【課題】回路規模の増大を抑制しつつ、不要輻射のノイズレベルを低減するクロック発生回路、電源供給システム及びクロック信号の周波数変更方法を提供すること。
【解決手段】分周回路３０は、クロック発生部が生成したクロック信号ＣＬＫを分周して第１〜第３分周信号Ｓｂ１〜Ｓｂ３を生成してパルス制御部３１に出力する。パルス制御部３１は、分周回路３０からの第１〜第３分周信号Ｓｂ１〜Ｓｂ３に基づいて、電流制御部３２の第５トランジスタＴｒ５及び第６トランジスタＴｒ６をオン・オフしてクロック発生部のノードＮ１に第１調整電流Ｉａ１を流し込んだり、又は、ノードＮ１から第２調整電流Ｉａ２を引き込んだりする。 （もっと読む）

【課題】短いゲート長を加工可能にする半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法の一形態は、シリコン基板２上にシリコン酸化膜３４を形成し、酸化膜３４上に所定幅Ｔ１を有する多結晶シリコン膜３５ａを形成し、少なくとも多結晶シリコン膜３５ａの両側部を酸化し、所定幅Ｔ１よりも狭い幅を有する酸化膜３４の部分を多結晶シリコン膜３５ａの下に残すように、酸化膜３４を、多結晶シリコン膜３５ａの酸化された部分と共にエッチングし、酸化された部分がエッチングされた多結晶シリコン膜３５ａをマスクとして、多結晶シリコン膜３５ａの両側のシリコン基板２の部分に不純物をイオン注入し、多結晶シリコン膜３５ａの両側に側壁絶縁膜１４を形成し、側壁絶縁膜１４が形成された多結晶シリコン膜３５ａをマスクとして、多結晶シリコン膜３５ａの両側のシリコン基板２の部分に不純物をイオン注入する、工程を有する。 （もっと読む）

【課題】タイミングドリブン配置された順序セルのタイミングを維持しながら消費電力の低減化を図ること。
【解決手段】まず、初期情報を取得する（Ｓ１８０１）。つぎに、順序セルがタイミングドリブン配置されたセル配置可能領域に、所定数のＲＯＷ領域候補を設定する（Ｓ１８０２）。そして、ランキング処理を実行して（Ｓ１８０３）、ＲＯＷ領域候補ｒｉの優先順位を付ける。このあと、実際にチップに使用するＲＯＷ領域の必要個数Ｎを算出する（Ｓ１８０３）。ＲＯＷ領域候補の中からＲＯＷ領域を決定する（Ｓ１８０５）。そして、順序セルの整列化処理を実行する（Ｓ１８０６）。 （もっと読む）

【課題】適切な負荷分散処理を可能な限り低消費電力で実現すること。
【解決手段】電力供給制御装置１０６は、負荷分散制御装置１０１による実計算機の動作状況、仮想計算機制御装置１０２による仮想計算機ＶＭｉの動作状況により、実計算機Ｒｉへの電力供給を制御する。電源タップ制御装置１０５に対し、電力供給する実計算機Ｒｉや遮断する実計算機を指示する。仮想計算機群ＶＭは常時動作とし停止しない。仮想計算機ＶＭｉは、常に電力供給を受けているマスタ計算機Ｍや実計算機Ｒｉ上で動作するため、ジョブ実行しない実計算機Ｒｉへの電力供給を停止して低消費電力化を図ることができる。実計算機群Ｒは、ジョブ実行がない仮想計算機ＶＭｉのみの状態において、仮想計算機ＶＭｉをマスタ計算機Ｍまたは他の実計算機Ｒｉに移動し、起動を停止する。 （もっと読む）

【課題】出力電圧の変動を抑制すること。
【解決手段】制御回路１２の電流傾斜検出回路２７は、コイル電流ＩＬのリップル成分のみを検出し、その検出結果に応じたスロープ電圧ＶＳを生成する。加算回路２８は、基準電圧ＶＲ０にスロープ電圧ＶＳを加算して参照電圧ＶＲ１を生成する。そして、比較器２１は、出力電圧Ｖｏに応じたフィードバック電圧ＶＦＢと参照電圧ＶＳとを比較し、その比較結果に応じた信号Ｖｃ１を出力する。制御回路１２は、この信号Ｖｃ１に基づいてコンバータ部１１のトランジスタＴ１，Ｔ２をオンオフする。 （もっと読む）

