【課題】書き込み制御部のライトポインタの更新に依存することなく、データ転送効率を向上させることができるメモリアクセス装置を提供することを課題とする。
【解決手段】処理部から要求された処理領域に対応するデータのサイズを保持している値に基づいてカウントするカウンタ（１１１）と、前記処理部と前記処理領域に対応するデータが格納された第１のメモリとの間に接続された第２のメモリ（１０２）と、前記第２のメモリにおけるリードポインタと前記カウンタの値とに基づいて、前記第２のメモリの状態を検出する検出部（１１１）と、前記検出部の検出結果に基づいて、前記処理領域に対応するデータを前記第１のメモリから前記第２のメモリに転送するための転送要求を出力する制御部（１０５）とを有することを特徴とするメモリアクセス装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】
出力スイッチングトランジスタのリーク電流などによる出力電圧の上昇を効果的に抑制するDC-DCコンバータを提供する。
【解決手段】
入力電圧が供給される入力端子とグランドとの間に直列に接続される第１及び第２のスイッチと，第１及び第２のスイッチの接続ノードと出力端子との間に設けられるインダクタと，出力端子に接続される平滑コンデンサとを有するDC-DCコンバータにおいて，出力電圧が基準電圧まで低下した時に第１のスイッチをオンした後第２のスイッチをオンにするバースト制御を行うスイッチング制御回路と，バースト制御を監視し，所定の期間にわたりバースト制御が行われないときに出力端子から擬似負荷電流を流す擬似負荷電流生成回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】無駄なデータを送信せず、データの途切れることの無い映像データ通信システムを提供する。
【解決手段】監視カメラで撮影した映像を送信側から受信側に転送し、受信側で表示装置に表示する。受信側において、転送されてきた、フレームに符号化された映像データを復号する場合、エラーが発生すると、これを送信側に即座に通知する。送信側は、エラーが発生したことを検出すると、現在送信している映像フレームの送信を停止し、新しいフレームの送信を直ちに開始する。 （もっと読む）

【課題】 書き込み動作時に相補の記憶ノードがショートされるメモリセルの動作マージンが低下することを防止する。
【解決手段】 メモリセルのラッチ回路の相補の記憶ノードを接続するショートトランジスタを有している。トランスファトランジスタおよびショートトランジスタは、記憶ノードの一方に接続された共通の拡散層を有している。ショートトランジスタおよびドライバトランジスタは、記憶ノードの他方に接続された共通の拡散層を有している。トランスファトランジスタ、ショートトランジスタおよびドライバトランジスタを共通の拡散層を介して連続的に配置することで、トランスファトランジスタの特性がばらつくことを防止できる。これにより、トランスファトランジスタの電流供給能力がメモリセル内のレイアウトに依存して変化することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】内部動作が停止した場合に外部バッファと適切にデータのやり取りが可能なリコンフィギュラブル回路を提供する。
【解決手段】リコンフィギュラブル回路は、複数の演算器と該演算器間を再構成可能に接続するネットワーク回路とを含むリコンフィギュラブル演算器アレイと、リコンフィギュラブル演算器アレイの動作の実行及び停止を制御する停止制御回路と、リコンフィギュラブル演算器アレイの動作の停止時に外部から供給されるデータを一時的に格納し、リコンフィギュラブル演算器アレイの動作の再開時に格納されたデータをリコンフィギュラブル演算器アレイに供給するバッファ回路とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スイッチング周波数の安定化を図ること。
【解決手段】第１の比較器２１は、フィードバック電圧Ｖａと第１参照電圧ＶＲＥＦ１とを比較し、その比較結果に応じた信号Ｖｃ１を生成する。第２の比較器２２は、フィードバック電圧Ｖａと第２参照電圧ＶＲＥＦ２とを比較し、その比較結果に応じた信号Ｖｃ２を生成する。制御信号生成回路２４は、信号Ｖｃ１，Ｖｃ２に応答して制御信号ｆｓｗを生成する。変換回路２６は、制御信号ｆｓｗの周波数と基準信号ｆｏの周波数との差（周波数差）に応じた電圧Ｖｆｄを生成する。参照電圧生成回路２３は、変換回路２６から出力される周波数差電圧Ｖｆｄに応じて、第１参照電圧ＶＲＥＦ１と第２参照電圧ＶＲＥＦ２の電位を変更する。 （もっと読む）

【課題】 電源電圧が低下するときに、半導体装置の内部ノードを確実に初期化する。
【解決手段】 第１トランジスタは、電源電圧が供給される第１電源線に一端とゲートとが接続され、他端が第１ノードに接続される。第２トランジスタは、第２ノードにゲートが接続され、一端が第１ノードに接続され、他端が第３ノードに接続される。第３トランジスタは、第２電源線に一端が接続され、ゲートが第４ノードに接続され、他端が第３ノードに接続される。第１バイアス電圧生成回路は、第２ノードに第１バイアス電圧を供給する。第２バイアス電圧生成回路は、第４ノードに第２バイアス電圧を供給する。これにより、第３ノードが、あるレベルから別のレベルに変化するときの電源電圧を高く設定でき、電源電圧が低下するときに、第３ノードの電圧の変化に応じて半導体装置の内部ノードを確実に初期化できる。 （もっと読む）

【課題】ハードウェアを増加することなく、静止画処理中にも動画表示を行うことの出来る画像処理装置を提供する。
【解決手段】デジタルカメラで静止画を撮影した場合、静止画を複数に分割し、分割領域ごとに処理する。１つの分割領域が処理し終わったら、次に、撮像素子から得られる動画の処理を行い、動画の処理が終わったら、再び、静止画の別の分割領域を処理する。このような動画処理と静止画処理の切り替えを、静止画が全部処理し終わるまで行う。これにより、デジタルカメラで静止画を撮影した後は、すぐに動画を表示し、カメラで捕らえられているライブ映像を背面液晶画面に表示するようにする。 （もっと読む）

【課題】耐湿リングの一部のパターンが剥離するのを防止しうる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】第１の耐湿リング８ａと第２の耐湿リング８ｂとを有し、第１の耐湿リングは、第１の絶縁層１４２に埋め込まれた第１のパターン１５０ａと、第２の絶縁層１５６に埋め込まれた第１のパターンより幅の狭い第２のパターン１６０ａと、第２の絶縁層上に形成され、長手方向に沿った両側部のうちの少なくとも一方が第１のパターンと平面的に重なり合っていない第３のパターン１６０ｃとを有しており、第２の耐湿リング８ｂは、第１の絶縁層に埋め込まれた第４のパターン１５０ｂと、第２の絶縁層に埋め込まれた第４のパターンより幅の狭い第５のパターン１６０ｂと、第２の絶縁層上に形成され、長手方向に沿った両側部のうちの少なくとも一方が第４のパターンと平面的に重なり合っておらず、第３のパターンと分離された第６のパターン１６２ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】希土類含有複合酸化物膜の新規なエッチング方法を含む、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上方に、希土類元素と、希土類でない他の金属元素と、Ｏとを含む希土類含有複合酸化物膜を形成する工程と、希土類含有複合酸化物膜に対し、フッ素を含まない酸によるエッチングと、他の金属元素の酸化物を溶解するフッ素含有溶液によるエッチングとを、交互に複数回行なうエッチング工程とを有する。 （もっと読む）