）