【課題】バスアービトレーションにかかる時間を短縮することができるデータの通信方法を提供する。
【解決手段】許可装置Ａから各送信装置Ｃ，Ｄ，Ｈ，Ｋ，Ｌへの転送方向が右回りとなる通信環境において、許可装置Ａと各送信装置Ｃ，Ｄ，Ｈ，Ｋ，Ｌとの間の伝送時間を測定した。次に、許可装置Ａから各送信装置Ｃ，Ｄ，Ｈ，Ｋ，Ｌへの転送方向が左回りとなる通信環境に切り替え、その通信環境において、許可装置Ａと各送信装置Ｃ，Ｄ，Ｈ，Ｋ，Ｌとの間の伝送時間を測定した。そして、これらの伝送時間に基づいて、各送信装置Ｃ，Ｄ，Ｈ，Ｋ，Ｌの伝送時間がそれぞれ短くなるように転送方向を切り替えてパケット転送を行う。 （もっと読む）

【課題】 配線基板に於ける配線層の不良の検出を容易化し、もって当該配線基板の製造歩留りを高める。
【解決手段】 絶縁性基板と、前記絶縁性基板の一方の主面に配設された配線層と、前記絶縁性基板の他方の主面に配設された配線層と、を具備し、前記一方の主面に配設された前記配線層と前記他方の主面に配設された前記配線層が、前記絶縁性基板を貫通する孔を介して接続される配線基板の製造方法において、前記絶縁性基板に、前記配線層と共に、検査用配線層を形成する工程を具備することを特徴とする配線基板の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】データの入力順を判定できるデータバッファ装置を提供する。
【解決手段】入力されるデータを記憶し，記憶されたデータをある順番で出力するデータバッファ装置において，入力データ毎にタグ値を生成するタグ値生成ユニットと，第１〜第ｎの優先度を有する第１〜第ｎ優先度データをそれぞれ，その入力された順に，タグ値と共に記憶する第１〜第ｎのバッファユニットと，第１〜第ｎのバッファユニット内のそれぞれ先頭の第１〜第ｎ優先度データのいずれかを出力するデータ出力ユニットとを有する。データ出力ユニットは，通常出力モードの場合に，第１〜第ｎのバッファユニットのそれぞれ先頭の第１〜第ｎ優先度データのタグ値に応じて，第１〜第ｎ優先度データのうち最先に入力されたデータを出力し，通常出力モード以外のモードの場合に，入力順にかかわらず，前記第１〜第ｎのバッファユニットのうちいずれかのバッファユニットのデータを出力する。 （もっと読む）

【課題】配線間容量の低い半導体装置を安定的に形成する。
【解決手段】配線１間に、仕切層５ａで仕切られた複数の空洞の溝２を形成し、その後、それらの溝２を覆うように、配線１及び仕切層５ａの上側に絶縁膜を形成する。配線１間に仕切層５ａを設けることにより、絶縁膜形成に用いる絶縁膜原料３ａの溝２内への進入が抑えられ、溝２内の絶縁膜形成が抑えられるようになる。それにより、配線１間の容量が低く、また、容量のばらつきが抑えられた半導体装置が形成可能になる。 （もっと読む）

【課題】装置の機能にかかわらず、メモリバンクへ適切に命令コードを配置して効率的な電力供給を可能にすること。
【解決手段】まず、対象装置のファームウェアのソース１０１をコンパイルしてオブジェクト１０２を抽出する。同時に、コールグラフ作成部１２０によってソース１０１から命令同士の呼び出し関係を表すコールグラフ１０３を作成しておく。その後、命令配置装置１００によって、上述のように用意されたオブジェクト１０２と、コールグラフ１０３ならびに対象装置に搭載されているメモリバンクの分割状態（総容量いくつのメモリが、それぞれ容量いくつのメモリバンクに分割されているか）を表すメモリ分割情報１０４が取得され、配置情報１０５が作成される。作成された配置情報１０５は、対象装置のメモリバンクへの電力制御システム２００における命令コードの配置に利用されることによってメモリバンクへの供給電力の省電力化が可能になる。 （もっと読む）