【課題】スタック構造のゲート電極をドライエッチングによりパターニングする際に、エッチングの終点を確実に検出し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１６上のメモリセルアレイ領域１２に形成された複数のフラッシュメモリセル３４であって、半導体基板１６上にトンネル絶縁膜２０を介して形成されたフローティングゲート２２_Ｒと、フローティングゲート２２_Ｒ上にＯＮＯ膜２４を介して形成されたコントロールゲート２６_Ｒとをそれぞれ有する複数のフラッシュメモリセル３４と、半導体基板１６上のパッド領域１４に形成された複数のダミーセル３８であって、半導体基板１６上にトンネル絶縁膜２０を介して形成され、フローティングゲート２２_Ｄと、フローティングゲート２２_Ｄ上にＯＮＯ膜２４を介して形成されたコントロールゲート２６_Ｄとをそれぞれ有する複数のダミーセル３８とを有している。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサに備えられて、光電変換およびアナログ／デジタル変換された画像信号に対して、ノイズ抑制を行う技術に関し、明暗の差が大きい画像の境界部分に発生したノイズについても、効果的に検出／抑制可能とすることにある。
【解決手段】注目画素とその同色周囲8画素の平均値との差分絶対値が算出される（Ｓ１０１、Ｓ１０２、Ｓ１０７）。その差分絶対値が閾値未満である場合、注目画素の値が同色周囲8画素の平均値に置き換えられる（Ｓ１０８）。差分絶対値が閾値以上である場合、注目画素とその同色周囲8画素の縦／横／斜め各平均値との各差分絶対値が算出される（Ｓ１１０、Ｓ１１１）。各差分絶対値のうち最小のものに対応する平均値に注目画素の値が置き換えられる（Ｓ１１２、Ｓ１１３、Ｓ１１４）。 （もっと読む）

【課題】過電流保護において応答性を改善し、回路動作の安定性の向上を図った電源回路及びその過電流保護回路、並びに電子機器を提供すること。
【解決手段】上記の課題を解決すべく、本発明にかかる電源回路は、ソースが電源電圧に接続され、ドレインから出力電圧を出力する出力トランジスタと、電源電圧を電源として動作し、出力電圧と基準電圧との電位差に基づく信号を出力する誤差増幅器と、ゲートが誤差増幅器の出力に接続され、ソースが定電流源を介して電源電圧に接続されるとともに出力トランジスタのゲートに接続されるバッファトランジスタと、ゲートとソースとがそれぞれ出力トランジスタと共通に接続される電流検出トランジスタと、電流検出トランジスタのドレイン電流の増加により、バッファトランジスタのドレイン電流を制限することで、出力トランジスタの出力電流を制御する過電流保護回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】露光装置の偏向幅で決まる偏向領域の境界で隣接するパターン間のスペースの解像性を向上することを目的とする。
【解決手段】露光対象物上の露光装置の偏向幅で決まる複数の偏向領域を電子ビームで走査しながらパターンを露光して半導体装置又はフォトマスクを製造する製造方法において、偏向領域の境界近傍に存在し、且つ、第１の偏向領域に属する第１のパターンを抽出する手順と、第１のパターンに隣接し、且つ、第１の偏向領域とは異なる第２の偏向領域に属する第２のパターンを探索する手順と、偏向領域の位置ズレによる抽出された第１のパターンと探索された第２のパターンとの間の距離の変化が最小になるように、第１のパターンの幅に応じて露光データにデータ加工を施す手順をコンピュータに実行させるように構成する。 （もっと読む）

