【課題】装置の機能にかかわらず、メモリバンクへ適切に命令コードを配置して効率的な電力供給を可能にすること。
【解決手段】まず、対象装置のファームウェアのソース１０１をコンパイルしてオブジェクト１０２を抽出する。同時に、コールグラフ作成部１２０によってソース１０１から命令同士の呼び出し関係を表すコールグラフ１０３を作成しておく。その後、命令配置装置１００によって、上述のように用意されたオブジェクト１０２と、コールグラフ１０３ならびに対象装置に搭載されているメモリバンクの分割状態（総容量いくつのメモリが、それぞれ容量いくつのメモリバンクに分割されているか）を表すメモリ分割情報１０４が取得され、配置情報１０５が作成される。作成された配置情報１０５は、対象装置のメモリバンクへの電力制御システム２００における命令コードの配置に利用されることによってメモリバンクへの供給電力の省電力化が可能になる。 （もっと読む）

【課題】
チップのグランド端子が外部端子と接続されずオープン状態であることを検出する検出回路を提供する。
【解決手段】
電源端子とグランド端子と入力端子とを有し内部回路が形成されたチップを有する集積回路装置において，チップは，入力端子とグランド端子との間に設けられ前記グランド端子から入力端子方向の一方向性素子と，グランドオープン検出回路とを有する。この検出回路は，ゲートに入力端子が接続されソースとドレインが電源端子とグランド端子との間に接続された第１のトランジスタと，ゲートに前記グランド端子に接続されソースとドレインが前記電源端子とグランド端子との間に接続された第２のトランジスタと，第１，第２のトランジスタのドレインと前記電源端子との間のノードの電位を比較し，チップのグランド端子が外部のグランド端子に接続されていないオープン状態であることを示すグランドオープン検出信号を出力するコンパレータとを含む。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線に達するコンタクトホールを確実に形成し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１応力膜３８を形成する工程と、第１応力膜とエッチング特性が異なる絶縁膜４０を形成する工程と、第１領域２を覆う第１マスク６０を用いて、第２領域内の絶縁膜をエッチングするとともに、第１領域のうちの第２領域に近接する部分の絶縁膜をサイドエッチングする工程と、第１マスクを用いて第２領域内の第１応力膜をエッチングする工程と、絶縁膜とエッチング特性が異なる第２応力膜を形成する工程と、第２領域を覆い、第１領域側の端面が絶縁膜上に位置する第２マスクを用いて、第２応力膜の一部が第１応力膜の一部及び絶縁膜の一部と重なり合うように第２応力膜をエッチングする工程と、第１領域と第２領域との境界部におけるゲート配線２０に達するコンタクトホールを形成する工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】シランとアンモニアの混合ガスソークによる銅拡散防止絶縁膜形成前の銅配線表面処理を改善できる気相成長装置、および表面状態がよく、抵抗が低い銅配線を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シランを供給できるガス供給系１ａと反応室を接続する、２つ以上のバルブを含む連続バルブの１つをノーマリオープンとし、ガス供給系と排気系を接続する捨てガスライン３のノーマリクローズのバルブＶ１４と連動させることにより、反応室内の残留ガスの影響を抑制する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスを製造する際に、設計段階において、素子を構成する全層に共通する相対的な基準値（第１の値）を用いて極めて効率良く迅速にホットスポットを抽出することを可能とし、信頼性の高い電子デバイスを実現する。
【解決手段】グルーピング部２で分類されたデザイン図形に対して露光シミュレーションを行い、各デザイン図形のシミュレーション図形を作成し、作成されたシミュレーション図形のスペース及び幅を測定し、各デザイン図形について、シミュレーション図形の測定されたスペース及び幅に基づいてヒストグラムを作成し、ヒストグラムに基づいてホットスポットを判定して、デザイン図形のホットスポット周辺のレイアウトを修正する。 （もっと読む）

