【課題】歩留まりと信頼性を高めるフラッシュメモリセルを備えた半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、シリコン基板１に素子分離絶縁膜６を形成する工程と、シリコン基板１の表面にトンネル絶縁膜を形成する工程と、素子分離絶縁膜６とトンネル絶縁膜の上に第１導電膜を形成する工程と、第１導電膜をパターニングして導電パターン１３ａにする工程と、導電パターン１３ａの表層部分をスパッタエッチングする工程と、導電パターン１３ａと素子分離絶縁膜６の上に中間絶縁膜１６を形成する工程と、中間絶縁膜１６の上に第２導電膜１７を形成する工程と、導電パターン１３ａ、中間絶縁膜１６、及び第２導電膜１７をパターニングすることによりフラッシュメモリセルFLを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】チップ規模の増大を防止すること。
【解決手段】比較部２は、設計対象の半導体回路の第１の動作条件での電圧降下と、第２の動作条件での電圧降下とを例えば、シミュレーションを行って比較する。ここで、第１の動作条件は、例えば、半導体回路完成後の実動作時の動作条件であり、第２の動作条件は、例えば、半導体回路完成後の出荷試験を行うとき（試験時）の動作条件である。調整部３は、第２の動作条件での電圧降下が、第１の動作条件での電圧降下よりも大きい場合、半導体回路の遅延特性に基づいて、第２の動作条件を調整する。 （もっと読む）

【課題】回路構成を再構成可能であるとともに、同時に複数のアプリケーションを実行することを可能にする半導体装置を提供する。
【解決手段】コンフィグレーションデータの保持用及び演算処理の結果の保持用に同じバンク数のレジスタバンクを設け、バンク切り替え信号によりレジスタバンクのバンクを同期して切り替えるようにして、アプリケーションの切り替えに応じて、コンフィグレーションデータ及び処理に用いるデータを同期して切り替えて処理を実行可能にし、同時に複数のアプリケーションを実行できるようにする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、プログラムされたユーザー論理を用いたＬＳＩのプロトタイピングにおいて、評価精度を向上させることを目的とする。
【解決手段】 上記課題は、２つのデバイスで構成されるプロトタイピング環境を実装するＬＳＩ評価ボード装置は、有効なバストランザクションの検出に応じて、前記２つのデバイスの動作に係る回路構成のクロック停止を指示する第一指示回路と、前記クロック停止の指示に応じて、前記デバイス間を接続する外部バスに係る回路構成を除く前記２つのデバイスの動作に係る回路構成のクロックの停止を制御するクロック制御回路とを有するＬＳＩ評価ボード装置により達成される。 （もっと読む）

【課題】一方の主面に複数の半導体素子が搭載され、当該半導体素子を被覆して封止用樹脂が配設されてなる回路基板の他方の主面に、外部接続用端子を配設する際、当該外部接続用端子を高い製造歩留りをもって配置する。
【解決手段】回路基板の一方の主面に半導体素子を搭載する工程、前記回路基板の一方の主面に於ける前記半導体素子を樹脂により封止する工程、前記回路基板と封止樹脂との一体物を加熱して当該回路基板に於ける反りを低減する工程、反りが低減された回路基板の他方の主面に外部接続用端子を配設する工程を備えた製造方法を適用する。 （もっと読む）

【課題】初期アクセスレイテンシによるデータ処理速度の低下を低減するとともに無駄なメモリアクセスの発生しない情報処理システムを提供する。
【解決手段】情報処理システムは、連続する複数回のデータ読み出し命令を出力する際に転送状態信号を合わせて出力し、ある１つのデータ読み出し命令に対して少なくとも１つのデータ読み出し命令が後続することを転送状態信号により示すマスタモジュールと、上記ある１つのデータ読み出し命令と転送状態信号とをマスタモジュールから受信すると、転送状態信号に応答して、上記ある１つのデータ読み出し命令に後続する少なくとも１つのデータ読み出し命令に対応するデータをメモリから読み出して保持するとともに、上記ある１つのデータ読み出し命令に対応するデータをマスタモジュールに供給するメモリコントローラを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】周辺回路領域に形成されるロジック回路等に不具合が発生するのを防ぐことができるフラッシュメモリセルを備えた半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１導電体２５ａのコンタクト領域CR上の第２絶縁膜２６を除去する工程と、第２絶縁膜２６の上に第２導電膜３０を形成する工程と、第１導電体２５ａのコンタクト領域CR上の第２導電膜３０を除去し、該第２導電膜３０を第２導電体３０ａとする工程と、第２導電体３０ａを覆う層間絶縁膜（第３絶縁膜）４４を形成する工程と、コンタクト領域CR上の層間絶縁膜４４に第１ホール４４ａを形成する工程と、コンタクト領域CRと電気的に接続される導電性プラグ４５ａを第１ホール４４ａ内に形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを、タングステンにより、前記構造の還元を抑制しながら充填する電子装置の製造方法の提供。
【解決手段】上部電極１２Ｃを露出するコンタクトホール１４Ａを形成する工程と、コンタクトホールの底面および側壁面を導電性バリア膜１５で覆う工程と、シランガスを第１のキャリアガスとともに供給し、導電性バリア膜をシランガスに曝露する初期化工程と、タングステンの原料ガスをシランガスおよび第２のキャリアガスとともに供給し、コンタクトホールの底面および側壁面にタングステン膜を堆積させる工程と、タングステンの原料ガスを水素ガスとともに供給し、タングステン膜上にさらにタングステン膜を堆積し、前記コンタクトホールを少なくとも部分的に充填するタングステン充填工程とを含み、第１および第２のキャリアガスの各々は不活性ガスよりなり、水素ガスを含まないか、水素ガスをシランガス流量の二倍以下の流量で含む。 （もっと読む）

【課題】動作タイミングによる不整合を取り除いてソフトウェアコードの削減並びに動作性能の向上を行うことのできるバス制御システムおよび半導体集積回路の提供を図る。
【解決手段】第１回路４が接続された第１バス１と、第２回路９が接続された第２バス２と、前記第１回路と前記第２回路との間のデータの受け渡しを行う制御回路７と、を有するバス制御システムであって、前記制御回路は、当該制御回路内に滞留しているアクセス要求の処理が完了したことを監視し、処理タイミングによる不整合を防止する。 （もっと読む）

【課題】電極パッドの損傷を抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１の上方に形成された電極パッド３０とを有し、電極パッド３０は、第１の融点温度を有する材料からなる第１の層３２と、第１の層３２上に位置するとともに外に向けて表出し、第１の融点温度よりも高い第２の融点温度を有する材料からなる第２の層３３とを含むことを特徴とする。これにより、外部から電極パッド３０への圧力により第１の層３２に達する傷ができても、必要に応じて第１の融点以上の温度で加熱することにより電極パッド表面の平坦性を修復することができる。 （もっと読む）