【課題】色ずれの発生を抑え、色むらノイズを低減すること。
【解決手段】補正処理部色差空間の原点を含む無色領域Ａｎと、無色領域Ａｎの内外を区画する第１の境界線Ｂ１と、第１の境界線Ｂ１より原点側であって色差抑制幅Ｃｗｄにて規定される抑制領域Ａｎ３と、抑制領域Ａｎ３内とその抑制領域の内側の領域Ａｎ２を区画する第２の境界線Ｂ２とが設定されている。補正処理部は、色差信号Ｃｂ，Ｃｒの値が無色領域Ａｎより外側の場合、入力色差信号Ｃｂ，Ｃｒに対する補正量を「０」として出力色差信号を生成し、色差信号Ｃｂ，Ｃｒの値が抑制領域Ａｎ３より内側の場合、入力色差信号Ｃｂ．Ｃｒを「０」に近づける補正をして出力色差信号を生成する。更に、補正処理部は、色差信号Ｃｂ，Ｃｒの値が抑制領域Ａｎ３内の場合、入力色差信号Ｃｂ，Ｃｒを、第１の境界線Ｂ１上の値と、第２の境界線Ｂ２上の値との間に補正して出力色差信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】ゾルゲル法又はスパッタ法により強誘電体膜等の容量絶縁膜を形成する場合であっても、その配向をより一層揃えることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極膜の一部であるアモルファス状のＩｒ酸化膜５４を形成した後、その上にＰｔ膜９１を形成する。Ｉｒ酸化膜５４がどの方位にも配向していないため、Ｐｔ膜９１は自己配向し、表面のミラー指数は（１１１）となる。次いで、Ｐｔ膜９１上にＰｔ膜９２を形成する。Ｐｔ膜９２はＰｔ膜９１の配向を引き継ぐため、Ｐｔ膜９２の表面のミラー指数も（１１１）となる。その後、Ｐｔ膜９２上に、スパッタ法により容量絶縁膜５５を形成する。続いて、酸素を含む雰囲気中でＲＴＡを行うことにより、容量絶縁膜５５の全体を柱状晶にする。容量絶縁膜５５を構成する柱状晶は、Ｐｔ膜９２の配向を引き継ぐため、その表面のミラー指数も（１１１）となる。 （もっと読む）

【課題】回路規模の大幅な増加を招くことなく、受信条件が極めて低い場合でもデータを復調することができる復調器および復調方法の提供を図る。
【解決手段】スペクトラム直接拡散通信方式を適用した復調器１であって、受信信号を第１ビット数の第１出力にアナログ／ディジタル変換するアナログ／ディジタルコンバータ１３と、該アナログ／ディジタルコンバータの前記第１出力から、前記第１ビット数よりも少ない第２ビット数の連続した第２出力を選択する出力ビット選択部３１と、前記第２出力から相関値を求める相関器１４と、前記相関値から前記出力ビット選択部における前記第２出力の選択を制御する制御手段３２，３３と、を備えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】バリア膜を薄くする場合であっても良好なバリア性を確保し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された第１の導電体３２と、半導体基板上及び第１の導電体上に形成され、第１の導電体に達するコンタクトホール５２と、コンタクトホールの上部に接続された溝５４とが形成された、酸素を含む絶縁膜４８と、コンタクトホールの側面並びに溝の側面及び底面に形成された酸化ジルコニウム膜６２と、コンタクトホール内及び溝内における酸化ジルコニウム膜上に形成されたジルコニウム膜６４と、コンタクトホール内及び溝内に埋め込まれたＣｕより第２の導電体７０とを有している。 （もっと読む）

【課題】配線の幅広配線部から突出した凸状配線部に形成されたビアについて、ストレスマイグレーション耐性を向上し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の配線１８と、第１の配線１８の上方に形成され、第１の配線１８に接続されたビア３８を一体的に有する第２の配線３４と、ビア３８に隣接して配置され、ビア３８と同層に形成された複数のダミービア４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄとを有している。 （もっと読む）

【課題】ストッパ膜の厚さにバラつきがあってもその影響を抑制できる半導体装置の製造方法及び半導体装置製造システムを提供する。
【解決手段】半導体基板の表裏面上に、バッファ膜として第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に、第３の絶縁膜を除去するエッチング液によって第２の絶縁膜をコントロールエッチできる第２の絶縁膜と第３の絶縁膜を堆積し、第２の絶縁膜の膜厚を測定する。表面側において、第３の絶縁膜をエッチング除去し、測定した第２の絶縁膜の厚さに応じて、第２の絶縁膜の一部の厚さをエッチング除去し、残った第２の絶縁膜をパターンニングし、半導体基板に素子分離溝を形成する。素子分離溝を埋め込んで、第２の絶縁膜をストッパとして第２の絶縁膜上の素子分離絶縁膜を研磨して除去し、露出した第２の絶縁膜をウェットエッチングして除去する。 （もっと読む）