【課題】触媒金属微粒子を用いて炭素元素からなる線状構造体を成長する線状構造体の成長方法及び成長装置に関し、触媒金属微粒子の凝集を抑制して高密度で線状構造体を成長しうる線状構造体の成長方法及び成長装置を提供する。
【解決手段】 基板１０上に微粒子状の触媒金属１４ａ，１８ａを堆積する工程と、触媒金属１４ａ，１８ａに炭素を含む原料ガスを作用させ、少なくとも触媒金属１４ａ，１８ａの表面を覆う炭素元素からなる構造体１６を成長する工程とを少なくとも２回繰り返して行う工程と、触媒金属１４ａ，１８ａに炭素を含む原料ガスを作用させ、基板１０上に、炭素元素からなる線状構造体２０を成長する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高価な露光装置や高価なマスクを用いることなく、配線等のピッチを狭くすることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の導電パターン４２と、第１の導電パターンに隣接して形成された第２の導電パターン４２と、第１の導電パターンの所定領域下に形成された第１の導体プラグと、第１の導電パターンの所定領域上に形成された第２の導体プラグ６２_ｎと、第２の導電パターンのうちの、第１の導電パターンの所定領域に隣接する所定領域下に形成された第３の導体プラグと、第２の導電パターンの所定領域上に形成された第４の導体プラグ６２_ｎ＋１と、第１の導電パターン４２の上方に形成され、第２の導体プラグに接続された第３の導電パターン６２と、第２の導電パターンの上方に形成され、第４の導体プラグに接続された第４の導電パターン６４とを有し、第４の導体プラグは、第２の導体プラグに対して、ずれた位置に配されている。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードから浮遊不純物拡散領域への電荷転送を効率良く行うことができる固体撮像装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の上に第１絶縁膜５を形成する工程と、第１絶縁膜５上に、転送ゲート１２と、リセットトランジスタのゲート電極９とを間隔をおいて形成する工程と、転送ゲート１２の第１側面１２ａと、その第１側面１２ａに対向するゲート電極９の第２側面９ａとが露出する第１窓２１ａを備えた第１レジストパターン２１を半導体基板１の上方に形成する工程と、第１窓２１ａを通じて半導体基板１の表層に不純物を導入することにより、転送ゲート１２とゲート電極９との間の半導体基板１の表層に浮遊不純物拡散領域２２を形成する工程と、浮遊不純物拡散領域２２に不純物を導入することにより高濃度領域２２ａを形成する工程とを有する固体撮像装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】 書き込み動作時に相補の記憶ノードがショートされるメモリセルの動作マージンが低下することを防止する。
【解決手段】 メモリセルのラッチ回路の相補の記憶ノードを接続するショートトランジスタを有している。トランスファトランジスタおよびショートトランジスタは、記憶ノードの一方に接続された共通の拡散層を有している。ショートトランジスタおよびドライバトランジスタは、記憶ノードの他方に接続された共通の拡散層を有している。トランスファトランジスタ、ショートトランジスタおよびドライバトランジスタを共通の拡散層を介して連続的に配置することで、トランスファトランジスタの特性がばらつくことを防止できる。これにより、トランスファトランジスタの電流供給能力がメモリセル内のレイアウトに依存して変化することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】内部動作が停止した場合に外部バッファと適切にデータのやり取りが可能なリコンフィギュラブル回路を提供する。
【解決手段】リコンフィギュラブル回路は、複数の演算器と該演算器間を再構成可能に接続するネットワーク回路とを含むリコンフィギュラブル演算器アレイと、リコンフィギュラブル演算器アレイの動作の実行及び停止を制御する停止制御回路と、リコンフィギュラブル演算器アレイの動作の停止時に外部から供給されるデータを一時的に格納し、リコンフィギュラブル演算器アレイの動作の再開時に格納されたデータをリコンフィギュラブル演算器アレイに供給するバッファ回路とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）