【課題】画像データに含まれる低周波ノイズを除去することが可能な画像処理回路、画像処理方法およびカメラを提供すること。
【解決手段】画像処理回路２は、センサ６から取り込まれた複数の画素データ（輝度データＹ、色差データＣｂ、色差データＣｒ）をフィルタリング処理する画像処理回路である。センサ６から取り込まれた画像を格納するＳＤＲＡＭ３が備えられる。ＳＤＲＡＭ３の二次元記憶領域３ａの複数行に渡り画像の書き込みが行われる場合に、同一行に存在する画素データ毎にフィルタリング処理を行うフィルタ部１１が備えられる。フィルタ部１１では１次元に長いフィルタ形状を有することになるため、広範なフィルタサイズを有することになる。よって広範な範囲に渡る低周波ノイズに対して効果的にフィルタ処理を行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、ダマシン構造を有する銅多層配線を構成するトレンチのＣＭＰ工程後に露出した低誘電率膜表面のダメージを回避して配線信頼性を確保するとともに、直列抵抗の増大を抑制する。
【解決手段】 ポーラス絶縁膜に設けた凹部に埋め込まれた第１の金属膜の少なくとも頂面を、前記ポーラス絶縁膜の頂面と整合する高さまでＺｒ及びＢを含む第２の金属膜で覆う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のサイズの増大を防止でき、コンタクト部を安定して形成できる。
【解決手段】Ｎ型電界効果トランジスタ１２およびＰ型電界効果トランジスタ１３が共有するゲート部１１と、ゲート部１１上に形成された、応力が異なる少なくとも２つの応力発生膜１２ａ，１３ａと、応力発生膜１２ａ，１３ａが重なる境界部１６に形成された、ゲート部１１の長手方向に沿った形状のコンタクト部１４と、を有する半導体装置１０により、半導体装置のサイズの増大が防止され、コンタクト部が安定して形成される。 （もっと読む）

【課題】
ノイズ成分を抑制した２次電子画像を得て、高精度の欠陥検査を可能とする欠陥検査方法ないし欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】
電子顕微鏡により、欠陥検査対象物において繰り返しパターンを有する欠陥検査対象領域の観察画像を取得し、予め登録されているマスキング用パターンを観察画像に重ね、観察画像からマスキング用パターンで覆われた領域の信号を除去した欠陥検査用画像を得、欠陥検査用画像を用いて、繰り返しパターンの欠陥検査を行う。 （もっと読む）

【課題】配線の幅広配線部から突出した凸状配線部に形成されたビアについて、ストレスマイグレーション耐性を向上し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の配線１８と、第１の配線１８の上方に形成され、第１の配線１８に接続されたビア３８を一体的に有する第２の配線３４と、ビア３８に隣接して配置され、ビア３８と同層に形成された複数のダミービア４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄとを有している。 （もっと読む）

【課題】ストッパ膜の厚さにバラつきがあってもその影響を抑制できる半導体装置の製造方法及び半導体装置製造システムを提供する。
【解決手段】半導体基板の表裏面上に、バッファ膜として第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に、第３の絶縁膜を除去するエッチング液によって第２の絶縁膜をコントロールエッチできる第２の絶縁膜と第３の絶縁膜を堆積し、第２の絶縁膜の膜厚を測定する。表面側において、第３の絶縁膜をエッチング除去し、測定した第２の絶縁膜の厚さに応じて、第２の絶縁膜の一部の厚さをエッチング除去し、残った第２の絶縁膜をパターンニングし、半導体基板に素子分離溝を形成する。素子分離溝を埋め込んで、第２の絶縁膜をストッパとして第２の絶縁膜上の素子分離絶縁膜を研磨して除去し、露出した第２の絶縁膜をウェットエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】容易に製造でき、エレクトロマイグレーションの発生を抑制できるバンプ構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体チップ表面に形成された、パッド領域を含む配線層と、前記半導体チップ上に、前記パッド領域において前記配線層とコンタクトして形成されるバンプとを備え、前記パッド領域には、前記バンプと接合される接合面に、絶縁物よりなるパターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの配線構成が複雑な多層構造を採るものである場合でも、当該半導体基板に関する情報を表示するＩＤを自動読み取り装置により確実に読み取ることができ、またユーザの目視でも容易且つ確実な視認を可能として、半導体基板の信頼性の高い管理を実現する。
【解決手段】半導体基板１の上部領域に、例えばレーザビームを照射して、例えば層間絶縁膜１７、周辺Ａｌ層２０ａ、層間絶縁膜１５，１３，１１，８を開口するドット２４を適宜形成し、複数のドット２４から所定の数字や英字等の文字を刻印（マーキング）する。これにより、上部領域に複数のドット２４からなる上部ＩＤ３０が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＯＰＣ後のデバイスパターンの段差を低減してフォトマスクを形成する。
【解決手段】ＯＰＣによって段差１ａが形成されたデバイスパターン１と、そのデバイスパターン１に隣接するアシストパターン２とに対し、形状補正を行う。デバイスパターン１は、段差１ａを消失させるように、そのエッジ位置を移動させ、アシストパターン２は、デバイスパターン１から段差１ａを消失させたことによるその転写形状の変化を調整するように、線幅を変化させる。このような形状補正後のパターンでフォトマスクを形成し、ＯＰＣ後のパターンで形成したフォトマスクを用いたときに得られる転写形状と同等の転写形状を得るようにする。また、フォトマスクのデバイスパターン１から段差１ａを消失させることで、そのエッジに欠陥が発生した場合の修正の容易化が図られる。 （もっと読む）

【課題】ソース抵抗をさらに低減する疑似ＳＯＩ構造の半導体装置の提供。
【解決手段】第１および第２のゲート側壁絶縁膜２３ＷＡ〜２３ＷＤをマスクに、前記側壁絶縁膜のそれぞれ外側に、第１および第２の凹部２１ＴＡ〜２１ＴＤを形成する工程と、前記側壁絶縁膜のそれぞれ外側に、第１および第２のダミー側壁膜を形成する工程と、前記ダミー側壁膜２３ＤＡ〜２３ＤＤをマスクに、前記シリコン基板のうち、前記凹部における露出部分を酸化し、それぞれ第１および第２のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記凹部に第１および第２のシリコン膜を充填する工程と、前記シリコン膜上に金属膜を堆積し、熱処理することにより、シリサイド領域が側壁絶縁膜の外端を超えて、前記ゲート電極２３Ａ，２３Ｂ直下の領域近傍にまで到達するようにシリサイド領域を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）